Results and discussionFor the fabri

Results and discussion
For the fabricated COB and COM packages, the chip junction temperature and thermal resistance of the 2 LED package types were measured. The parameters during the measurement were as shown in Table 2 where the input current was 1 A. For the COM package, the forward voltage was 12.13 V, the input power dissipation was 12.13 W, and the COM package chip junction temperature was 34.65 °C when the ambient temperature was 26.25 °C. A temperature difference of 8.4 °C between the ambient temperature and chip junction temperature was observed. For the COB package, the forward voltage was 11.79 V, the input power dissipation was 11.79 W, and the COB package chip junction temperature (Tj) was 45.28 °C when the ambient temperature was 25.83 °C. A temperature difference of 17.7 °C was observed between the ambient temperature and the chip junction temperature. With regard to the chip junction temperature of the 2 package types, it was observed that the COM package Tj=34.64 °C

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลและการอภิปรายสำหรับประดิษฐ์ซังและ COM แพคเกจ ถูกวัดความชิแยกอุณหภูมิและความร้อนต้านทานชนิดแพคเกจ LED 2 พารามิเตอร์ในระหว่างการประเมินได้ดังแสดงในตารางที่ 2 ซึ่งปัจจุบันอินพุตเป็น 1 a สำหรับแพคเกจ COM, 12.13 V เป็นแรงดันไปข้างหน้า กระจายพลังงานอินพุท 12.13 W และอุณหภูมิแยกชิคเกจ COM 34.65 ° C เมื่ออุณหภูมิ 26.25 องศาเซลเซียส พบว่า ที่อุณหภูมิแตกต่างกันที่ 8.4 องศาอุณหภูมิและอุณหภูมิแยกชิ สำหรับแพคเกจซัง 11.79 V เป็นแรงดันไปข้างหน้า กระจายพลังงานอินพุท 11.79 W และซังแพคเกจชิแยกอุณหภูมิ (Tj) 45.28 ° C เมื่ออุณหภูมิ องศา 25.83 ความแตกต่างอุณหภูมิ 17.7 องศาเซลเซียสพบว่า อุณหภูมิระหว่างอุณหภูมิแยกชิ เกี่ยวกับอุณหภูมิแยกชิชนิดแพคเกจ 2 พบว่า COM แพคเกจ Tj = 34.64 ° C

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

และการอภิปรายผลการค้นหา
สำหรับซังและแพคเกจ COM ประดิษฐ์อุณหภูมิแยกชิปและความต้านทานความร้อนของ 2 ประเภทแพคเกจ LED ถูกวัด พารามิเตอร์ในช่วงการวัดที่ถูกดังแสดงในตารางที่ 2 ที่เข้าปัจจุบันเป็น 1 A. สำหรับแพ็กเกจ COM ที่แรงดันไปข้างหน้าเป็น 12.13 V ที่กระจายอำนาจการป้อนข้อมูลเป็น 12.13 W, และอุณหภูมิแพคเกจ COM ชิปแยกเป็น 34.65 ° C เมื่ออุณหภูมิเป็น 26.25 ° C แตกต่างของอุณหภูมิ 8.4 องศาเซลเซียสระหว่างอุณหภูมิและแยกชิปอุณหภูมิโดยรอบเป็นที่สังเกต สำหรับแพ็กเกจซังแรงดันไปข้างหน้าเป็น 11.79 V ที่กระจายอำนาจการป้อนข้อมูลเป็น 11.79 W, และอุณหภูมิแพคเกจซังชิปแยก (TJ) เป็น 45.28 ° C เมื่ออุณหภูมิเป็น 25.83 ° C แตกต่างของอุณหภูมิ 17 7 ° C พบว่าระหว่างอุณหภูมิและอุณหภูมิแยกชิป ในเรื่องเกี่ยวกับอุณหภูมิแยกชิปของ 2 ประเภทแพคเกจที่มีมันก็ตั้งข้อสังเกตว่าแพคเกจของ COM Tj = 34.64 ° C

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลและการอภิปรายสำหรับประดิษฐ์ซังข้าว com แพคเกจชิปชุมทางอุณหภูมิและป้องกันความร้อนของ 2 LED ชนิดของแพคเกจวัด . พารามิเตอร์ในการวัดได้ ดังแสดงในตารางที่ 2 ที่ใส่ในปัจจุบัน คือ 1 . สำหรับคอมแพคเกจแรงดันไปข้างหน้าคือ 12.13 V , สัญญาณการเป็น 12.13 W และคอมแพคเกจชิปชุมทางอุณหภูมิ 34.65 ° C เมื่ออุณหภูมิเป็นองศา ความแตกต่างของอุณหภูมิ 26.25 8.4 องศาซี ระหว่างที่อุณหภูมิห้องและอุณหภูมิชุมทางชิป ) สำหรับซังแพคเกจแรงดันไปข้างหน้าเป็น 11.79 V , สัญญาณการเป็น 11.79 W และซังแพคเกจชิปชุมทางอุณหภูมิ ( TJ ) คือ 45.28 ° C ถ้าอุณหภูมิได้ 7 องศา อุณหภูมิเฉลี่ย 17.7 ° C ค่าความแตกต่างระหว่างอุณหภูมิ และชิปชุมทางอุณหภูมิ เกี่ยวกับอุณหภูมิของชิปแยกประเภท 2 แพคเกจ พบว่าคอมแพคเกจ TJ = 34.64 °องศาเซลเซียส < ซังข้าวแพคเกจ TJ = 45.28 องศา ดังนั้น คอมแพคเกจชิปชุมทางอุณหภูมิประมาณ 10 องศา C ล่าง รูปที่ 5 แสดงความต้านทานความร้อน ( t3ster mentor กราฟิกคอร์ป , USA ) การพล็อตของประเภทที่ 2 แพคเกจ