Aiming for the existing problems of

Aiming for the existing problems of higher
frequency and also the surface sacrificial technology
which is widely adopted, this paper proposes a sensor
structure based on silicon-silicon bonding technology
without a discrete upper metal electrode depositing
on the integrated membrane. The simulation analysis
of the designed transducer is conducted by ANSYS
software, and the processed transducer is tested by
Polytec MSA-400.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป้าหมายสำหรับปัญหาที่มีอยู่ของสูงความถี่ และเทคโนโลยีผิวบูชาที่มีแพร่หลายนำ กระดาษนี้เสนอเซนเซอร์โครงสร้างตามเทคโนโลยีซิลิคอนซิลิคอนยึดโดยอิเล็กโทรดโลหะด้านบนแยกกันฝากบนเมมเบรนรวม การวิเคราะห์การจำลองของพิกัดออกแบบการผลิต โดย ANSYSมีทดสอบซอฟต์แวร์ และพิกัดที่ประมวลผลโดยPolytec MSA-400

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เล็งสำหรับปัญหาที่มีอยู่ของสูง
ความถี่และยังพื้นผิวเทคโนโลยีการเสียสละ
ซึ่งถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในบทความนี้เสนอเซ็นเซอร์
โครงสร้างพื้นฐานของเทคโนโลยีพันธะซิลิคอนซิลิคอน
โดยไม่มีขั้วโลหะบนฝากเนื่อง
ในเมมเบรนแบบบูรณาการ การวิเคราะห์แบบจำลอง
ของตัวแปลงสัญญาณได้รับการออกแบบที่มีการดำเนินการโดย ANSYS
ซอฟต์แวร์และแปลงสัญญาณการประมวลผลได้รับการทดสอบโดย
Polytec MSA-400

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มีปัญหาเดิมของความถี่และพื้นผิวที่สูง

a เทคโนโลยีซึ่งเป็นอย่างกว้างขวางใช้ กระดาษนี้นำเสนอเซ็นเซอร์
โครงสร้างตามซิลิคอนซิลิคอนเชื่อมเทคโนโลยี
โดยไม่แบ่งแยกขั้วโลหะบนฝาก
บนแบบเยื่อแผ่น การวิเคราะห์แบบจำลอง
ของการออกแบบตัวแปลงสัญญาณจะดำเนินการโดยซอฟต์แวร์ ANSYS
,และการประมวลผลทรานสดิวเซอร์ถูกทดสอบด้วย
polytec msa-400 .