Our fabrication of ZnO nanostructur

Our fabrication of ZnO nanostructures was based on the thermal evaporation
process of Zn powder. The synthesis process was carried out in a horizontal quartz
tube inserted in a furnace. Catalyst free Si (1 1 1) plates were used as substrates,
which were ultrasonically cleaned in alcohol for 10 min previously. Zn powder and
O2 gas were employed as source materials. The temperature of the furnace was
raised to 973 K, the inset quartz tube with the Zn powder and Si (1 1 1) substrates
were loaded in. Then the quartz tube was enclosed and pumped. At the same time,
the mixture of O2 (99.99%, 5 sccm) and Ar (99.99%, 20 sccm) was introduced into the
system. During the whole growth process, the system was kept at the pressure of
10−2 Pa, and maintained for 1 h. After evaporation, the quartz tube was drawn out
from the furnace and cooled down to room temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราผลิตของ ZnO nanostructures แบบระเหยความร้อนกระบวนการของผง Zn กระบวนการสังเคราะห์ถูกดำเนินในควอตซ์แนวนอนหลอดใส่ในเตา ใช้เศษแผ่นศรี (1 1 1) ฟรีเป็นพื้นผิวซึ่งมี ultrasonically อำนวยความสะดวกในแอลกอฮอล์สำหรับ 10 นาทีก่อนหน้านี้ ผง Zn และก๊าซ O2 ถูกจ้างเป็นแหล่งวัสดุ อุณหภูมิในเตายก 973 K หลอดควอตซ์แทรก ด้วยผง Zn และพื้นผิวศรี (1 1 1)ได้โหลด หลอดควอตซ์ถูกล้อมรอบ และขุ่น ในเวลาเดียวกันส่วนผสมของ O2 (99.99%, 5 sccm) และ Ar (99.99%, 20 sccm) ถูกนำมาใช้ในการระบบ ในระหว่างกระบวนการเจริญเติบโตทั้งหมด ระบบถูกเก็บที่ความดันของ10−2 Pa และ 1 h การบำรุงรักษา หลังจากระเหย หลอดควอตซ์ถูกดึงออกจากเตา และเย็น ๆ ลงไปที่อุณหภูมิห้อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การผลิตของเราของโครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์อยู่บนพื้นฐานของความร้อนระเหยกระบวนการของผงสังกะสี
กระบวนการสังเคราะห์ได้ดำเนินการในแนวนอนควอทซ์หลอดใส่ไว้ในเตาเผา Catalyst ฟรีศรี (1 1 1)
แผ่นถูกนำมาใช้เป็นพื้นผิวที่ได้รับการทำความสะอาดultrasonically ในเครื่องดื่มแอลกอฮอล์เป็นเวลา 10 นาทีก่อนหน้านี้ ผงสังกะสีและก๊าซ O2 ได้รับการว่าจ้างให้เป็นแหล่งวัสดุ
อุณหภูมิของเตาเป็นยก 973 K, หลอดควอทซ์ที่ใส่เข้าไปด้วยผงสังกะสีและศรี (1 1 1) พื้นผิวที่ถูกโหลดใน. แล้วหลอดควอทซ์ล้อมรอบและสูบ ในเวลาเดียวกันที่มีส่วนผสมของ O2 นี้ (99.99% 5 SCCM) และเท่น (99.99% 20 SCCM) ถูกนำเข้ามาในระบบ ในระหว่างกระบวนการการเจริญเติบโตทั้งระบบที่ถูกเก็บไว้ที่ความดันของ10-2 ป่าและการบำรุงรักษาเป็นเวลา 1 ชั่วโมง หลังจากระเหยหลอดควอทซ์ที่ถูกดึงออกมาจากเตาเผาและเย็นลงที่อุณหภูมิห้อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การผลิตของนาโนซิงค์ออกไซด์ขึ้นอยู่กับความร้อนระเหย
กระบวนการโลหะผง กระบวนการสังเคราะห์ถูกหามออกในแนวนอนควอตซ์
หลอดใส่ในเตาหลอม ตัวเร่งปฏิกิริยาซี ฟรี ( 1 ) 1 จาน พบว่า พื้นผิว
ซึ่ง ultrasonically ทำความสะอาดในแอลกอฮอล์ 10 นาทีก่อนหน้านี้ สังกะสีผงและก๊าซ O2
นำมาเป็นวัสดุแหล่งที่มาอุณหภูมิของเตาหลอมคือ
ยก 973 K , ใส่ท่อควอทซ์กับสังกะสีผงและซิลิกอน ( 1 1 1 ) พื้นผิว
ถูกโหลดใน แล้วท่อควอทซ์ก็ปิดและสูบ ในเวลาเดียวกัน
ส่วนผสมของ O2 ( 99.99% , 5 sccm ) และ AR ( 99.99% , 20 sccm ) ใช้เป็น
ระบบ ในระหว่างขั้นตอนการเจริญเติบโตทั้งระบบที่ถูกเก็บไว้ที่ความดันของ
10 − 2 ป่าและรักษาเป็นเวลา 1 ชั่วโมงหลังจากการระเหย , ท่อควอทซ์ถูกดึงออกจากเตาและ
เย็นลงถึงอุณหภูมิห้อง