ZnO is a wide band gap (3.37 eV) se

ZnO is a wide band gap (3.37 eV) semiconductor with
a large exciton binding energy (60 meV) and an exciton Bohr
radius in the range of 1.4-3.5 nm.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ZnO เป็นสารกึ่งตัวนำช่องว่าง (3.37 eV) วงกว้างด้วยเป็นพลังงานรวม exciton ใหญ่ (60 meV) และ exciton การจำลองของบอร์รัศมีในช่วง 1.4-3.5 nm

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ZnO ช่องว่างวงกว้าง (3.37 EV) เซมิคอนดักเตอร์กับ
exciton ขนาดใหญ่ที่มีผลผูกพันพลังงาน (60 MeV) และ exciton Bohr
รัศมีในช่วง 1.4-3.5 นาโนเมตร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิงค์ออกไซด์คือ กว้างช่องว่างแถบ ( 3.37 EV ) ) กับขนาดใหญ่ exciton พลังงานยึดเหนี่ยว ( 60 MeV ) และ exciton โบร์รัศมีในช่วง 1.4-3.5 nm .