The SiH3 radical is generally consi

The SiH3 radical is generally considered to be the dominant radical in a-Si:H growth [78, 79]. Since most of the growing substrate is terminated by hydrogen [80], the SiH3 radical does not readily bond to the growing film but diffuses over the surface until it encounters a dangling bond. By bonding to the dangling bond, the SiH3 radical contributes to the growth. Bonding of the SiH3 to the growing surface requires available dangling bonds, which are created when hydrogen is removed from the surface. Hydrogen can be removed by thermal excitation or by abstraction by a SiH3 radical, in which a dangling bond and a SiH4 molecule are formed [78]. Though other radicals contribute much less to the growth, they do play an important role in determining the properties of the film. The SiH2 and higher silane radicals have higher sticking coefficients than SiH3 and can be incorporated directly into the hydrogen terminated surface [26]. However, the contribution of these radicals to the growth results in poor quality films, and therefore the presence of these radicals in the plasma should be avoided. Ions have been estimated to be able to contribute 10 % to the growth of a-Si:H [81].

Concluding, the deposition process is a complex phenomenon of gas and surface reactions that are controlled by deposition parameters such as the gas composition, flows and pres­sure, the power density and frequency, the substrate temperature, the electrode geometry, etc. The textbook by Luft and Tsuo discusses in detail the deposition conditions of hydrogenated amorphous silicon alloys [82]. Additional information is to be found in reference [79]. Typi­cal deposition parameters to obtain uniform films of device quality a-Si:H in a laboratory rf PECVD deposition system are: silane flow 20-50 sccm1, process pressure 0.5-0.7 mbar, sub­strate temperature 200-250 °C, rf power density 20-50 mW cm-2, electrode distance 1-3 cm. A typical deposition rate is 1-2 A s-1. One can easily calculate that using these conventional [23] conditions, depositing a 300 nm thick a-Si:H absorber layer in a solar cell takes from 25 to 50 minutes. For high volume mass production this is too long, and a deposition rate of 10-20 A/s is required. Considerable research is therefore being devoted to increasing the deposition rate of a-Si:H without deteriorating the material quality.

The central parameter governing the deposition rate is the power absorbed by the plasma. Higher power results in a higher electron density and electron temperature in the plasma [79], which facilitates the dissociation of SiH4 molecules. The resulting higher concentrations of SiH3 and other radicals contribute to a higher deposition rate. However, increasing power leads to deposition conditions which favor the generation of higher silane radicals and eventually powder formation. These deposition conditions result in films with an inferior quality charac­terized by an increased concentration of H and SiH2 bonds in the film [83]. In order to facilitate the formation of a compact Si network under high deposition rate conditions, the suppression of formation of SiH2 bonds is desired [84]. This can be achieved by lowering the electron temperature in the plasma and/or by increasing the deposition temperature. A lower electron temperature in the plasma can be achieved by using a higher plasma excitation frequency. A high deposition temperature of up to 350 °C is required at high deposition rates to promote the diffusion of higher silanes onto and the elimination of hydrogen from the growing surface. However, such a high deposition temperature for absorber layers causes thermal damage to the underlying layers in solar cells [75].

Suppression of higher silane radicals and short lifetime radicals in the gas phase at a high deposition rate has become a general approach for depositing a-Si:H with sufficient material quality. In order to achieve higher deposition rates, two approaches have been taken. In the first, the operating conditions of the PECVD technique were further investigated, which resulted in a high pressure high power rf PECVD [85], a PECVD with very high plasma excitation frequency (vhf) [86], and microwave PECVD [87]. The second approach has concentrated on the investigation and development of novel deposition techniques, such as the hot wire CVD (HWCVD) technique, known also as catalytic CVD [88] and the expanding thermal plasma CVD (ETPCVD) technique [89].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อนุมูล SiH3 โดยทั่วไปถือว่าเป็นการรุนแรงในที่โดดเด่น-Si:H เติบโต [78, 79] เนื่องจากส่วนใหญ่ของพื้นผิวเติบโตถูกยกเลิก โดยไฮโดรเจน [80], SiH3 รุนแรงไม่ผูกพันพร้อมกับฟิล์มเติบโต แต่ชิ้นบนพื้นผิวจนพบพันธบัตรห้อย โดยพันธะเพื่อห้อย SiH3 รุนแรงก่อให้เกิดการเจริญเติบโต พันธะของ SiH3 ผิวเติบโตต้องการพันธบัตรห้อยอยู่ ซึ่งสร้างขึ้นเมื่อไฮโดรเจนจะถูกเอาออกจากพื้นผิว ไฮโดรเจนสามารถถูกเอาออก โดยการกระตุ้นความร้อน หรือนามธรรมโดย SiH3 ที่รุนแรง การที่พันธบัตรห้อยและ SiH4 โมเลกุลจะเกิดขึ้น [78] แม้อนุมูลอื่น ๆ มีส่วนร่วมน้อยมากในการเจริญเติบโต พวกเขาเล่นบทบาทสำคัญในการกำหนดคุณสมบัติของฟิล์ม SiH2 และอนุมูลไซเลนสูงมีสัมประสิทธิ์การยึดติดสูงกว่า SiH3 และสามารถติดตั้งโดยตรงในพื้นผิวไฮโดรเจนยกเลิก [26] อย่างไรก็ตาม ผลงานของอนุมูลเหล่านี้ให้ผลการเจริญเติบโตในภาพยนตร์คุณภาพที่ไม่ดี และดังนั้นการปรากฏตัวของอนุมูลเหล่านี้ในพลาสม่าควรหลีกเลี่ยง ไอออนมีการประมาณเพื่อให้สามารถมีส่วนร่วม 10% การเติบโตของการ-Si:H [81]สรุป กระบวนการสะสมเป็นปรากฏการณ์ซับซ้อนของปฏิกิริยาก๊าซและพื้นผิวซึ่งควบคุม โดยพารามิเตอร์สะสมเช่นองค์ประกอบก๊าซ กระแส และแรงดัน ความหนาแน่นของพลังงาน และความถี่ อุณหภูมิพื้นผิว อิเล็กโทรดเรขาคณิต ฯลฯ ตำราเรียน โดยลัฟท์และ Tsuo กล่าวถึงในรายละเอียดเงื่อนไขสะสมของไฮโดรเจนฟัสซิลิคอนโลหะผสม [82] ข้อมูลเพิ่มเติมจะพบได้ในเรท [79] พารามิเตอร์ทั่วไปสะสมเพื่อขอรับฟิล์มชุดอุปกรณ์คุณภาพ-Si:H ในห้องปฏิบัติการ rf PECVD ระบบสะสม: ไซเลนไหล 20-50 sccm1 กระบวนการความดัน 0.5-0.7 mbar พื้นผิวอุณหภูมิ 200-250 ° C, rf พลังงานความหนาแน่น 20-50 mW ซม.-2 ไฟฟ้าใกล้ 1-3 ซม. อัตราทั่วไปสะสมเป็นรายการ s-1 1-2 A หนึ่งสามารถคำนวณได้ง่าย ๆ ที่ใช้ทั่วไป [23] เงื่อนไข ฝากเป็น 300 นาโนเมตรหนา-ชั้นดูดซับ Si:H ในเซลล์แสงอาทิตย์ใช้เวลาจาก 25 นาที สำหรับการผลิตปริมาณสูง เป็นเวลานานเกินไป และมีอัตราการสะสมของ a/s 10-20 ที่จำเป็น วิจัยมากดังนั้นการทุ่มเทเพื่อเพิ่มอัตราการสะสมตัว-Si:H โดยไม่เสื่อมคุณภาพวัสดุพารามิเตอร์ศูนย์กลางควบคุมอัตราการสะสมคือ พลังดูดซึม โดยพลาสม่า พลังงานสูงผลในความหนาแน่นของอิเล็กตรอนที่สูงขึ้นและอุณหภูมิอิเล็กตรอนในพลาสม่า [79], ที่ dissociation SiH4 โมเลกุลของ ความเข้มข้นสูงเป็นผลลัพธ์ของ SiH3 และอนุมูลอื่น ๆ นำไปสู่อัตราสะสมสูงขึ้น อย่างไรก็ตาม เพิ่มพลังงานนำไปสู่เงื่อนไขของสะสมที่ชอบการสร้างอนุมูลไซเลนที่สูงขึ้น และในที่สุดฝุ่นก่อตัว เงื่อนไขสะสมเหล่านี้ส่งผลในภาพยนตร์ ด้วยคุณภาพด้อยกว่าโดยเพิ่มความเข้มข้นของ H และ SiH2 พันธบัตรในภาพยนตร์ [83] เพื่อดำเนินการจัดตั้งเครือข่ายศรีกะทัดรัดภายใต้เงื่อนไขอัตราสะสมสูง ปราบปรามการก่อตัวของพันธะ SiH2 เป็นที่ต้องการ [84] นี้สามารถทำได้ โดยการลดอุณหภูมิอิเล็กตรอนในพลาสม่า หรือ โดยการเพิ่มอุณหภูมิสะสม อุณหภูมิอิเล็กตรอนต่ำในพลาสม่าสามารถทำได้ โดยใช้ความถี่ไฟฟ้าพลาสมาสูงขึ้น อุณหภูมิสะสมสูงถึง 350 ° C ถูกต้องอัตราสะสมสูงเพื่อส่งเสริมการแพร่ของไซเลนสูงลงและกำจัดไฮโดรเจนจากผิวเจริญเติบโต อย่างไรก็ตาม ดังกล่าวมีอุณหภูมิสะสมสูงชั้นดูดซับทำให้เกิดความเสียหายต่อความร้อนที่ชั้นในเซลล์แสงอาทิตย์ [75]ปราบปรามของอนุมูลไซเลนสูงและอายุการใช้งานสั้นอนุมูลในเฟสก๊าซในอัตราสูงสะสมได้กลายเป็น แนวทางทั่วไปฝาก-Si:H กับคุณภาพวัสดุที่เพียงพอ เพื่อให้บรรลุอัตราสะสมสูง นารีได้รับการถ่าย ในครั้งแรก เงื่อนไขการปฏิบัติของเทคนิค PECVD ถูกตรวจเพิ่มเติม ซึ่งส่งผลให้ความดันสูงสูงพลังงาน rf PECVD [85], PECVD กับความถี่กระตุ้นพลาสม่าสูงมาก (vhf) [86], และไมโครเวฟ PECVD [87] วิธีสองมีความเข้มข้นในการสืบสวนและพัฒนาเทคนิคสะสมนวนิยาย เช่นลวดร้อนเทคนิค CVD (HWCVD) ยังเป็นตัวเร่งปฏิกิริยา CVD [88] และพลาสม่าความร้อนขยายเทคนิค CVD (ETPCVD) [89]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

SiH3 รุนแรงโดยทั่วไปถือว่าเป็นคนที่โดดเด่นที่รุนแรงในที่ศรี: การเจริญเติบโต H [78, 79] เนื่องจากส่วนใหญ่ของสารตั้งต้นในการเจริญเติบโตถูกยกเลิกโดยไฮโดรเจน [80] ที่ SiH3 รุนแรงไม่พร้อมพันธบัตรภาพยนตร์การเจริญเติบโต แต่กระจายทั่วพื้นผิวจนกว่าจะพบพันธบัตรห้อยต่องแต่ง โดยเชื่อมกับพันธบัตรห้อยที่ SiH3 ก่อรุนแรงเพื่อการเจริญเติบโต พันธะของ SiH3 กับพื้นผิวการเจริญเติบโตต้องพันธบัตรห้อยอยู่ซึ่งถูกสร้างขึ้นเมื่อไฮโดรเจนจะถูกลบออกจากพื้นผิว ไฮโดรเจนสามารถลบออกได้โดยการกระตุ้นความร้อนหรือนามธรรมโดย SiH3 รุนแรงซึ่งในพันธบัตรห้อยและโมเลกุล SiH4 จะเกิดขึ้น [78] แม้ว่าอนุมูลอื่น ๆ ที่มีส่วนร่วมน้อยมากต่อการเจริญเติบโตที่พวกเขามีบทบาทสำคัญในการกำหนดคุณสมบัติของภาพยนตร์เรื่องนี้ SiH2 และอนุมูลไซเลนที่สูงขึ้นมีค่าสัมประสิทธิ์ติดสูงกว่า SiH3 และสามารถรวมโดยตรงเข้าไปในพื้นผิวไฮโดรเจนยกเลิก [26] อย่างไรก็ตามผลงานของอนุมูลเหล่านี้เพื่อการเจริญเติบโตของผลในภาพยนตร์ที่มีคุณภาพดีและดังนั้นจึงปรากฏตัวของอนุมูลเหล่านี้ในพลาสม่าที่ควรหลีกเลี่ยง ไอออนได้รับการคาดว่าจะสามารถมีส่วนร่วม 10% การเติบโตของ A-ศรี: h. [81] จบกระบวนการทับถมเป็นปรากฏการณ์ที่ซับซ้อนของก๊าซและพื้นผิวที่เกิดปฏิกิริยาที่จะถูกควบคุมโดยพารามิเตอร์การสะสมเช่นองค์ประกอบของก๊าซ กระแสและความดันความหนาแน่นของพลังงานและความถี่อุณหภูมิพื้นผิวรูปทรงเรขาคณิตไฟฟ้า ฯลฯ โดยตำราลัฟท์และ Tsuo กล่าวถึงในรายละเอียดเงื่อนไขการสะสมของไฮโดรเจนซิลิคอนอสัณฐาน [82] ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่จะพบในการอ้างอิง [79] พารามิเตอร์การสะสมทั่วไปที่จะได้รับเครื่องแบบภาพยนตร์คุณภาพอุปกรณ์-Si: H ในห้องปฏิบัติการ RF ระบบ PECVD ทับถมอยู่: ไซเลนไหล 20-50 sccm1 ดันกระบวนการ 0.5-0.7 เอ็มบาร์อุณหภูมิพื้นผิว 200-250 องศาเซลเซียสความหนาแน่นของพลังงาน RF 20 -50 ซม. mW-2, ระยะทางอิเล็ก 1-3 ซม. อัตราการสะสมโดยทั่วไปคือ 1-2 S-1 หนึ่งสามารถคำนวณได้ว่าจะใช้แบบเดิม [23] เงื่อนไขเหล่านี้ฝากนาโนเมตรหนาศรี 300: ชั้น H โช้คในเซลล์แสงอาทิตย์จะใช้เวลา 25-50 นาที สำหรับการผลิตมวลปริมาณสูงนี้ยาวเกินไปและมีอัตราการสะสมของ 10-20 A / S เป็นสิ่งจำเป็น วิจัยมากจึงถูกอุทิศให้กับการเพิ่มอัตราการสะสมของศรี: h. โดยไม่เสื่อมสภาพวัสดุคุณภาพพารามิเตอร์กลางกำกับดูแลอัตราการสะสมเป็นพลังงานดูดซึมโดยพลาสม่า ผลการพลังงานที่สูงขึ้นในความหนาแน่นของอิเล็กตรอนและอิเล็กตรอนอุณหภูมิที่สูงขึ้นในพลาสม่า [79] ซึ่งจะเอื้อต่อการแยกตัวออกของโมเลกุล SiH4 ส่งผลให้ระดับความเข้มข้นที่สูงขึ้นของ SiH3 และอนุมูลอื่น ๆ ที่นำไปสู่อัตราการปลูกที่สูงขึ้น แต่อำนาจที่เพิ่มขึ้นจะนำไปสู่เงื่อนไขของพยานที่เห็นชอบในการสร้างอนุมูลไซเลนที่สูงขึ้นและในที่สุดก็ก่อผง เงื่อนไขเหล่านี้ส่งผลให้เกิดการสะสมในภาพยนตร์ที่มีคุณภาพต่ำกว่ามาตรฐานที่โดดเด่นด้วยความเข้มข้นที่เพิ่มขึ้นของ H และ SiH2 พันธบัตรในภาพยนตร์เรื่องนี้ [83] เพื่อความสะดวกในการก่อตัวของเครือข่ายที่มีขนาดกะทัดรัดศรีภายใต้เงื่อนไขที่อัตราการสะสมสูงปราบปรามการก่อตัวของพันธบัตร SiH2 เป็นที่ต้องการ [84] นี้สามารถทำได้โดยการลดอุณหภูมิของอิเล็กตรอนในพลาสมาและ / หรือโดยการเพิ่มอุณหภูมิสะสม อุณหภูมิอิเล็กตรอนลดลงในพลาสม่าที่สามารถทำได้โดยการใช้คลื่นความถี่ที่สูงขึ้นกระตุ้นพลาสม่า อุณหภูมิการสะสมสูงถึง 350 องศาเซลเซียสเป็นสิ่งจำเป็นในอัตราที่สูงของพยานเพื่อส่งเสริมการแพร่กระจายของไซเลนบนที่สูงขึ้นและการกำจัดของไฮโดรเจนจากพื้นผิวการเจริญเติบโตที่ แต่อย่างไรก็ตามยังมีอุณหภูมิทับถมสูงสำหรับชั้นโช้คทำให้เกิดความเสียหายความร้อนชั้นพื้นฐานในเซลล์แสงอาทิตย์ [75]. ปราบปรามของอนุมูลไซเลนที่สูงขึ้นและอนุมูลอายุการใช้งานสั้น ๆ ในเฟสก๊าซในอัตราที่ทับถมสูงได้กลายเป็นวิธีการทั่วไปในการฝาก -Si: H ด้วยวัสดุที่มีคุณภาพเพียงพอ เพื่อให้บรรลุอัตราการสะสมสูงกว่าสองวิธีที่ได้รับการถ่าย ในครั้งแรกที่สภาพการทำงานของเทคนิค PECVD ถูกสอบสวนต่อไปซึ่งส่งผลให้ใน PECVD ความกดอากาศสูงกำลังสูง RF [85] PECVD ที่มีความถี่ในการกระตุ้นพลาสม่าที่สูงมาก (VHF) [86] และไมโครเวฟ PECVD [87] . แนวทางที่สองมีความเข้มข้นในการตรวจสอบและการพัฒนาเทคนิคการสะสมนวนิยายเช่นลวดร้อน CVD (HWCVD) เทคนิคยังเป็นที่รู้จักตัวเร่งปฏิกิริยาซีวีดี [88] และการขยายตัวของซีวีดีพลาสม่าความร้อน (ETPCVD) เทคนิค [89]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ sih3 รากโดยทั่วไปถือว่าเป็นหัวรุนแรงเด่นในการเจริญเติบโตของอะมอร์ฟัสซิลิคอน H [ 78 , 79 ) เนื่องจากส่วนใหญ่ของการเติบโต ( ถูกยกเลิกโดยไฮโดรเจน [ 80 ] , sih3 หัวรุนแรงไม่พร้อม สร้างการเติบโตฟิล์ม แต่กระจายทั่วพื้นผิวจนพบห้อย บอนด์ โดยการเชื่อมกับห้อยพันธบัตร sih3 อนุมูลอิสระมีส่วนช่วยในการเจริญเติบโต เกาะของ sih3 เพื่อขยายพื้นผิวต้องใช้ห้อยพันธบัตร ซึ่งสร้างขึ้นเมื่อไฮโดรเจนจะถูกลบออกจากพื้นผิว ไฮโดรเจนสามารถลบออกได้โดยความร้อนกระตุ้น หรือนามธรรม โดย sih3 หัวรุนแรง ที่ห้อย บอนด์ และ sih4 โมเลกุลที่เกิดขึ้น [ 78 ] แม้ว่าอนุมูลอิสระอื่น ๆมีส่วนร่วมมากน้อยที่จะเติบโต พวกเขามีบทบาทสำคัญในการกำหนดคุณสมบัติของฟิล์ม การ sih2 อนุมูลอิสระสูงกว่าและสูงกว่าไซยื่นค่ามากกว่า sih3 และสามารถรวมโดยตรงลงในไฮโดรเจนยกเลิกพื้นผิว [ 26 ] อย่างไรก็ตาม ผลงานของอนุมูลเหล่านี้เพื่อการเจริญเติบโตผลฟิล์มคุณภาพไม่ดี และดังนั้น การแสดงตนของอนุมูลเหล่านี้ในพลาสมาที่ควรหลีกเลี่ยง ไอออนได้คาดว่าจะสามารถมีส่วนร่วม 10% การเติบโตของอะมอร์ฟัสซิลิคอน H [ 81 ]สรุป กระบวนการสะสมเป็นปรากฏการณ์ที่ซับซ้อนของก๊าซและพื้นผิวที่ถูกควบคุมโดยปฏิกิริยาของพารามิเตอร์เช่นก๊าซองค์ประกอบ ไหลและเค้นองแน่นอน พลังหนาแน่น และ ความถี่ อุณหภูมิของแผ่นรองรับ , ขั้วเรขาคณิต ฯลฯ และตำรา โดยเครื่องบิน tsuo กล่าวถึงในรายละเอียดของเงื่อนไขของไฮโดรเจนโลหะซิลิคอนอสัณฐาน [ 82 ] ข้อมูลเพิ่มเติมสามารถพบได้ในเอกสารอ้างอิง [ 79 ] -- พารามิเตอร์ที่จะได้รับชุดองแคลการเคลือบฟิล์มอะมอร์ฟัสซิลิคอนคุณภาพอุปกรณ์ : H ในห้องปฏิบัติการ RF pecvd ระบบการตกสะสม : ไซเลนไหล 20-50 sccm1 กระบวนการ 0.5-0.7 mbar ความดันย่อยอง ? อุณหภูมิ 200-250 ° C ความหนาแน่นพลังงาน RF cm-2 20-50 เมกะวัตต์ไฟฟ้าระยะ 1-3 เซนติเมตร อัตราการสะสมโดยทั่วไป 1-2 ที่สุด . หนึ่งได้อย่างง่ายดายสามารถคำนวณที่ใช้เหล่านี้ปกติ [ 23 ] เงื่อนไขการฝากเงิน 300 nm หนาอะมอร์ฟัสซิลิคอน H โช้คในชั้นเซลล์แสงอาทิตย์ต้องใช้เวลาจาก 25 ถึง 50 นาที สำหรับการผลิตปริมาณสูงนี้ยาวเกินไป และอัตราการสะสมของ 10-20 / s จะต้อง การวิจัยมากจึงถูกทุ่มเทเพื่อเพิ่มอัตราการสะสมของอะมอร์ฟัสซิลิคอน H โดยไม่เสื่อมคุณภาพวัสดุกลางพารามิเตอร์ควบคุมอัตราการสะสมพลังดูดซึมโดยพลาสมา พลังงานที่สูงขึ้นผลลัพธ์ในความหนาแน่นของอิเล็กตรอนสูงและอุณหภูมิอิเล็กตรอนในพลาสมา [ 79 ] ซึ่งในการแตกตัวของโมเลกุล sih4 . ซึ่งสูงกว่าความเข้มข้นของ sih3 และอนุมูลอื่นๆ ส่งผลให้อัตราการสะสมสูง อย่างไรก็ตาม การเพิ่มอำนาจ นำไปสู่การสร้างเงื่อนไขที่โปรดปรานสูงไซเลนและในที่สุดผงสารก่อตัว เงื่อนไขการส่งผลให้ภาพยนตร์ที่ด้อยคุณภาพ charac อง terized โดยเพิ่มความเข้มข้นของ H และพันธบัตร sih2 ในภาพยนตร์ [ 83 ] เพื่อความสะดวกในการสร้างเครือข่ายศรีกระชับภายใต้เงื่อนไขอัตราการสะสมสูง การปราบปรามการก่อตัวของพันธบัตร sih2 ที่ต้องการ [ 84 ] นี้สามารถทำได้โดยการลดอุณหภูมิอิเล็กตรอนในพลาสมาและ / หรือโดยการเพิ่มของอุณหภูมิ ลดอุณหภูมิอิเล็กตรอนในพลาสมาสามารถทำได้โดยการกระตุ้นความถี่สูงกว่าพลาสมา . สะสมอุณหภูมิสูงถึง 350 องศา C ที่อัตราการใช้สูงเพื่อส่งเสริมการแพร่กระจายของไซเลนที่สูงบนและการเติบโตของไฮโดรเจนจากพื้นผิว อย่างไรก็ตาม เช่นอุณหภูมิสูงการดูดซับความร้อนความเสียหายที่จะมีชั้นทำให้ชั้น [ 75 ] เซลล์แสงอาทิตย์การปราบปรามของอุดมไซอนุมูลและสั้นชีวิตอนุมูลอิสระในก๊าซระยะที่คะแนนสะสมสูงได้กลายเป็นวิธีการทั่วไปสำหรับการฝากอะมอร์ฟัสซิลิคอน H ด้วยวัสดุที่มีคุณภาพเพียงพอ เพื่อให้บรรลุอัตราการสะสมสูงกว่าสองวิธีการได้รับการถ่าย ใน แรก เงื่อนไขของเทคนิค pecvd ได้รับการศึกษาเพิ่มเติม ซึ่งส่งผลให้เกิดแรงดันสูงพลังงาน RF สูง pecvd [ 85 ] , pecvd สูงพลาสมากระตุ้นความถี่ [ 86 ] และ pecvd ไมโครเวฟ [ 87 ] วิธีที่สองมีความเข้มข้นในการสืบสวนและการพัฒนาเทคนิคการเคลือบนวนิยาย เช่น โรคหัวใจและหลอดเลือด ลวดร้อน ( hwcvd ) เทคนิค ยังเรียกว่าการ Stroke [ 88 ] และขยาย CVD พลาสมาความร้อน ( etpcvd ) เทคนิค [ 89 ]