Abstract Fin-type field-effect tran

Abstract Fin-type field-effect transistors (FinFETs) are promising substitutes for
bulk CMOS at the nanoscale. FinFETs are double-gate devices. The two gates of a
FinFET can either be shorted for higher perfomance or independently controlled for
lower leakage or reduced transistor count. This gives rise to a rich design space.
This chapter provides an introduction to various interesting FinFET logic design
styles, novel circuit designs, and layout considerations.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แทนสัญญาที่เป็นนามธรรมหูชนิดฟิลด์–ผล transistors (FinFETs)จำนวนมาก CMOS ที่ nanoscale FinFETs เป็นอุปกรณ์สองประตู ประตูสองของการFinFET สามารถถูก shorted สำหรับประสิทธิภาพที่สูงขึ้น หรือควบคุมโดยอิสระสำหรับรั่วไหลต่ำหรือจำนวนของทรานซิสเตอร์ลดลง นี้ก่อให้เกิดช่องว่างรวยออกบทนี้แสดงบทนำตรรกะ FinFET ต่าง ๆ ที่น่าสนใจออกรูปแบบ ออกแบบวงจรนวนิยาย และพิจารณาเค้าโครง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อ Fin ชนิดทรานซิสเตอร์สนามผลกระทบ (FinFETs) มีแนวโน้มทดแทน
CMOS เป็นกลุ่มที่ระดับนาโน FinFETs เป็นอุปกรณ์สองประตู สองประตูของ
FinFET ทั้งสามารถ shorted สำหรับ perfomance สูงกว่าหรือควบคุมได้อย่างอิสระสำหรับ
การรั่วไหลที่ต่ำกว่าหรือนับทรานซิสเตอร์ลดลง นี้จะทำให้เกิดการออกแบบพื้นที่ที่อุดมไปด้วย.
บทนี้จะแนะนำให้รู้จักกับ FinFET ที่น่าสนใจต่างๆออกแบบตรรกะ
รูปแบบการออกแบบวงจรนวนิยายและการพิจารณารูปแบบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ครีบประเภทนามธรรม field-effect ทรานซิสเตอร์ ( finfets ) ทดแทนแน่นอน
เป็นกลุ่ม CMOS ที่ nanoscale . finfets เป็นอุปกรณ์ประตูคู่ สองประตูของ
finfet สามารถช๊อตสูงกว่าอยู่แล้วหรือเป็นอิสระควบคุม
รั่วลดลงหรือลดลงทรานซิสเตอร์นับ นี้ให้สูงขึ้นเพื่อการออกแบบพื้นที่ที่อุดมไปด้วย
บทนี้ให้ความรู้เบื้องต้นต่าง ๆที่น่าสนใจ finfet การออกแบบตรรกะ
ลักษณะ ออกแบบวงจรใหม่ และการพิจารณาเค้าโครง