To demonstrate such feasibility, Cu

To demonstrate such feasibility, Cu/Ge/Pd and Cu/Pt/Ti/Pt
structures were applied to the half wafer of the InGaP/InGaAs/Ge
triple-junction solar cells as frontside and backside contacts.
Conventional n-type ohmic metal (Au/Ni/Ge/Au) and p-type ohmic
metal (Au/Pt/Ti) were deposited on the other half of the same
wafer for direct comparison. To reduce the total series resistance
losses at high current densities, the fingers and busbars were plated
to 1 lm and 5 lm thicknesses. Table 2 lists the three types of
metallized electrodes evaluated. Sample A is a conventional
Au-metallized solar cell (Au/Ni/Ge/Au with 1 lm of Au as the front
electrode metal and Ti/Pt/Au as the back electrode metal). Sample
B and sample C are Cu-metallized solar cells (sample B with 1 lm
and sample C with 5 lm Cu layer on Cu/Ge/Pd as the front electrode
metal and both use Cu/Pt/Ti/Pt as the back electrode metal).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสดงให้เห็นถึงความเป็นไปดังกล่าว Cu/Ge/Pd และ Cu/Pt/ตี้/Ptโครงสร้างถูกนำไปใช้กับแผ่นเวเฟอร์ครึ่งของ InGaP/InGaAs/Geเซลล์แสงอาทิตย์เชื่อมต่อทริปเปิ้ลเป็นติดต่อ frontside และด้านหลังปกติ n ชนิดแบบโอห์มมิคโลหะ (Au/Ni/Ge/Au) และ p-ชนิดแบบโอห์มมิคโลหะ (Au/Pt/ตี้) ได้ฝากบนครึ่งเดียวกันแผ่นเวเฟอร์สำหรับการเปรียบเทียบโดยตรง เพื่อลดความต้านทานรวมชุดขาดทุนที่แน่นปัจจุบันสูง นิ้วมือ และ busbars ถูกชุบ1 lm และความหนาของ lm 5 ตารางที่ 2 แสดงรายการสามชนิดการหุงต metallized ประเมิน ตัวอย่าง A เป็นการทั่วไปเซลล์แสงอาทิตย์ Au metallized (Au/Ni/Ge/Au 1 lm ของ Au เป็นด้านหน้าอิเล็กโทรดโลหะและ ตี้/Pt/Au เป็นโลหะไฟฟ้าหลัง) ตัวอย่างB และ C อย่างเซลล์แสงอาทิตย์ Cu metallized (ตัวอย่าง B 1 lmและตัวอย่าง C มีชั้น Cu lm 5 ใน Cu/Ge/Pd เป็นอิเล็กโทรดหน้าโลหะและทั้งใช้ Cu/Pt/ตี้/Pt เป็นโลหะหลังไฟฟ้า)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แสดงให้เห็นถึงความเป็นไปได้เช่นทองแดง / Ge / Pd และทองแดง / Pt / ตี / Pt
โครงสร้างถูกนำไปใช้กับเวเฟอร์ครึ่งหนึ่งของ InGaP / InGaAs /
จีอีสามแยกเซลล์แสงอาทิตย์รายชื่อfrontside และด้านหลัง.
ธรรมดาชนิดเอ็นโลหะ ohmic ( Au / Ni / Ge / Au) และชนิดพี ohmic
โลหะ (Au / Pt / Ti)
ถูกวางลงบนอีกครึ่งหนึ่งของเดียวกันเวเฟอร์สำหรับการเปรียบเทียบโดยตรง เพื่อลดความต้านทานชุดรวมความสูญเสียที่ความหนาแน่นสูงในปัจจุบันนิ้วมือและ busbars ถูกชุบถึง1 ไมครอนและความหนา 5 ไมครอน ตารางที่ 2 แสดงสามประเภทของขั้วไฟฟ้าmetallized ประเมิน ตัวอย่างเป็นธรรมดาเซลล์แสงอาทิตย์ Au-metallized (Au / Ni / Ge / Au 1 LM ของ Au เป็นด้านหน้าโลหะและอิเล็กโทรดตี / Pt / Au เป็นกลับขั้วโลหะ) ตัวอย่างบีและตัวอย่าง C จะ Cu-metallized เซลล์แสงอาทิตย์ (ตัวอย่าง B กับ 1 LM และ C ตัวอย่าง 5 LM ชั้น Cu ใน Cu / Ge / Pd เป็นขั้วไฟฟ้าด้านหน้าโลหะและทั้งสองใช้Cu / Pt / ตี / Pt เป็นขั้วไฟฟ้าด้านหลัง โลหะ).

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อแสดงให้เห็นถึงความเป็นไปได้ดังกล่าว จุฬาฯ / GE / PD และ Cu / PT / Ti / PT
โครงสร้างเพื่อใช้ครึ่งแผ่นเวเฟอร์ของ ingap / ไทยกลุ่ม GE
สามแพร่ง เซลล์แสงอาทิตย์เป็นผู้ติดต่อ frontside และด้านหลัง .
ปกติทั่วไปค่าโลหะ ( AU / ผม / พี่ / AU ) และพีค่า
( โลหะ AU / PT / Ti ) เป็นเงินครึ่งหนึ่งของเวเฟอร์เดียวกัน
สำหรับการเปรียบเทียบโดยตรง ลด
ชุดความต้านทานรวมการสูญเสียที่ความหนาแน่นกระแสสูง นิ้วมือและ busbars ถูกชุบ
1 5 9 อิมอิม ตารางที่ 2 แสดงสามชนิดของโลหะ electrodes
ประเมิน ตัวอย่างเป็นปกติ
Au โลหะเซลล์แสงอาทิตย์ ( AU / ผม / พี่ / AU 1 LM ของ AU เป็นด้านหน้า
ขั้วโลหะและ Ti / PT / AU เป็นโลหะขั้วกลับ ) ตัวอย่าง :
b และตัวอย่าง C เป็นทองแดงโลหะเซลล์แสงอาทิตย์ ( ตัวอย่าง B
1 โดยและตัวอย่าง C ชั้น 5 โดย Cu Cu / GE / PD เป็นโลหะขั้ว
ด้านหน้า และทั้งใช้ Cu / PT / Ti / Pt เป็นโลหะขั้วกลับ )