We report the growth process of sil

We report the growth process of silica nanowires (NWs) grown by using a thick Au film as a catalyst,and
suggest an alternative vapor–liquid–solid mechanism for NW growth.The silica NWs were grown by
high-temperature annealing of silicon substrates coated with an Au film measuring either 20 nm or
60 nm thick in a N2 atmosphere. A number of Au particles were observed inside the NWs,unlike NWs
grown a single Au particle at their top.The results are attributed to the push-up growth of NWs by the
continuous formation of siliconoxide on the top and/or side surfaces rather than underneath of the
eutectic liquid Au–Si alloy suggested in the conventional vapor–liquid–solid process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เรารายงานขั้นตอนการเจริญเติบโตของเส้นลวดนาโนซิลิกา (NWS) ที่ปลูกโดยใช้ฟิล์ม Au
หนาเป็นตัวเร่งปฏิกิริยาและแนะนำกลไกทางเลือกไอของเหลวที่มั่นคงสำหรับการNW growth.The NWS
ซิลิกาปลูกโดยการอบที่อุณหภูมิสูงของพื้นผิวเคลือบซิลิกอนกับภาพยนตร์ Au วัดทั้ง 20 นาโนเมตรหรือ
60 นาโนเมตรหนาในบรรยากาศ N2 จำนวนของอนุภาค Au ถูกตั้งข้อสังเกตภายใน NWS ซึ่งแตกต่างจาก NWS
ปลูกอนุภาค Au เดียวที่ผล top.The ของพวกเขาจะมีการบันทึกการเจริญเติบโตของการผลักดันขึ้นของ NWS
โดยการพัฒนาอย่างต่อเนื่องของsiliconoxide ด้านบนและ / หรือพื้นผิวด้านข้างมากกว่า
ใต้ของของเหลวผสมยูเทคติกAu-Si ข้อเสนอแนะในกระบวนการไอของเหลวของแข็งธรรมดา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เรารายงานในกระบวนการเติบโตของซิลิกานาโน ( NWS ) ที่ปลูกโดยการใช้ฟิล์มหนา AU เป็นตัวเร่งปฏิกิริยา และเสนอแนะทางเลือก
ของแข็ง ของเหลว และไอน้ำและกลไกสำหรับการเจริญเติบโต NW . ซิลิกา NWS เติบโตโดยการหลอมของพื้นผิวเคลือบซิลิคอน
อุณหภูมิสูงด้วย AU ฟิล์มวัดทั้ง 20 nm หรือ
60 nm หนาใน บรรยากาศ 2 . จำนวนของอนุภาค หรือพบใน NWS แตกต่าง NWS
โตเดียวหรืออนุภาคที่ด้านบนของพวกเขา ผลลัพธ์ที่คาดว่าจะผลักดันการเติบโตของ NWS โดย
การพัฒนาอย่างต่อเนื่องของ siliconoxide ด้านบนและ / หรือด้านใต้พื้นผิวมากกว่า
เทคติกของเหลว– Si อัลลอยหรือเสนอแนะในปกติไอ ( ของแข็ง ของเหลว และกระบวนการ .