Chemical vapour deposition is a wel

Chemical vapour deposition is a well known process in which a substrate is exposed to gaseous compounds. These compounds decompose on the surface in order to grow a thin film,whereas the by products evaporate.There are a lot of different ways to achieve this, e.g. by heating the sample with a filament or with plasma. Graphene can be grown by exposing of a Ni film to a gas mixture of H2, CH4 and Ar at about 1000°C [12]. The methane decomposes on the surface, so that the hydrogene evaporates. The carbon diffuses into the Ni. After cooling down in an Ar atomosphere, a graphene layer grows on the surface, a process similar to the Ni diffusion method. Hence, the average number of layers depends on the Ni thickness and can be controlled in this way. Furthermore, the shape of the graphene can also be controlled by patterning of the Ni layer.These graphene layers can be transfered via polymer support, which will be attached onto the top of the graphene. After etching the Ni, the graphene can be stamped onto the required substrate and the polymer support gets peeled off or etched away. Using this method several layers of graphene can be stamped onto each other in order to decrease the resistance. Due to rotation relatively to the other layers, the turbostratic graphite does not have the Bernal stacking and consequently the single graphene layers hardly change their electronic properties, since they interact marginally with the other layers [1]. Using copper instead of nickel as growing substrate results in single-layer graphene with less than 5% of few-layer graphene, which do not grow larger with time [13]. This behavior is supposed to be caused due to the low solubility of carbon in Cu. For this reason Bae and coworkers developed a roll-to-roll production of 30-inch graphene [1]. Using CVD, a 30-inch graphene layer was grown on a copper foil and then transfered onto a PET film by a roll-to-roll process. CVD also allows a doping of the graphene, e.g. with HNO3, in order to decrease the resistance. Bae and colleagues stacked four doped layer of graphene onto a PET film and thus produced a fully functional touch-screen panel. It has about 90% optical transmission and about 30­ per square resistance, which is superior to ITO.The mechanical performance test showed a much higher withstanding of graphene compared to ITO. In fact, the resiliance was not limited by the graphene itself, but by the attached silver electrodes. In conclusion the author states that the optical and electrical performance of graphene prepared by CVD is very high, but the purity, which would be necessary for laboratory research, is not given. On the other hand, the thus produced graphene layers can be very large and are easily obtained in large amounts. The complexity is rather low, since CVD is a well-known method and often used in industry. Therefore there is no need to develop new machines or techniques. Furthermore, perfect control of the results is given as well as transportability.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สะสมไอสารเคมีเป็นกระบวนการรู้จักกันดีซึ่งพื้นผิวที่จะสัมผัสกับสารเป็นต้น สารประกอบเหล่านี้เปื่อยบนพื้นผิวเพื่อปลูกฟิล์มบาง ในขณะที่สินค้าระเหย มีมากมายของวิธีการต่าง ๆ เพื่อให้บรรลุนี้ เช่น ด้วยความร้อนอย่างมีใย หรือพลาสม่า Graphene ที่สามารถปลูกได้ โดยการเปิดเผยของฟิล์ม Ni จะผสมก๊าซ H2, CH4 และ Ar ที่ประมาณ 1000° C [12] มีเทน decomposes บนพื้นผิว เพื่อให้ hydrogene ระเหย Diffuses คาร์บอนเป็น Ni หลังจากเย็นลงในการ atomosphere Ar ชั้น graphene เติบโตบนพื้นผิว กระบวนการคล้ายกับวิธีแพร่ Ni ดังนั้น จำนวนชั้นขึ้นอยู่กับความหนาของ Ni และสามารถควบคุมได้ด้วยวิธีนี้ นอกจากนี้ ทรง graphene สามารถมีควบคุม patterning ชั้น Ni ชั้น graphene เหล่านี้สามารถถ่ายโอนผ่านการสนับสนุน พอลิเมอร์ซึ่งจะแนบลงบนด้านบนของ graphene หลังจากแกะสลัก Ni, graphene สามารถประทับลงบนพื้นผิวที่จำเป็น และการสนับสนุนพอลิเมอร์จะปอกเปลือกออก หรือฝังไป วิธีนี้ใช้ graphene หลายชั้นสามารถประทับลงกันเพื่อลดการต่อต้าน เนื่องจากหมุนค่อนข้างไปชั้นอื่น ๆ ไม่มีไฟท์ turbostratic ซ้อนเบอร์นัล และดังนั้น ชั้น graphene เดียวแทบไม่เปลี่ยนแปลงอิเล็กทรอนิกส์คุณสมบัติ เนื่องจากพวกเขาโต้ตอบได้ดีกับอื่น ๆ ชั้น [1] ใช้ทองแดงแทนนิกเกิลเป็นเติบโตพื้นผิวผล graphene ชั้นเดียวน้อยกว่า 5% ของชั้นบาง graphene ซึ่งไม่ได้เติบโตใหญ่ ด้วย [13] ในเวลานั้น ลักษณะเช่นนี้ควรจะเกิดจากการละลายของคาร์บอนใน Cu ต่ำ ด้วยเหตุนี้ แบ้และเพื่อนร่วมงานพัฒนาผลิตม้วนต่อม้วนของ graphene 30 นิ้ว [1] ใช้ผิว CVD ชั้น graphene 30 นิ้วปลูกบนฟอยล์ทองแดง และโอนไปยังฟิล์ม PET โดยกระบวนการม้วนการม้วน ผิว CVD ให้เป็นโดปปิงค์ของ graphene เช่นกับ HNO3 เพื่อลดการต่อต้าน แบ้และเพื่อนร่วมงานซ้อนสี่ชั้น doped graphene ไปฟิล์ม PET และผลิตแผงสัมผัสงานดังนั้น มีประมาณ 90% ส่งแสงและประมาณ 30 ต่อต้านตาราง ซึ่งเหนือกว่าอิโตะ การทดสอบประสิทธิภาพเครื่องกลพบว่ามีมากสูงซิของ graphene ที่เปรียบเทียบกับอิโตะ ในความเป็นจริง resiliance ไม่จำกัด โดย graphene เอง แต่ โดยหุงตเงินที่แนบมา เบียดเบียน ผู้เขียนระบุว่า ประสิทธิภาพแสง และไฟฟ้าของ graphene โดยผิว CVD จะสูงมาก แต่ไม่ได้ความบริสุทธิ์ ซึ่งจะจำเป็นสำหรับห้องปฏิบัติการวิจัย บนมืออื่น ๆ ชั้น graphene จึงผลิตได้มาก และจะได้รับในปริมาณมากได้อย่างง่ายดาย ซับซ้อนได้ค่อนข้างต่ำ ตั้งแต่ผิว CVD เป็นวิธีรู้จักกันดี และมักใช้ในอุตสาหกรรม ดังนั้น จะไม่จำเป็นต้องพัฒนาเครื่องจักรใหม่หรือเทคนิค นอกจากนี้ สมบูรณ์ควบคุมผลได้และ transportability

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไอสารเคมีสะสมเป็นกระบวนการที่รู้จักกันดีในพื้นผิวที่สัมผัสกับสารที่เป็นก๊าซ สารเหล่านี้สลายตัวเมื่อพื้นผิวเพื่อที่จะเติบโตฟิล์มบางในขณะที่ผลิตภัณฑ์โดย evaporate.There มีหลายวิธีที่แตกต่างกันเพื่อให้บรรลุนี้โดยใช้ความร้อนเช่นตัวอย่างที่มีเส้นใยหรือพลาสม่า แกรฟีนสามารถปลูกได้โดยการเปิดเผยของฟิล์ม Ni ส่วนผสมของก๊าซ H2, CH4 และเท่ที่ประมาณ 1000 ° C [12] ก๊าซมีเทนสลายตัวบนพื้นผิวเพื่อให้ระเหย hydrogene คาร์บอนหลุดเข้าไปใน Ni หลังจากที่เย็นลงใน atomosphere Ar ชั้น graphene เติบโตบนพื้นผิวที่เป็นกระบวนการที่คล้ายกับวิธีการแพร่กระจาย Ni ดังนั้นค่าเฉลี่ยของจำนวนชั้นขึ้นอยู่กับความหนาของ Ni และสามารถควบคุมได้ด้วยวิธีนี้ นอกจากนี้รูปทรงของกราฟีนยังสามารถควบคุมได้โดยการเลียนแบบของชั้น Ni layer.These graphene สามารถโอนผ่านการสนับสนุนลิเมอร์ที่จะแนบไปยังด้านบนของกราฟีน หลังจากแกะสลัก Ni, กราฟีนสามารถประทับลงบนพื้นผิวที่ต้องการการสนับสนุนและพอลิเมอที่ได้รับการปอกเปลือกออกหรือฝังไป ใช้วิธีนี้หลายชั้นของกราฟีนสามารถประทับลงบนแต่ละอื่น ๆ เพื่อลดความต้านทาน เนื่องจากการหมุนค่อนข้างชั้นอื่น ๆ , กราไฟท์ turbostratic ไม่ได้มี Bernal ซ้อนจึง graphene ชั้นเดียวแทบจะไม่เปลี่ยนแปลงคุณสมบัติอิเล็กทรอนิกส์ของพวกเขาเนื่องจากพวกเขามีปฏิสัมพันธ์เล็กน้อยกับชั้นอื่น ๆ [1] การใช้ทองแดงนิกเกิลแทนการปลูกผลพื้นผิวใน graphene ชั้นเดียวที่มีน้อยกว่า 5% ของกราฟีนไม่กี่ชั้นซึ่งจะไม่เติบโตขนาดใหญ่ที่มีเวลา [13] ลักษณะการทำงานนี้ควรจะเกิดจากการละลายต่ำของคาร์บอนใน Cu ด้วยเหตุนี้แบ้และเพื่อนร่วมงานการพัฒนาการผลิตม้วนไปม้วนของกราฟีนขนาด 30 นิ้ว [1] ใช้ CVD ชั้นกราฟีนขนาด 30 นิ้วได้รับการปลูกในฟอยล์ทองแดงและโอนแล้วลงบนแผ่นฟิล์ม PET โดยกระบวนการม้วนไปม้วน ซีวีดียังช่วยให้ยาสลบของกราฟีนเช่นกับ HNO3 ในการสั่งซื้อเพื่อลดความต้านทาน แบ้และเพื่อนร่วมงานซ้อนกันสี่ชั้นเจือของกราฟีนลงบนแผ่นฟิล์ม PET และผลิตแผงหน้าจอสัมผัสที่ทำงานได้อย่างสมบูรณ์ มันมีประมาณ 90% การส่งผ่านแสงและประมาณ 30 ต่อตารางต้านทานซึ่งจะดีกว่าการทดสอบประสิทธิภาพ ITO.The กลพบว่าการต่อสู้ที่สูงมากของกราฟีนเมื่อเทียบกับ ITO ในความเป็นจริงไม่ได้ resiliance จำกัด โดยกราฟีนเอง แต่โดยขั้วสีเงินที่แนบมา สรุปผู้เขียนระบุว่าผลการดำเนินงานแสงและไฟฟ้าของกราฟีนที่จัดทำโดย บริษัท ซีวีดีอยู่ในระดับสูงมาก แต่ความบริสุทธิ์ซึ่งจะเป็นสิ่งที่จำเป็นสำหรับการวิจัยในห้องปฏิบัติการไม่ได้รับ ในทางตรงกันข้ามการผลิตจึง graphene ชั้นสามารถขนาดใหญ่มากและจะได้รับได้อย่างง่ายดายในปริมาณมาก ความซับซ้อนค่อนข้างต่ำเนื่องจากซีวีดีเป็นวิธีการที่รู้จักกันดีและมักจะใช้ในอุตสาหกรรม จึงมีความจำเป็นในการพัฒนาเครื่องใหม่หรือไม่มีเทคนิค นอกจากนี้การควบคุมที่สมบูรณ์แบบของผลลัพธ์ที่จะได้รับเช่นเดียวกับพา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สะสมไอเคมีคือกระบวนการที่รู้จักกันดีซึ่งพื้นผิวสัมผัสกับก๊าซสารประกอบ สารประกอบเหล่านี้เน่าบนพื้นผิวในการปลูกฟิล์มบางส่วน โดยผลิตภัณฑ์ที่ระเหย มีหลายวิธีที่แตกต่างกันเพื่อให้บรรลุนี้เช่นโดยความร้อนตัวอย่างเส้นใย หรือพลาสมา กราฟีนสามารถปลูกโดยการเปิดเผยของชั้นฟิล์มกับแก๊สผสมของ H2 ,ร่างและ AR ที่ประมาณ 1000 องศา C [ 12 ] ก๊าซมีเทนสลายตัวบนพื้นผิว เพื่อให้ hydrogene ระเหย คาร์บอนกระจายใน Ni ภาพบรรยากาศเมื่อเย็นลงใน AR , graphene ชั้นเติบโตบนพื้นผิว , กระบวนการคล้ายกับผมกระจายวิธีการ ดังนั้น ตัวเลขเฉลี่ยของชั้นขึ้นอยู่กับผมหนา และสามารถควบคุมได้ในลักษณะนี้ นอกจากนี้รูปร่างของกราฟีนสามารถควบคุมโดยการเลียนแบบของชั้นชั้น ชั้น graphene เหล่านี้สามารถโอนผ่านทางสนับสนุน โพลีเมอร์ ซึ่งจะแนบลงบนด้านบนของกราฟีน . หลังจากกัดผม , graphene สามารถประทับลงบนพื้นผิวที่ต้องการและพอลิเมอร์สนับสนุนได้รับการปอกเปลือกออก หรือฝังไปใช้วิธีนี้หลายชั้นของกราฟีนสามารถประทับลงบนแต่ละอื่น ๆเพื่อลดความต้านทาน เนื่องจากการหมุนค่อนข้างไปยังชั้นอื่น ๆ , กราไฟท์ turbostratic ไม่มีนาลซ้อนและจากนั้นเดี่ยว graphene ชั้นแทบจะเปลี่ยนคุณสมบัติอิเล็กทรอนิกส์ของพวกเขา เนื่องจากพวกเขาโต้ตอบเทียบกับชั้นอื่น ๆ [ 1 ]การใช้ทองแดงแทนของนิกเกิลเติบโตพื้นผิวผลลัพธ์ในชั้นเดียวกับน้อยกว่า 5% ของ graphene graphene ชั้นน้อย ซึ่งไม่เติบโตขนาดใหญ่กับเวลา [ 13 ] พฤติกรรมนี้น่าจะเกิดจากการละลายของคาร์บอนต่ำในจุฬาฯ ด้วยเหตุนี้ เบ และเพื่อนร่วมงานพัฒนาม้วนไปม้วนผลิต 30 นิ้ว กราฟีน [ 1 ] โดยใช้ CVD ,30 นิ้วชั้น graphene ที่ปลูกบนแผ่นทองแดงและจากนั้นย้ายไปยังสัตว์เลี้ยงม้วนม้วนฟิล์มโดยกระบวนการ โรคหัวใจและหลอดเลือด นอกจากนี้ยังช่วยให้มีการเติมของ graphene เช่นกับกรดดินประสิว เพื่อลดความต้านทาน เบและเพื่อนร่วมงานซ้อนกันสี่ชั้นของกราฟีนลงด้วย PET ฟิล์มและจึงผลิตแผงหน้าจอสัมผัสอย่างเต็มที่มันมีประมาณร้อยละ 90 และการส่งผ่านแสงประมาณ 30 ตารางเมตรละองความต้านทาน ซึ่งเหนือกว่า อิโตะ การทดสอบประสิทธิภาพเครื่องกล มีค่ามาก การต่อสู้ของกราฟีน เปรียบเทียบกับ อิโตะ ในความเป็นจริง resiliance ไม่กัดด้วยกราฟีนเอง แต่โดยการแนบเงินขั้วไฟฟ้าโดยผู้เขียนกล่าวว่า แสงและไฟฟ้าของกราฟีนที่เตรียมโดยวิธีประสิทธิภาพสูงมาก แต่ความบริสุทธิ์ ซึ่งเป็นห้องปฏิบัติการวิจัย , ไม่ระบุ . บนมืออื่น ๆ , จึงผลิตกราฟีน ชั้นจะใหญ่มาก และหาได้ง่ายในปริมาณมาก ความซับซ้อนค่อนข้างต่ำเนื่องจาก CVD เป็นวิธีที่รู้จักกันดีและมักจะใช้ในอุตสาหกรรม ดังนั้นมันไม่มีความจำเป็นที่จะพัฒนาเครื่องจักรใหม่หรือเทคนิค นอกจากนี้ การควบคุมที่สมบูรณ์ของผลที่ได้รับ ตลอดจน transportability .