With increasing average ion energy,

With increasing average ion energy, a transition from columnar growth to layer-by-layer growth is observed , e.g., for GaN on SiC depicted in Figure 3. When comparing the incident ion energy

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีพลังงานเฉลี่ยไอออนเพิ่มขึ้น เปลี่ยนจากคอลัมน์เติบโตการเจริญเติบโตของเลเยอร์โดยเลเยอร์ย่อย เช่น ในย่านบน SiC ที่แสดงในรูปที่ 3 เมื่อเปรียบเทียบพลังงานไอออนเหตุการณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ด้วยการเพิ่มพลังงานไอออนโดยเฉลี่ยแล้วการเปลี่ยนแปลงจากการเติบโตของการเติบโตของเสาชั้นโดยชั้นเป็นที่สังเกตเช่นสำหรับกานบน SiC ที่ปรากฎในรูปที่ 3. เมื่อเปรียบเทียบพลังงานไอออนเหตุการณ์ที่เกิดขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ด้วยการเพิ่มพลังงานไอออนโดยเปลี่ยนจากการเจริญเติบโตโดยชั้นของชั้น เป็นที่สังเกต เช่น ให้กันใน SIC ภาพในรูปที่ 3 เมื่อเปรียบเทียบเหตุการณ์ไอออนพลังงาน