For electrical measurements (see be

For electrical measurements (see below), semi-insulating 6H–SiC(0001) was used. Before graphene epitaxy, the samples were etched in hydrogen (grade 5.0, p=1bar,T=1,550◦C,t=15min)to remove surface polishing damage.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีใช้ 6H–SiC(0001) กึ่งฉนวนสำหรับวัดไฟฟ้า (ดูด้านล่าง), ก่อน graphene epitaxy ตัวอย่างถูกฝังในไฮโดรเจน (เกรด 5.0, p = 1bar, T = 1, 550◦C, t = 15 นาที) เอาเสียขัดผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับการตรวจวัดไฟฟ้า (ดูด้านล่าง) กึ่งฉนวน 6H-SiC (0001) ถูกนำมาใช้ ก่อนที่กราฟีน epitaxy ตัวอย่างที่ถูกฝังในไฮโดรเจน (เกรด 5.0, p = 1bar, T = 1,550◦C, t = 15 นาที) เพื่อเอา​​ความเสียหายขัดผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับการวัดไฟฟ้า ( ดูด้านล่าง ) , กึ่งฉนวน 6H - SIC ( 0001 ) คือใช้ ก่อนที่จะสร้างกราฟีน ตัวอย่าง ( ฝังลงในไฮโดรเจน ( เกรด 5.0 , p = 1bar , t = 1550 ◦ C , t = 15 นาที ) เพื่อเอาความเสียหายที่ขัดผิว