3. Results and discussionThe surfac

3. Results and discussion
The surface morphologies of Si-NPA and SiC/Si-NPA measured
by FE-SEM are presented in Fig. 1. Si-NPA can be described as
a regular array composed of large quantities of well-separated,
quasi-identical silicon pillars from Fig. 1(a). The inset image is a
high resolution cross-section photograph of an individual Si pillar.
Fig. 1(b) shows the surface morphology of SiC/Si-NPA. It is easy
to find that SiC/Si-NPA inherited the morphological feature of Si-
NPA, i.e., the uniformly distributed pillar array perpendicular to the
sample surface. Judged from the image with higher magnification
times (the inset image) and a cross-section FE-SEM image offered
in a previous work [17], it is determined that the SiC nanocrystals
grown during the carbonization process aggregated together and
formed a continuous film covering all over the surface of Si-NPA,
either the pillar surfaces or the valleys around the pillars.
XRD pattern and Raman shifts for SiC/Si-NPA are presented in
Fig. 2. The peaks locating at 35.5◦, 60.3◦ and 71.8◦ in XRD pattern
are indexed to the diffractions from the (1 1 1), (2 2 0) and (3 1 1)
crystal planes of cubic SiC, respectively. The reflections locating
at 28.1◦ and 47.2◦ are caused by the (1 1 1) and (2 2 0) crystal
planes of Si-NPA. According to Scherrer’s formula, the average
grain size of the crystalline 3C–SiC is calculated to be 15.4 nm.
Raman shifts for SiC/Si-NPA in Fig. 2(b) show two broad bands
centered at ∼796 cm−1 and ∼974 cm−1 which are corresponded
Fig. 2.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3. ผลลัพธ์ และสนทนาวัด morphologies ผิวศรี NPA และ SiC ศรี-NPAโดย FE SEM จะแสดงใน Fig. 1 ศรี-NPA สามารถอธิบายเป็นเรย์ปกติประกอบด้วยจำนวนมากของห้องแยกหลักการเหมือนกึ่งซิลิคอนจาก Fig. 1(a) แทรกรูปภาพเป็นความละเอียดสูงภาพถ่ายระหว่างส่วนของหลักการในแต่ละFig. 1(b) แสดงสัณฐานวิทยาผิวของ SiC ศรี-NPA มันเป็นเรื่องง่ายหาว่า SiC ศรี-NPA สืบทอดคุณลักษณะของศรี-NPA เช่น เสากระจายสม่ำเสมอเมื่อเทียบเคียงแถวตั้งฉากการพื้นผิวตัวอย่าง ตัดสินจากรูปภาพที่มีอัตราขยายสูงเวลา (รูปแทรก) และรูป FE SEM ระหว่างส่วนในการทำงานก่อนหน้านี้ [17], มันจะถูกกำหนดที่ SiC nanocrystalsเติบโตขึ้นในระหว่างกระบวนการ carbonization รวมกัน และเกิดฟิล์มอย่างต่อเนื่องครอบคลุมทั่วพื้นผิวของซี-NPAพื้นผิวของเสาหรือหุบเขารอบ ๆ หลักรูปแบบ XRD และรามันกะ SiC ศรี-NPA สำหรับนำเสนอในFig. 2 แห่งการค้นหาที่ 35.5◦, 60.3◦ และ 71.8◦ ในรูปแบบ XRDดัชนีการ diffractions จาก (1 1 1), (2 2 0) และ (3 1 1)คริสตัลบินของลูกบาศก์ SiC ตามลำดับ สะท้อนการค้นหาที่ 28.1◦ และ 47.2◦ เกิดจากการ (1 1 1) และ (2 2 0) คริสตัลเครื่องบินของ NPA ศรี ตามสูตรของ Scherrer ค่าเฉลี่ยเมล็ดขนาดของ 3C – SiC ผลึกจะคำนวณได้เท่ากับ 15.4 nmรามันกะสำหรับ SiC ศรี-NPA ใน Fig. 2(b) ดูสองนอก∼796 cm−1 และ cm−1 ∼974 ซึ่งมี correspondedFig. 2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3. ผลการอภิปรายและ
รูปร่างลักษณะของพื้นผิว Si-NPA และ SiC / Si-NPA วัด
โดย FE-SEM ถูกนำเสนอในรูป 1. Si-NPA สามารถอธิบายเป็น
อาร์เรย์ปกติประกอบด้วยปริมาณมากของดีแยก
กึ่งเหมือนเสาซิลิคอนจากรูป 1 (ก) สิ่งที่ใส่เข้าไปเป็นภาพ
ความละเอียดสูงภาพตัดขวางของเสาแต่ละศรี.
รูป 1 (ข) แสดงให้เห็นถึงลักษณะพื้นผิวของ SiC / Si-NPA มันเป็นเรื่องง่าย
ที่จะพบว่า SiC / Si-NPA สืบทอดคุณลักษณะทางสัณฐานวิทยาของ Si-
NPA คืออาร์เรย์เสากระจายกันตั้งฉากกับ
พื้นผิวของตัวอย่าง ตัดสินจากภาพที่มีกำลังขยายสูงขึ้น
ครั้ง (ภาพภาพประกอบ) และตัดภาพ FE-SEM นำเสนอ
ในการทำงานก่อนหน้า [17], มันจะถูกกำหนดว่า SiC นาโนคริสตัล
เติบโตขึ้นในระหว่างกระบวนการคาร์บอนรวมเข้าด้วยกันและ
เกิดขึ้นอย่างต่อเนื่องเป็นภาพยนตร์ ครอบคลุมทั่วพื้นผิวของ Si-NPA,
ทั้งพื้นผิวที่เสาหรือหุบเขาที่อยู่รอบ ๆ เสา.
รูปแบบ XRD และกะรามันสำหรับ SiC / Si-NPA ถูกนำเสนอใน
รูป 2. ตำแหน่งที่ยอด35.5◦, 60.3◦และ71.8◦ในรูปแบบ XRD
มีการจัดทำดัชนี diffractions จาก (1 1 1), (2 2 0) และ (3 1 1)
เครื่องบินผลึกลูกบาศก์ดังนี้ตามลำดับ สะท้อนตำแหน่ง
ที่28.1◦และ47.2◦ที่เกิดจาก (1 1 1) และ (2 2 0) คริสตัล
ระนาบของ Si-NPA ตามสูตร Scherrer ของค่าเฉลี่ยของ
ขนาดเม็ดผลึก 3C-SiC จะคำนวณให้เป็น 15.4 นาโนเมตร.
กะรามันสำหรับ SiC / Si-NPA ในรูป 2 (ข) แสดงสองวงกว้าง
ศูนย์กลางที่ ~796 ซม-1 และ ~974 ซม-1 ซึ่งจะตรง
รูป 2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3 . ผลและการอภิปราย
ลักษณะพื้นผิวของจังหวัดและจังหวัดแนว SIC / NPA วัด
โดย fe-sem แสดงในรูปที่ 1 ศรี NPA สามารถอธิบายเป็น
ปกติเรย์ประกอบด้วยปริมาณมากก็แยก
กึ่งเสาซิลิคอนเหมือนจากรูปที่ 1 ( a ) รูปที่ใส่เป็นรูปที่มีความละเอียดสูงขนาด

รูปเสา ซี ของแต่ละบุคคล1 ( b ) แสดงลักษณะพื้นผิวของ SIC / ศรี NPA มันง่ายที่จะพบว่า SIC
/ SI เข้ามาสืบทอดลักษณะ คุณสมบัติ ของ ชิ -
แนว เช่น เสากระจายอย่างสม่ำเสมอเรย์ตั้งฉากกับ
ผิวตัวอย่าง ตัดสินจากภาพระดับขยาย
ครั้ง ( ภาพที่ใส่เข้าไป ) และตัดภาพใน fe-sem เสนอ
[ 17 ] งานก่อนหน้านี้ก็ระบุว่า SIC nanocrystals
ที่ปลูกในระหว่างกระบวนการการรวมด้วยกัน
รูปแบบที่ต่อเนื่องฟิล์มครอบคลุมทั่วพื้นผิวของศรีทรัพย์สิน NPA
ให้เสาพื้นผิวหรือหุบเขารอบเสา
XRD รูปแบบและรามันกะสำหรับ SIC / ศรี NPA นำเสนอ
รูปที่ 2 ยอดตั้งอยู่ที่ 35.5 ◦ 60.3 , ◦และ 71.8 ◦ในรูปแบบ XRD เป็นดัชนีให้
diffractions จาก ( 1 , 1 ) , ( 2 ) 0 ( 2 ) 3 1 1 )
ระนาบผลึกลูกบาศก์ SIC ตามลำดับ สะท้อนซึม
ที่ 28.1% และ◦ 47.2 ◦เกิดจาก ( 1 , 1 ) และ ( 2 2 0 ) คริสตัล
เครื่องบินของศรี NPA ตามสูตรของเชเรอร์ , ขนาดเกรนเฉลี่ย
และ 3C ผลึก SiC คำนวณเป็น 15.4 nm .
รามันกะสำหรับ SIC / ศรี NPA ในรูปที่ 2 ( ข ) ให้กว้างๆ ได้ 2 วง
ศูนย์กลางที่∼ 796 cm − 1 และ∼ 974 cm − 1 ซึ่งสอดคล้อง
รูปที่ 2