The FET gate electrode was immersed

The FET gate electrode was immersed with 0.1 mM PBS (pH 7.4)as the electrolyte for all electrical measurements. The Hg/Hg2SO4 electrode was placed in bulk solution of electrolyte and used as a pseudo-reference electrode.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อิเล็กโทรดประตู FET ถูกแช่ ด้วย 0.1 mM PBS (pH 7.4) เป็นอิเล็กโทรไลต์สำหรับการวัดค่าไฟฟ้าทั้งหมด อิเล็กโทรด Hg/Hg2SO4 ถูกวางในจำนวนมากของอิเล็กโทรไลต์ และใช้เป็นอิเล็กโทรดอ้างอิงหลอก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขั้วไฟฟ้าประตู FET ถูกแช่ 0.1 มิลลิพีบีเอส (pH 7.4) เป็นอิเล็กโทรไลสำหรับการตรวจวัดไฟฟ้าทั้งหมด ขั้วไฟฟ้า Hg / Hg2SO4 ถูกวางไว้ในการแก้ปัญหาเป็นกลุ่มของอิเล็กโทรและใช้เป็นอิเล็กโทรหลอกอ้างอิง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วนเฟทเกทขั้วเพลินกับ 0.1 มิลลิเมตร PBS ( pH 7.4 ) เป็นอิเล็กโทรไลต์สำหรับการวัดไฟฟ้าทั้งหมด โดย HG / hg2so4 ขั้วอยู่ในสารละลายอิเล็กโทรไลต์ และเป็นกลุ่มที่ใช้เป็นขั้วไฟฟ้าอ้างอิงหลอก