In microfabrication, thermal oxidat

In microfabrication, thermal oxidation is a way to produce a thin layer of oxide (usually silicon dioxide) on the surface of a wafer. The technique forces an oxidizing agent to diffuse into the wafer at high temperature and react with it. The rate of oxide growth is often predicted by the Deal-Grove model. Thermal oxidation may be applied to different materials, but this article will only consider oxidation of silicon substrates to produce silicon dioxide.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใน microfabrication ออกซิเดชันความร้อนเป็นวิธีการผลิตบางชั้นของออกไซด์ (โดยปกติซิลิกอนไดออกไซด์) บนพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์เป็น เทคนิคการบังคับเป็นตัวเติมออกซิเจนกระจายเป็นแผ่นเวเฟอร์ที่อุณหภูมิสูง และตอบสนองกับ มักจะมีการคาดการณ์อัตราการเจริญเติบโตของออกไซด์ โดยรุ่นจัดการโกรฟ ออกซิเดชันความร้อนอาจใช้วัสดุที่แตกต่างกัน แต่บทความนี้จะพิจารณาการออกซิเดชันของพื้นผิวซิลิกอนผลิตซิลิคอนไดออกไซด์เท่านั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในชิ้นงานขนาดเล็กออกซิเดชันความร้อนเป็นวิธีที่จะผลิตเป็นชั้นบาง ๆ ของออกไซด์ (ปกติซิลิคอนไดออกไซด์) บนพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์ที่ เทคนิคการบังคับให้เป็นตัวแทนออกซิไดซ์ที่จะกระจายลงไปในแผ่นเวเฟอร์ที่อุณหภูมิสูงและตอบสนองกับมัน อัตราการเจริญเติบโตออกไซด์มีการคาดการณ์มักจะโดยรูปแบบการจัดการโกรฟ การเกิดออกซิเดชันด้วยความร้อนอาจจะนำไปใช้วัสดุที่แตกต่าง แต่บทความนี้จะพิจารณาการเกิดออกซิเดชันของสารตั้งต้นในการผลิตซิลิคอนซิลิคอนไดออกไซด์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการรองรับชิ้นงานขนาดเล็ก ความร้อนเป็นวิธีที่จะผลิตเป็นชั้นบาง ๆของออกไซด์ ( มักจะซิลิคอนไดออกไซด์ ) บนพื้นผิวของเวเฟอร์ เทคนิคบังคับเป็นตัวรับอิเล็กตรอน เพื่อกระจายสู่แผ่นเวเฟอร์ที่อุณหภูมิสูงและตอบสนองกับมัน อัตราการเจริญเติบโตของออกไซด์มักทำนายโดยจัดการป่าแบบ ความร้อนปฏิกิริยาอาจจะใช้วัสดุที่แตกต่างกันแต่บทความนี้จะพิจารณาชนิดของวัสดุในการผลิตซิลิคอนซิลิคอนไดออกไซด์