At the beginning of the experiment,

At the beginning of the experiment, a purge with the

neutral gas (nitrogen or argon) was performed in order

to ensure an inert atmosphere inside the chamber. This step

was carried out without concentrated solar radiation illu-
mination. Then, either N2 or Ar was continuously intro-
duced into the chamber with a flow of 1 Nl/min for the

remaining of the experiment. The illumination started with

the gradual opening of the shutter until the reaction tem-
peratures were reached. The experiments were carried out

with solar Direct Normal Irradiance (DNI) values close

to the 900 W/m2

the SiO2/C nanocomposite synthesis, and 1500 C for SiC

synthesis. After each synthesis step, the powder is collected

for further characterization.

. Average temperatures were 700 C, for

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่จุดเริ่มต้นของการทดลองที่ล้างด้วยก๊าซที่เป็นกลาง (ไนโตรเจนหรืออาร์กอน) ได้ดำเนินการในการสั่งซื้อเพื่อให้แน่ใจว่าบรรยากาศเฉื่อยภายในห้อง ขั้นตอนนี้ได้ดำเนินการโดยไม่ต้องมีความเข้มข้นของรังสีแสงอาทิตย์ illu- mination จากนั้นทั้ง N2 หรือเท่อย่างต่อเนื่องได้รับการเผยโฉมเข้าไปในห้องที่มีการไหล1 Nl / นาทีสำหรับส่วนที่เหลือของการทดลอง ไฟส่องสว่างเริ่มต้นด้วยการเปิดตัวทีละน้อยของชัตเตอร์จนปฏิกิริยา tem- peratures ก็มาถึง การทดลองดำเนินการกับปกติแสงอาทิตย์โดยตรงรังสี (DNI) ค่าใกล้กับ 900 W / m2 SiO2 / C สังเคราะห์นาโนคอมโพสิตและ 1500 องศาเซลเซียสเป็นเวลาดังนี้สังเคราะห์ หลังจากที่แต่ละขั้นตอนการสังเคราะห์ผงจะถูกเก็บรวบรวมสำหรับลักษณะต่อไป.. ค่าเฉลี่ยอุณหภูมิ 700 องศาเซลเซียสสำหรับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่จุดเริ่มต้นของการทดลองจัดด้วย

เป็นกลางไนโตรเจนหรืออาร์กอนก๊าซ ) กำหนดเพื่อ

เพื่อให้มั่นใจว่าบรรยากาศของก๊าซเฉื่อยภายในห้อง ขั้นตอนนี้

ได้ดำเนินการโดยไม่มุ่งรังสี illu -
mination . แล้วทั้ง 2 หรือ AR เป็นอย่างต่อเนื่องแนะนำ --
duced เข้าหอด้วยอัตราการไหล 1 nl / min สำหรับ

ที่เหลือของการทดลองแสงสว่างเริ่มด้วย

ค่อยๆเปิดชัตเตอร์จนปฏิกิริยา tem -
peratures ได้ถึง ทำการทดลองกับแสงอาทิตย์โดยตรง

ปกติดังกล่าว ( วัน ) ค่าปิด

ถึง 900 W / m2

/ C SiO2 นาโนคอมโพสิต การสังเคราะห์ และ 1 , 500 C สำหรับ SIC

การสังเคราะห์ หลังจากแต่ละขั้นตอนสังเคราะห์ , ผงเก็บ

สำหรับคุณสมบัติเพิ่มเติม

อุณหภูมิเฉลี่ย 700 C สำหรับ