I. INTRODUCTION In most of practica

I. INTRODUCTION

In most of practical applications of power electronics losses caused by diode’s turn – off process forms significant part of total losses of power semiconductor system. The goal of every power semiconductor system design is approach to the highest efficiency with respect to maximum output power. However, different practical applications are requiring utilization of different circuit topology, in which projection and selection of proper components are performing the most important challenge at gaining of optimal power. Almost all Switched – Mode Power Supplies (SMPS) are nowadays being developed in cooperation with a power factor correction (PFC) input


stage in order to meet the international regulatory standards for harmonic content[1].

Together with the development in the field of switched model power supplies, the practical use of resonant topologies is being more and more significant. Current tendencies are characterized by continuous increase of efficiency (reducing switching losses) and increase of power density (decreasing volume). The LLC resonant converter is nowadays a very popular solution for most of consumer and/or industrial applications.

Altogether with previous description the performance in dependency on cost is almost very important and mostly limiting factor for innovative practical designs. Due to that, we have provided research of dynamic properties of most perspective diode structures which are nowadays available for practical use in PFC and LLC converter circuits.

In the first part of this paper, the description of SiC and Qspeed structures is made. After that, the investigation of dynamic properties of selected diode in dependency on various circuit parameter in hard switching mode is being shown. Finally utilization of selected diodes in proposed PFC and LLC converter is made, whereby influence of diode on the efficiency of converter was discovered

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผมแนะนำ

ในส่วนของการใช้งานจริงของอิเล็กทรอนิกส์ความสูญเสียอันเนื่องมาจากไดโอดเปิด–ปิดกระบวนการรูปแบบสำคัญส่วนหนึ่งของการสูญเสียโดยรวมของระบบสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า เป้าหมายของทุกการออกแบบระบบสารกึ่งตัวนำไฟฟ้าเป็นวิธีมีประสิทธิภาพสูงสุด ส่วนพลังงานสูงสุด อย่างไรก็ตามการปฏิบัติงานต่าง ๆ จะต้องใช้วงจรแบบต่างๆซึ่งในการฉายและการเลือกองค์ประกอบที่เหมาะสมจะแสดง ความท้าทายที่สำคัญที่สุดในการดึงดูดของพลังงานที่เหมาะสม เกือบทั้งหมด เปลี่ยนโหมด - อุปกรณ์ไฟฟ้า ( SMPS ) ในปัจจุบันได้รับการพัฒนาในความร่วมมือกับปัจจัยอำนาจแก้ไข ( PFC ) ใส่


ขั้นตอนเพื่อตอบสนองระหว่างประเทศ กฎระเบียบมาตรฐานสำหรับเนื้อหาที่ประสานกัน [ 1 ] .

พร้อมกับการพัฒนาในด้านการเปลี่ยนอุปกรณ์ไฟฟ้าแบบ , ใช้เป็นประโยชน์ของโครงสร้างเรโซแนนซ์เป็นมากขึ้นและที่สำคัญมากขึ้น ปัจจุบันแนวโน้มมีการเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่องของประสิทธิภาพ ( ลดขาดทุนสลับ ) และเพิ่มความหนาแน่นพลังงาน ( ลดเสียง )โดย LLC เรโซแนนซ์เป็นปัจจุบันที่นิยมมากที่สุดของโซลูชั่นสำหรับผู้บริโภคและ / หรืออุตสาหกรรม .

ทั้งหมดที่มีรายละเอียดก่อนหน้านี้การแสดงในการพึ่งพาทุนเกือบจะสำคัญมาก และส่วนใหญ่เป็นปัจจัยจำกัดการออกแบบในทางปฏิบัตินวัตกรรม เนื่องจากว่าเราได้ให้ศึกษาคุณสมบัติเชิงพลศาสตร์ของโครงสร้างที่เป็นปัจจุบันที่สุด มุมมอง ไดโอดสามารถใช้ได้สำหรับการใช้งานจริงใน PFC และวงจรแปลง LLC .

ในส่วนแรกของบทความนี้ การอธิบาย และ qspeed SIC โครงสร้างทำ หลังจากนั้นการศึกษาคุณสมบัติเชิงพลศาสตร์ของไดโอดในการเลือกพารามิเตอร์วงจรต่างๆในการสลับโหมด Hard จะถูกแสดง ในที่สุด การเสนอและเลือกไดโอดใน PFC สำหรับแปลงเกิดขึ้นโดยอิทธิพลของไดโอดต่อประสิทธิภาพของแปลงค้นพบ