To promote infiltration of GA3 or o

To promote infiltration of GA3 or of GA4 solutions through the
pericarp and seed coat and into the embryo, seeds collected in
December 2014 were placed in 0, 25, 250 and 2500 mM solutions of
GA3 (potassium salt, 95% purity, Sigma, St Louis, Missouri, USA) or
GA4 (90% purity, from Professor Lewis N. Mander, Australian National
University), which were then immediately placed in a vacuum
container at a pressure of 30 cmHg (0.4 atm) for 16 h. Vacuum
infiltration previously has been used in testing the effects of GA3
and of GA4 on seed germination (Loveys and Jusaitis, 1994; Chen
et al., 2007). The treated seeds were mixed with moist sphagnum
moss and incubated at 25/15
C for 56 days. Also, seeds treated with
2500 mM GA4 were incubated at 25/15
C for 16 days and then dissected and photographed

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพื่อส่งเสริมการแทรกซึม ของ GA3 หรือโซลูชั่น GA4 ผ่านการpericarp และหุ้มเมล็ด และเป็นตัวอ่อน เมล็ดที่เก็บไว้ใน2557 ธันวาคมไว้ใน 0, 25, 250 และโซลูชั่น 2500 มม.GA3 (โพแทสเซียมเกลือ 95% ความบริสุทธิ์ ซิก St Louis มิสซูรี สหรัฐอเมริกา) หรือGA4 (ความบริสุทธิ์ 90% จากศาสตราจารย์ Lewis N. Mander ประเทศออสเตรเลียมหาวิทยาลัย), ซึ่งได้ทันทีอยู่ในสุญญากาศคอนเทนเนอร์ที่ความดัน 30 cmHg (0.4 atm) สำหรับ 16 h. สุญญากาศแทรกซึมก่อนหน้านี้ได้ถูกใช้ในการทดสอบผลของ GA3และ GA4 ในการงอกของเมล็ดพืช (Loveys และ Jusaitis, 1994 เฉินร้อยเอ็ด al., 2007) เมล็ดพืชบำบัดถูกผสมกับยากชุ่มชื่นมอ และ incubated 56 วันที่ 25/15 C เมล็ดถือว่ามีมม. 2500 GA4 ถูก incubated ที่ C 25/15 วันที่ 16 แล้ว dissected และถ่ายภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อส่งเสริมการแทรกซึมของ GA3 หรือของโซลูชั่น GA4
ผ่านเปลือกและเยื่อหุ้มเมล็ดและเข้าสู่ตัวอ่อน, เมล็ดเก็บในธันวาคม 2014 ถูกวางไว้ใน 0, 25, 250 และ 2,500 มิลลิการแก้ปัญหาของ GA3 (เกลือโพแทสเซียมมีความบริสุทธิ์ 95% ซิกเซนต์ หลุยส์รัฐมิสซูรี่สหรัฐอเมริกา) หรือGA4 (ความบริสุทธิ์ 90% จากศาสตราจารย์ลูอิสเอ็นป้อมแห่งชาติออสเตรเลียมหาวิทยาลัย) ซึ่งถูกวางไว้แล้วในสูญญากาศภาชนะที่ความดัน 30 cmHg (ที่ตู้เอทีเอ็ม 0.4) สำหรับ 16 ชั่วโมง สูญญากาศการแทรกซึมก่อนหน้านี้ได้ถูกนำมาใช้ในการทดสอบผลกระทบของ GA3 และ GA4 ต่อการงอก (Loveys และ Jusaitis 1994; เฉิน. et al, 2007) เมล็ดได้รับการรักษาที่ถูกผสมกับมอสชื้นมอสและบ่มที่ 25/15? C เป็นเวลา 56 วัน นอกจากนี้การรักษาด้วยเมล็ด2,500 มิลลิ GA4 ถูกบ่มที่ 25/15? C เป็นเวลา 16 วันและชำแหละแล้วและถ่ายภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อส่งเสริมการแทรกซึมของ GA3 หรือ ga4 โซลูชั่นผ่าน
เปลือกและเยื่อหุ้มเมล็ดและเข้าไปในเอ็มบริโอ เมล็ดที่เก็บใน
ธันวาคม 2014 อยู่ใน 0 , 25 , 250 และ 500 มม. โซลูชั่นของ
GA3 ( เกลือ , 95% ความบริสุทธิ์ , Sigma , St Louis , Missouri , USA โพแทสเซียม ) หรือ
ga4 ( ความบริสุทธิ์ 90% จากศาสตราจารย์ลิวอิส เอ็น แมนเดอร์ , มหาวิทยาลัยแห่งชาติออสเตรเลีย ,
) ซึ่งอยู่ในสูญญากาศ
แล้วทันทีภาชนะที่ความดัน 30 เซนติเมตรปรอท ( 0.4 ATM ) 16 . สูญญากาศ
แทรกซึมก่อนหน้านี้ได้ถูกใช้ในการทดสอบผลของ GA3
และ ga4 การงอกของเมล็ด ( loveys และ jusaitis , 1994 ; เฉิน
et al . , 2007 ) การเพาะเมล็ด ผสมกับพืชมอสมอส
ชื้นและอุณหภูมิ 25 / 15
เป็นเวลา 56 วัน นอกจากนี้ เมล็ดพันธุ์ที่ได้รับการรักษาด้วย
ga4 2500 มม. อุณหภูมิ 25 / 15
C เป็นเวลา 16 วัน แล้วผ่า และภาพถ่าย