A laser diode is electrically a P-i

A laser diode is electrically a P-i-n diode. The active region of the laser diode is in the intrinsic (I) region, and the carriers, electrons and holes, are pumped into it from the N and P regions respectively. While initial diode laser research was conducted on simple P-N diodes, all modern lasers use the double-heterostructure implementation, where the carriers and the photons are confined in order to maximize their chances for recombination and light generation. Unlike a regular diode used in electronics, the goal for a laser diode is that all carriers recombine in the I region, and produce light. Thus, laser diodes are fabricated using direct bandgap semiconductors. The laser diode epitaxial structure is grown using one of the crystal growth techniques, usually starting from an N doped substrate, and growing the I doped active layer, followed by the P doped cladding, and a contact layer. The active layer most often consists of quantum wells, which provide lower threshold current and higher efficiency.[1]

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไดโอดเลเซอร์แบบไฟฟ้าเป็นไดโอดแบบ P-i-n พื้นที่ใช้งานของไดโอดเลเซอร์ใน intrinsic (I) ภูมิภาค และสาย หลุม และอิเล็กตรอนจะสูบมาจากภูมิภาค N และ P ตามลำดับ ในขณะที่ไดโอดได้ P-N เรื่องวิธีวิจัยเลเซอร์ไดโอดเริ่มต้น แสงเลเซอร์ที่ทันสมัยทั้งหมดการดำเนิน heterostructure เดี่ยว ที่การถูกคุมขังเพื่อเพิ่มโอกาสของพวกเขาสำหรับ recombination และสร้างแสงที่สายการบินและ photons ซึ่งแตกต่างจากตัวปกติไดโอดใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เป้าหมายสำหรับไดโอดแบบเลเซอร์คือ ว่า สายการบินทั้งหมด recombine ในไอภูมิภาค และผลิตไฟ ดังนั้น เลเซอร์ไดโอดได้จะ fabricated ใช้อิเล็กทรอนิกส์ bandgap โดยตรง เลเซอร์ไดโอด epitaxial โครงสร้างจะปลูกโดยใช้เทคนิคการเจริญเติบโตของผลึก มักจะเริ่มต้นจากขั้น N doped และเติบโตไอ doped ชั้นที่ใช้งานอยู่ ตาม ด้วย P doped อาคารและชั้นติดต่อ ชั้นที่ใช้งานมักประกอบด้วยบ่อ ควอนตัมให้ต่ำกว่าขีดจำกัดปัจจุบันสูงประสิทธิภาพ และ[1]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เลเซอร์ไดโอดเป็นไฟฟ้าไดโอดพิน ภูมิภาคท​​ี่ใช้งานของเลเซอร์ไดโอดที่อยู่ในที่แท้จริง (I) ภูมิภาคและผู้ให้บริการอิเล็กตรอนและหลุมจะสูบเข้าไปในนั้นจากภูมิภาคไนโตรเจนและฟอสฟอรัสตามลำดับ ในขณะที่เริ่มต้นการวิจัยไดโอดเลเซอร์ได้ดำเนินการในไดโอด PN ง่ายเลเซอร์ที่ทันสมัย​​ใช้ในการดำเนินงานสอง heterostructure ที่ให้บริการและโฟตอนจะถูกคุมขังเพื่อเพิ่มโอกาสของพวกเขาสำหรับการรวมตัวและการสร้างแสง ซึ่งแตกต่างจากไดโอดปกติใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เป้าหมายสำหรับเลเซอร์ไดโอดคือการที่ทุกสายการบินในภูมิภาค recombine ผมและผลิตไฟ ดังนั้นเลเซอร์ไดโอดจะประดิษฐ์โดยใช้ bandgap เซมิคอนดักเตอร์โดยตรง เลเซอร์ไดโอดโครงสร้าง epitaxial ปลูกโดยใช้หนึ่งในเทคนิคการเจริญเติบโตของผลึกมักจะเริ่มต้นจากพื้นผิวไม่มีเจือและการเจริญเติบโตผมเจือชั้นที่ใช้งานตามด้วย P หุ้มเจือ, และชั้นที่ติดต่อ ชั้นที่ใช้งานส่วนใหญ่มักจะประกอบด้วยหลุมควอนตัมที่ให้ปัจจุบันเกณฑ์ที่ต่ำกว่าและมีประสิทธิภาพสูง. [1]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เลเซอร์ไดโอดเป็นพลังงานไฟฟ้าไดโอด p-i-n . พื้นที่ใช้งานของเลเซอร์ไดโอดในตัว ( ผม ) ภูมิภาค และผู้ให้บริการ อิเล็กตรอนและหลุมที่ถูกสูบเข้าไปในมัน จาก N และ P ภูมิภาคตามลำดับ ในขณะที่การวิจัยไดโอดเลเซอร์เริ่มต้นดำเนินการใน p-n ไดโอดเลเซอร์ที่ทันสมัย ใช้งานง่าย การใช้โครงสร้างของคู่ที่ผู้และโฟตอนถูกคุมขังเพื่อเพิ่มโอกาสของพวกเขาสำหรับการรวมตัวกัน และสร้างแสง ซึ่งแตกต่างจากปกติ ไดโอดที่ใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เป้าหมายเลเซอร์ไดโอดที่ทุกสายการบินแขกในฉัน ภูมิภาค และผลิตแสง ดังนั้น , เลเซอร์ไดโอดเป็นประดิษฐ์โดยใช้สารกึ่งตัวนำ bandgap โดยตรงเลเซอร์ไดโอดโครงสร้าง epitaxial ปลูกโดยใช้หนึ่งในผลึกเทคนิคมักจะเริ่มต้นจาก N เจือสารตั้งต้น และเติบโตผมเจือกลบเลเยอร์ ตามด้วย p เจือ cladding และติดต่อชั้น ชั้นใช้งานส่วนใหญ่มักจะประกอบด้วยควอนตัมเวลล์ ซึ่งให้ลดเกณฑ์ปัจจุบัน [ 1 ] และประสิทธิภาพที่สูงขึ้น