In recent years, electronic devices are continually improving for
high-temperature applications, such as (i) brake and exhaust gas
sensors for automotive (500e1000 C) [1], (ii) turbine and gas
sensors for aeronautic (~600 C) [2], (iii) geothermal sensor for
well-logging (~600 C) [3], (iv) nuclear radiation detector and nuclear
reactor for nuclear plant (700e1000 C) [2,4], and (v) transmitter,
antenna and electromechanical devices for space
exploration (>500 C) [5]. The challenge is thus driven to design an
electronic packaging material, i.e. die-attach material, that is able to
work in the aforementioned high-temperature conditions. The
primary focus is therefore aimed to select a die-attach material that
possesses melting point higher than 500 C, which makes it suitable
for high-temperature applications [6]. In addition, the dieattach
material must also possess high thermal conductivity to
dissipate the heat that originating from the die to the substrate [6],
as well as, possess low coefficient of thermal expansion (CTE) to
minimize the buildup strain that caused by temperature gradient
[6]. To relate both thermal conductivity and CTE, performance index
is thus being used to optimize the selection of a die-attach
material. According to Fourier's Law for steady state one directional,
x, heat flow from die to substrate [7]:
In recent years, electronic devices are continually improving forhigh-temperature applications, such as (i) brake and exhaust gassensors for automotive (500e1000 C) [1], (ii) turbine and gassensors for aeronautic (~600 C) [2], (iii) geothermal sensor forwell-logging (~600 C) [3], (iv) nuclear radiation detector and nuclearreactor for nuclear plant (700e1000 C) [2,4], and (v) transmitter,antenna and electromechanical devices for spaceexploration (>500 C) [5]. The challenge is thus driven to design anelectronic packaging material, i.e. die-attach material, that is able towork in the aforementioned high-temperature conditions. Theprimary focus is therefore aimed to select a die-attach material thatpossesses melting point higher than 500 C, which makes it suitablefor high-temperature applications [6]. In addition, the dieattachmaterial must also possess high thermal conductivity todissipate the heat that originating from the die to the substrate [6],as well as, possess low coefficient of thermal expansion (CTE) tominimize the buildup strain that caused by temperature gradient[6]. To relate both thermal conductivity and CTE, performance indexis thus being used to optimize the selection of a die-attachmaterial. According to Fourier's Law for steady state one directional,x, heat flow from die to substrate [7]:
การแปล กรุณารอสักครู่..

ในปีที่ผ่านอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่มีการพัฒนาอย่างต่อเนื่องสำหรับ
การใช้งานที่อุณหภูมิสูงเช่น (i) การเบรกและก๊าซไอเสีย
เซ็นเซอร์สำหรับยานยนต์ (500e1000? C) [1] (ii) กังหันและก๊าซ
เซ็นเซอร์สำหรับการบิน (~ 600 องศาเซลเซียส ) [2] (iii) เซ็นเซอร์สำหรับความร้อนใต้พิภพ
ที่ดีเข้าสู่ระบบ (~ 600? C) [3], (iv) เครื่องตรวจจับรังสีนิวเคลียร์นิวเคลียร์และ
เครื่องปฏิกรณ์สำหรับโรงไฟฟ้านิวเคลียร์ (700e1000? C) [2,4] และ (V ) ส่งสัญญาณ,
เสาอากาศและอุปกรณ์ไฟฟ้าสำหรับพื้นที่
สำรวจ (> 500? C) [5] ความท้าทายจึงเป็นแรงผลักดันในการออกแบบ
บรรจุภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์คือตายแนบวัสดุที่สามารถ
ทำงานในสภาพที่อุณหภูมิสูงดังกล่าวข้างต้น
เป้าหมายหลักจึงมีวัตถุประสงค์ที่จะเลือกวัสดุตายแนบที่
มีจุดหลอมเหลวสูงกว่า 500 องศาเซลเซียสซึ่งจะทำให้มันเหมาะ
สำหรับการใช้งานที่อุณหภูมิสูง [6] นอกจากนี้ dieattach
วัสดุนอกจากนี้ยังต้องมีการนำความร้อนสูงในการ
กระจายความร้อนที่เกิดจากตายกับพื้นผิว [6],
เช่นเดียวกับการครอบครองต่ำค่าสัมประสิทธิ์ของการขยายตัวทางความร้อน (CTE) เพื่อ
ลดความเครียดสะสมที่เกิดจากอุณหภูมิ ไล่โทนสี
[6] ที่จะเกี่ยวข้องกับทั้งการนำความร้อนและ CTE ดัชนีประสิทธิภาพ
จึงถูกนำมาใช้เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการเลือกของตายแนบ
วัสดุ ตามกฎหมายของฟูริเยร์สำหรับทิศทางหนึ่งความมั่นคงของรัฐ,
x, ไหลของความร้อนจากตายกับพื้นผิว [7]:
การแปล กรุณารอสักครู่..
