This is accomplished by placing a D

This is accomplished by placing a DC blocking capacitor with a capacitance about 100 times greater than the maximum capacitance of the varicap diode in series with it and applying the DC from a high impedance source to the node between the varicap cathode and the blocking capacitor as shown in the upper left hand diagram, right.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นี่คือสำเร็จ โดยวางตัวเก็บประจุบล็อก DC ด้วยความจุมากกว่าความจุสูงสุดของไดโอดวาแรกเตอร์ 100 ครั้งในชุดกับมัน และใช้ DC จากแหล่งความต้านทานสูงเพื่อโหนระหว่างแคโทดวาแรกเตอร์และตัวเก็บประจุที่บล็อกตามที่แสดงในไดอะแกรมซ้าย ขวา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นี้สามารถทำได้โดยการวางตัวเก็บประจุปิดกั้นซีมีความจุประมาณ 100 ครั้งยิ่งใหญ่กว่าความจุสูงสุดของไดโอด Varicap ในซีรีส์กับมันและการใช้ DC จากแหล่งความต้านทานสูงไปยังโหนดระหว่างแคโทด Varicap และตัวเก็บประจุปิดกั้นตามที่ปรากฏ ในแผนภาพบนมือซ้ายขวา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นี้ได้ โดยการวางบล็อกตัวเก็บประจุ DC ที่มีความจุประมาณ 100 เท่าสูงกว่าความจุสูงสุดของวาแรกเตอร์ไดโอดอนุกรมกับมันและใช้ DC จากแหล่งความต้านทานสูงไปยังโหนดระหว่างฟาโรห์ทุตโมสที่แคโทดและการปิดกั้นตัวเก็บประจุดังแสดงในแผนภาพด้านบนซ้าย มือ ขวา