According to the equation (2), the

According to the equation (2), the band gap decreases if temperature increases. Because of this, the short circuit
current of a solar cell generally increases with temperature due to the possibility of absorbing photons with lower
energies to create e-h pairs [7]. On the other hand, there is a reduction in built-in junction potential and hence in
Voc, and in efficiency, as the silicon band gap moves further away from the optimum of 1.35eV for a one sun
AM1.5G spectrum.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตามสมการ (2), ช่องว่างของวงลดลงถ้าอุณหภูมิเพิ่มขึ้น ด้วยเหตุนี้ ไฟฟ้าลัดวงจรปัจจุบันเซลล์แสงอาทิตย์โดยทั่วไปเพิ่มขึ้นกับอุณหภูมิเนื่องจากสามารถดูดซับแรงกระแทก photons ด้วยล่างพลังงานการสร้างคู่ e-h [7] บนมืออื่น ๆ มีลดศักยภาพเชื่อมต่อภายใน และดังนั้นในVoc และอย่างมีประสิทธิภาพ เป็นซิลิคอนช่องว่างของวงย้ายเพิ่มเติมไปจากมีประสิทธิภาพสูงสุดของ 1.35eV ในอาทิตย์หนึ่งAM1.5G สเปกตรัม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตามสมการที่ (2), ช่องว่างแถบจะลดลงถ้าอุณหภูมิสูงขึ้น ด้วยเหตุนี้การลัดวงจร
ปัจจุบันของเซลล์แสงอาทิตย์โดยทั่วไปเพิ่มขึ้นกับอุณหภูมิเนื่องจากเป็นไปได้ของการดูดซับโฟตอนล่างที่มี
พลังในการสร้างเอ๊ะคู่ [7] ในทางตรงกันข้ามมีการลดลงในตัวชุมทางที่มีศักยภาพและด้วยเหตุนี้ใน
Voc และประสิทธิภาพในการเป็นช่องว่างแถบซิลิคอนย้ายห่างไกลจากที่เหมาะสมของ 1.35eV สำหรับดวงอาทิตย์หนึ่ง
สเปกตรัม AM1.5G