1. IntroductionAmorphous silicon ge

1. Introduction
Amorphous silicon germanium (a-SiGe) alloys have widely been
used as the absorption layer of the middle or/and bottom cells in
multi-junction thin film solar cells. Their optical band gap (Eg) shifts
to lower energies with increasing germanium content, which aims
to make a suitable and narrow band gap a-SiGe material of the solar
cells to enhance the light absorption in the long wavelength region
[1e4]. However, the increase of Ge content usually results in the
deteriorating of the performance of a-SiGe thin films and thus leads
to a low solar cell conversion efficiency [5].
Many groups investigated the a-SiGe materials and solar cells on
the optimization of materials performance and solar cell band gap
structure [6e9]. The spectral response at long wavelength of a-SiGe
solar cells is improved by exponential band gap design of intrinsic
layers (i-layers). The quantum efficiency (QE) of cell prepared by Liu
is broadened to 900 nm. The QE reaches about 20% at 800 nm
wavelength [3]. The advantage of i-layer band gap shape was
analyzed by space charged defect density and the electric field

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทนำโลหะผสมเจอร์เมเนียม (มี SiGe) ซิลิโคนไปได้อย่างกว้างขวางใช้เป็นชั้นดูดซับของกลาง หรือ / และด้านล่างเซลล์เซลล์แสงอาทิตย์ฟิล์มบางแยกหลาย เลื่อนช่องว่างของวงออปติคอล (Eg)ให้พลังงานต่ำด้วยเจอร์เมเนียมมากขึ้น ซึ่งมีวัตถุประสงค์เพื่อให้วัสดุมี SiGe ช่องว่างวงเหมาะ และแคบของการพลังงานแสงอาทิตย์เซลล์เพื่อเพิ่มการดูดซึมแสงในความยาวคลื่นยาว[1e4] . อย่างไรก็ตาม การเพิ่มขึ้นของ Ge เนื้อหามักจะผลในการเสื่อมประสิทธิภาพการทำงานของฟิล์มบางมี SiGe และลูกค้าเป้าหมายการที่เซลล์แสงอาทิตย์ต่ำประสิทธิภาพการแปลง [5]กลุ่มจำนวนตรวจสอบวัสดุที่ SiGe และเซลล์แสงอาทิตย์บนการเพิ่มประสิทธิภาพของวัสดุประสิทธิภาพและเซลล์แสงอาทิตย์วงช่องว่างโครงสร้าง [6e9] การตอบสนองของสเปกตรัมที่ความยาวคลื่นยาวที่ SiGeเซลล์แสงอาทิตย์จะดีขึ้น โดยออกแบบช่องว่างแถบเนนของลักษณะชั้น (ฉันชั้น) ประสิทธิภาพควอนตัม (QE) ของเซลล์โดยหลิวขยายการ 900 nm QE ถึง 20% ที่ 800 nmคลื่น [3] มีประโยชน์ของผมเลเยอร์วงช่องว่างรูปร่างวิเคราะห์ โดยพื้นที่ที่มีค่าสนามไฟฟ้าและความหนาแน่นของข้อบกพร่อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

1. บทนำ
Amorphous Silicon เจอร์เมเนียม (a-SiGe) ผสมได้รับการยอมรับอย่างกว้างขวาง
ใช้เป็นชั้นดูดซึมของเซลล์กลางและ / หรือด้านล่างใน
หลายทางแยกเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบาง ช่องว่างแถบแสง (เช่น) กะ
จะลดพลังงานที่มีเนื้อหาเจอร์เมเนียมเพิ่มขึ้นซึ่งมีจุดมุ่งหมาย
เพื่อให้เหมาะสมและแคบวงช่องว่าง-SiGe วัสดุของแสงอาทิตย์
เซลล์เพื่อเพิ่มการดูดซึมแสงในช่วงความยาวคลื่นที่ยาว
[1e4] อย่างไรก็ตามการเพิ่มขึ้นของจีอีมักจะส่งผลใน
การเสื่อมสภาพของประสิทธิภาพการทำงานของฟิล์มบาง A-SiGe และจึงนำ
ไปสู่ประสิทธิภาพการแปลงเซลล์แสงอาทิตย์ต่ำ [5].
หลายกลุ่มตรวจสอบวัสดุที่ A-SiGe และเซลล์แสงอาทิตย์บน
การเพิ่มประสิทธิภาพของ ประสิทธิภาพของวัสดุและช่องว่างเซลล์แสงอาทิตย์วง
โครงสร้าง [6e9] การตอบสนองที่ความยาวคลื่นสเปกตรัมยาวของ-SiGe
เซลล์แสงอาทิตย์จะดีขึ้นโดยการออกแบบช่องว่างแถบชี้แจงของภายใน
ชั้น (I-ชั้น) ประสิทธิภาพควอนตัม (QE) ของเซลล์ที่จัดทำโดยหลิว
เป็นวงกว้างถึง 900 นาโนเมตร QE ถึงประมาณ 20% ที่ 800 นาโนเมตร
ความยาวคลื่น [3] ข้อได้เปรียบของผมชั้นรูปร่างวงช่องว่างถูก
วิเคราะห์โดยคิดค่าบริการพื้นที่ความหนาแน่นของข้อบกพร่องและสนามไฟฟ้า