Details about defect formation on d

Details about defect formation on doping of ATLS by aliovalent dopants
can be found in [36].
FromFig. 3, it can be concluded that the surface is catalytically active
regarding the oxygen incorporation reaction. It is obvious that the
oxygen concentration near the surface is even for the undoped sample
LSO sufficiently high (near 10%) under the conditions chosen.
In Fig. 5, the surface exchange coefficients are plotted against the inverse
temperature. All samples exhibit a typical Arrhenius behaviour
meaning that the surface incorporation reaction is thermally activated.
Obviously doping with Al, Mg and Fe increases the incorporation rate
of oxygen into the ATLS. Except for the iron doping where the results
are not clear, the other two doping elements increase the exchange
rate by one order of magnitude.
The doped samples exhibit higher surface concentrations as well
as higher surface exchange coefficients as compared to the undoped
sample. This indicates that doping has a direct influence to the oxygen
incorporation reaction most probably due to allocation of electrons by
transition metals to the oxygen dissociation step. Additionally, the increased
favourability of the interstitial sites (ability of the dopants to potentially
increase the coordination sphere above four) could contribute
to a higher incorporation rate as well.
Because the iron-doped sample does not show clearly higher surface
exchange coefficients than the other doped samples, it can be concluded
that iron cannot be reduced and thus provide electrons under the oxidative
conditions of the diffusion experiments. Electrons can neither be
provided by the ATLS which is a pure ionic conductor.
A comparison of the diffusion depths in Fig. 3a and b shows that the
diffusion in the undoped material is much slower than in the doped
samples. The diffusion depth in LSO is up to ten times less than in the
doped ATLS.
This is of course reflected in the self-diffusivities presented in
Table 3. The diffusivities of the doped materials are one to two orders
of magnitude higher than in the undoped material.
The reason for the higher diffusivities in the doped samples lies on
the increased displacement of the oxygen ions into the channels along
the c-axis where they can move interstitially. The trend found in this
study is LSO «LFSO b LASO ≤ LMSO.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รายละเอียดเกี่ยวกับการก่อความบกพร่องเกี่ยวกับยาสลบของ ATLS โดยสารเจือ aliovalent
สามารถพบได้ใน [36].
FromFig 3 ก็สามารถสรุปได้ว่าพื้นผิวที่เป็นตัวเร่งปฏิกิริยา
ที่เกี่ยวกับปฏิกิริยาการรวมตัวของออกซิเจน เป็นที่ชัดเจนว่า
ความเข้มข้นของออกซิเจนที่อยู่ใกล้พื้นผิวแม้สำหรับตัวอย่างโคบอลต์
LSO สูงพอ (ใกล้ 10%) ภายใต้เงื่อนไขที่ได้รับการแต่งตั้ง.
ในรูป 5, ค่าสัมประสิทธิ์การแลกเปลี่ยนพื้นผิวมีการวางแผนกับผกผัน
อุณหภูมิ ตัวอย่างทั้งหมดแสดงพฤติกรรม Arrhenius ทั่วไป
หมายความว่าพื้นผิวที่เกิดปฏิกิริยาการรวมตัวจะมีการใช้ความร้อน.
เห็นได้ชัดว่ายาสลบกับอัล, Mg และเฟเพิ่มอัตราการรวมตัว
ของออกซิเจนเข้าสู่ ATLS ยกเว้นยาสลบเหล็กที่ผล
ไม่ชัดเจนอีกสององค์ประกอบยาสลบเพิ่มแลกเปลี่ยน
อัตราโดยหนึ่งในลำดับความสำคัญ.
ตัวอย่างเจือแสดงความเข้มข้นสูงกว่าพื้นผิวได้เป็นอย่างดี
ในขณะที่ค่าสัมประสิทธิ์การแลกเปลี่ยนพื้นผิวที่สูงขึ้นเมื่อเทียบกับโคบอลต์
ตัวอย่าง นี้บ่งชี้ว่ายาสลบมีอิทธิพลโดยตรงกับออกซิเจน
เกิดปฏิกิริยาการรวมตัวกันมากที่สุดอาจเนื่องมาจากการจัดสรรของอิเล็กตรอนโดย
โลหะการเปลี่ยนแปลงไปยังขั้นตอนการแยกตัวออกออกซิเจน นอกจากนี้การเพิ่มขึ้น
favourability ของเว็บไซต์สิ่งของ (ความสามารถของสารเจือปนที่อาจ
เพิ่มการประสานงานทรงกลมสี่ข้างต้น) อาจนำ
ไปสู่การจัดตั้งขึ้นในอัตราที่สูงขึ้นเช่นกัน.
เพราะตัวอย่างเหล็กเจือไม่ได้แสดงให้เห็นอย่างชัดเจนพื้นผิวสูงกว่า
ค่าสัมประสิทธิ์การแลกเปลี่ยนกว่าที่อื่น ๆ ตัวอย่างเจือก็สามารถสรุปได้
ว่าเหล็กไม่สามารถจะลดลงจึงให้อิเล็กตรอนภายใต้ออกซิเดชัน
เงื่อนไขของการทดลองการแพร่กระจาย อิเล็กตรอนไม่สามารถนำมา
จัดไว้ให้โดย ATLS ซึ่งเป็นตัวนำอิออนบริสุทธิ์.
การเปรียบเทียบความลึกแพร่กระจายในรูป 3a และ B แสดงให้เห็นว่า
การแพร่กระจายในวัสดุโคบอลต์จะได้ช้ากว่าในเจือ
ตัวอย่าง ความลึกของการแพร่กระจายใน LSO เป็นถึงสิบครั้งน้อยกว่าใน
ATLS เจือ.
นี้แน่นอนสะท้อนให้เห็นในสัมประสิทธิ์การแพร่ตัวเองนำเสนอใน
ตารางที่ 3 สัมประสิทธิ์การแพร่ของวัสดุเจือมีหนึ่งถึงสองคำสั่ง
ของขนาดสูงกว่าในโคบอลต์ วัสดุ.
เหตุผลในการแพร่ที่สูงขึ้นในกลุ่มตัวอย่างที่เจืออยู่บน
รางที่เพิ่มขึ้นของออกซิเจนไอออนเป็นช่องทางพร้อม
คแกนที่พวกเขาสามารถย้าย interstitially แนวโน้มพบใน
การศึกษาเป็น LSO « LFSO ข LASO ≤ LMSO

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รายละเอียดเกี่ยวกับข้อบกพร่องในการก่อตัวของ atls โดย aliovalent ใน
สามารถพบได้ใน [ 36 ] .
fromfig . 3 สรุปได้ว่า ผิว catalytically ปราดเปรียว
เกี่ยวกับออกซิเจน การเกิดปฏิกิริยา เป็นที่ชัดเจนว่า
ความเข้มข้นของออกซิเจนใกล้พื้นผิวแม้สำหรับเคมีไฟฟ้าตัวอย่าง
lSO สูงอย่างเพียงพอ ( ใกล้ 10% ) ภายใต้เงื่อนไขเลือก .
ในรูปที่ 5พื้นผิวตรา ) งัดข้อกับอุณหภูมิผกผัน

ตัวอย่างที่แสดงความหมายของพฤติกรรม
ทั่วไปที่ผิวได้รับการกระตุ้นปฏิกิริยาการเติม อัลโท่ .
, Mg Fe และเพิ่มอัตราการเข้า atls
ออกซิเจน . ยกเว้นเหล็กยาสลบที่ผล
ไม่แน่ชัดอีกสององค์ประกอบการเพิ่มตรา
คะแนนโดยหนึ่งอันดับของขนาด .
เจือตัวอย่างมีความเข้มข้นสูงกว่าพื้นผิวเช่นกัน
เป็นสูงกว่าพื้นผิวตรา ) เมื่อเทียบกับตัวอย่างเคมีไฟฟ้า

นี้บ่งชี้ว่า การได้รับอิทธิพลโดยตรงต่อออกซิเจน
ประสานปฏิกิริยามากที่สุดอาจเนื่องจากการจัดสรรของอิเล็กตรอนโดย
การเปลี่ยนโลหะกับออกซิเจนแตกตัวขั้นตอน นอกจากนี้ การเพิ่มขึ้นของเว็บไซต์ (
favourability interstitial ของความสามารถในการเพิ่มการประสานงานอาจ
ทรงกลมด้านบนสี่ ) อาจส่งผลให้อัตราการ

ที่สูงเช่นกัน เพราะเหล็กเจือตัวอย่างไม่ชัดสูงกว่าพื้นผิว
ตราค่ามากกว่าอื่น ๆด้วยตัวอย่างสรุปได้
จะเหล็กจะลดลง จึงให้อิเล็กตรอนภายใต้สภาวะออกซิเดชัน
การแพร่ของการทดลอง อิเล็กตรอนสามารถไม่สามารถ
โดย atls ซึ่งเป็นบริสุทธิ์ไอออนพกส.
การกระจายความลึกในรูปที่ 3A และ B แสดงว่า
การแพร่ในวัสดุโลหะในสารประกอบจะช้ากว่าในเจือ
ตัวอย่างการกระจายความลึกใน lSO ถึงสิบครั้งน้อยกว่าในการเจือ atls
.
ของหลักสูตรนี้เป็นสะท้อนให้เห็นในตนเอง diffusivities นำเสนอ
โต๊ะ 3 การ diffusivities ของเจือวัสดุเป็นหนึ่งที่จะสั่งของ
ขนาดสูงกว่าวัสดุเคมีไฟฟ้า .
เหตุผลสูงกว่าในตัวอย่าง diffusivities เจืออยู่
การเพิ่มขึ้นของออกซิเจนไอออนในช่องทางตาม
c-axis ที่พวกเขาสามารถย้าย interstitially . แนวโน้มที่พบในการศึกษาครั้งนี้ คือ «
lSO lfso B มีส≤ lmso .