Intrinsic hydrogenated amorphous si

Intrinsic hydrogenated amorphous silicon (i-a-Si:H) films were deposited by very high frequency (VHF) plasma
enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique. It was found that there were three distinct deposition
rate regions, when the deposition pressure and power were varied according to Paschen's law. The
silane depletion fraction (SDF) is related to the reaction rates and the sticking probability of the radicals,
which is smaller in the 1st region, where the SiH3 radical is the dominant deposition precursor giving rise
to higher film density and a low Urbach energy (~68 meV). The third region has higher SDF, where more
SiH2 radicals are generated resulting in a reduction in film density and increased structural disorder due to
polyhydride formation. The good quality films obtained with the condition of the 1st region, showed low
SDF at lower pressure and power, following Paschen's law. Some of these i-a-Si:H films were used to fabricate
p–i–n type solar cells. The measured photo voltaic parameters of one of the cells are as follows, open circuit
voltage (Voc)=800 mV, short circuit current density (Jsc) of 16.3 mA/cm2, fill-factor (FF) of 72%, and photovoltaic
conversion efficiency (η) of 9.4%, which may be due to improved intrinsic layer. Jsc, FF and Voc of the
cell can be improved further with optimized cell structure and with i-a-Si:H having a lower number of
defects.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซิลิคอนไป hydrogenated intrinsic (ผม-เป็น-Si:H) ฟิล์มที่ฝาก ด้วยความถี่สูงมาก (VHF) พลาสมาเพิ่มเทคนิคไอเคมีสะสม (PECVD) พบว่า มีสะสมแตกต่างกันสามอัตราภูมิภาค เมื่อสะสมความดันและพลังงานแตกต่างกันตามกฎหมายของ Paschen ที่เศษส่วนการลดลงของ silane (SDF) เกี่ยวข้องกับอัตราปฏิกิริยาและความน่าเป็น sticking ของอนุมูลซึ่งมีขนาดเล็กในภูมิภาค 1 ที่ SiH3 รุนแรงจะเพิ่มขึ้นให้สารตั้งต้นหลักสะสมความหนาแน่นของฟิล์มสูงและเป็นพลังงาน Urbach ต่ำ (~ 68 meV) ภาคสามมีสตางค์สูง เพิ่มเติมอนุมูล SiH2 สร้างผลในการลดความหนาแน่นของฟิล์มและโรคโครงสร้างเพิ่มเนื่องการก่อ polyhydride ฟิล์มคุณภาพดีรับกับสภาพของภูมิภาค 1 พบน้อยสตางค์ที่ต่ำกว่าความดันและพลังงาน ตามกฎหมายของ Paschen ของฉันเหล่านี้-มี-Si:H ฟิล์มใช้ในการปั้นเซลล์แสงอาทิตย์ชนิด p-i-n พารามิเตอร์ voltaic ภาพวัดหนึ่งเซลล์มีดังนี้ วงจรเปิดแรงดันไฟฟ้า (Voc) = 800 mV ช็อตกระแสความหนาแน่น (Jsc) ของ 16.3 ที่ mA/cm2 เติมปัจจัย (FF) 72% และแสงอาทิตย์มีประสิทธิภาพแปลง (η) 9.4% ซึ่งอาจเกิดจาก intrinsic ชั้นปรับปรุงใหม่ Jsc, FF และ Voc ของเซลล์ที่สามารถปรับปรุงเพิ่มเติม กับโครงสร้างของเซลล์ให้เหมาะ และผม-เป็น-Si:H มีเลขล่างของข้อบกพร่อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภายในไฮโดรเจนซิลิกอนอสัณฐาน (IA-Si: H) ฟิล์มฝากตามความถี่สูงมาก (VHF) พลาสม่า
เพิ่มไอสารเคมีสะสม (PECVD) เทคนิค พบว่ามีอยู่สามการสะสมแตกต่าง
ภูมิภาคอัตราการสะสมเมื่อความดันและพลังที่แตกต่างกันได้ตามกฎหมายของ Paschen
การสูญเสียส่วนไซเลน (SDF) มีความสัมพันธ์กับอัตราการเกิดปฏิกิริยาและความน่าจะเป็นของอนุมูลติด,
ซึ่งมีขนาดเล็กในภูมิภาคครั้งที่ 1 ที่รุนแรง SiH3 เป็นผู้นำที่โดดเด่นการสะสมทำให้เกิด
ความหนาแน่นของฟิล์มที่สูงขึ้นและการใช้พลังงานที่ต่ำ Urbach ( ~ 68 meV) ภูมิภาคที่สามมีสูงกว่าไอ้เวรที่มากขึ้น
อนุมูล SiH2 จะมีการสร้างผลในการลดความหนาแน่นของภาพยนตร์และความผิดปกติของโครงสร้างที่เพิ่มขึ้นอันเนื่องมาจาก
การก่อ polyhydride ภาพยนตร์ที่มีคุณภาพดีได้รับกับสภาพของภูมิภาคที่ 1 แสดงให้เห็นต่ำ
SDF ที่ความดันต่ำและมีอำนาจต่อกฎหมาย Paschen ของ บางส่วนของเหล่า IA-Si: H ภาพยนตร์ถูกนำมาใช้ในการประดิษฐ์
พี i-n-ชนิดเซลล์แสงอาทิตย์ พารามิเตอร์ฟ้ภาพวัดแห่งหนึ่งของเซลล์มีดังนี้วงจรเปิด
แรงดันไฟฟ้า (Voc) = 800 mV ลัดวงจรความหนาแน่นกระแส (Jsc) 16.3 mA / cm2 กรอกปัจจัย (FF) 72% และแผงเซลล์แสงอาทิตย์
แปลง ประสิทธิภาพ (η) 9.4% ซึ่งอาจจะเกิดจากชั้นที่แท้จริงปรับตัวดีขึ้น Jsc, FF และ Voc ของ
เซลล์ได้ดีขึ้นต่อไปด้วยโครงสร้างของเซลล์ที่ดีที่สุดและมี IA-Si: H มีจำนวนที่ลดลงของ
ข้อบกพร่อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แท้จริง hydrogenated ซิลิคอนอสัณฐาน ( i-a-si : H ) ภาพยนตร์ที่ถูกฝากโดยวีเอชเอฟ ( VHF ) พลาสมา
ปรับปรุง chemical vapor deposition ( pecvd ) เทคนิค พบว่ามีอัตราการสะสม
3 ภูมิภาคแตกต่างกัน เมื่อสะสมความดันและพลังงานแตกต่างกันไปตาม paschen คือกฎหมาย
ไซเลนของเศษส่วน ( SDF ) ที่เกี่ยวข้องกับปฏิกิริยาอัตราการเกาะความน่าจะเป็นของอนุมูล ,
ซึ่งมีขนาดเล็กใน 1 เขต ที่ sih3 หัวรุนแรงเป็นเด่นสะสมสารตั้งต้นให้สูงขึ้น
สูงกว่าฟิล์มความหนาแน่นพลังงานเออร์บักน้อย ( ~ 68 MeV ) ภูมิภาคที่สามได้สูงกว่าเครื่องที่มากขึ้น
sih2 อนุมูลอิสระที่ถูกสร้างขึ้นเป็นผลในการลดความหนาแน่นของฟิล์มและความผิดปกติของโครงสร้างเนื่องจากการเพิ่มขึ้น

polyhydride . ฟิล์มคุณภาพดีรับกับสภาพของเขต 1 พบ sdf น้อย
ลดความดันและพลังงาน ตาม paschen คือกฎหมาย บางส่วนของเหล่านี้ i-a-si : H ฟิล์มใช้สาน
p –ฉัน– N ชนิดเซลล์แสงอาทิตย์การวัดค่าพารามิเตอร์ของ voltaic เซลล์มีดังนี้ แรงดันเปิดวงจร
( VOC ) = 800 มิวสิควีดีโอ ความหนาแน่นกระแสลัดวงจร ( JSC ) 16.3 มา / cm2 , เติมปัจจัย ( FF ) 72 % และประสิทธิภาพการแปลงแสงอาทิตย์
( η ) 9.4% ซึ่งอาจจะเนื่องจาก ปรับปรุงภายในชั้น JSC , FF และ VOC ของ
เซลล์สามารถปรับปรุงเพิ่มเติม พร้อมปรับโครงสร้างของเซลล์และ i-a-si :H มีจำนวนลดลงของ
ข้อบกพร่อง