The design, operation, and applicat

The design, operation, and application of a novel solar simulator based on a high-power supercontinuum fiber laser are described. The simulator features a multisun irradiance with continuous spectral coverage from the visible to the infrared. By use of a prism-based spectral shaper, the simulator can be matched to any desired spectral profile, including the ASTM G-173-03 air-mass 1.5 reference spectrum. The simulator was used to measure the efficiency of gallium arsenide (GaAs), crystalline silicon (Si), amorphous Si, and copper-indium-gallium-selenide (CIGS) thin-film solar cells, showing agreement with independent measurements. The pulsed temporal characteristic of the simulator was studied and would appear to have a negligible influence on measured cell efficiency. The simulator light was focused to a spot of approximately 8 μm in diameter and used to create micrometer-scale spatial maps of full spectrum optical-beam-induced current. Microscopic details such as grid lines, damage spots, and material variations were selectively excited and resolved on GaAs and CIGS cells. The spectral shaping capabilities were used to create output spectra appropriate for selectively light-biasing multijunction cell layers. The simulator was used to create variable blue-rich and red-rich spectra that were applied to a GaInP/GaAs tandem solar cell to illustrate the current-limiting behavior.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อธิบายการออกแบบ การดำเนินการ และใช้จำลองแสงอาทิตย์นวนิยายตามเลเซอร์ไฟเบอร์ supercontinuum กำลังแรงสูง จำลองที่มี irradiance multisun มีความครอบคลุมสเปกตรัมต่อเนื่องจากการมองเห็นได้อินฟราเรด โดยใช้ปริซึมใช้ shaper สเปกตรัม จำลองที่สามารถจับคู่ใด ๆ ต้องสเปกตรัมโปรไฟล์ รวมคลื่นมวลอากาศ 1.5 ข้อมูลอ้างอิงมาตรฐาน ASTM G-173-03 จำลองที่ใช้ในการวัดประสิทธิภาพของแกลเลียม arsenide (GaAs), ผลึกซิลิคอน (Si), ศรีไป และทองแดงอินเดียมแกลเลียม-selenide (CIGS) แบบฟิล์ม เซลล์แสงอาทิตย์ แสดงข้อตกลงการประเมินอิสระ ลักษณะชั่วคราวพัลของจำลองที่ถูกศึกษา และจะปรากฏมีอิทธิพลระยะเซลล์วัดประสิทธิภาพ แสงจำลองมุ่งเน้นไปจุดของ μm ในเส้นผ่าศูนย์กลางประมาณ 8 และใช้ในการสร้างแผนที่พื้นที่ไมโครมิเตอร์สเกลเต็มสเปกตรัมแสงแสงเกิดปัจจุบัน รายละเอียดกล้องจุลทรรศน์เช่นเส้น จุดเสีย และรูปแบบวัสดุได้เลือกที่จะตื่นเต้น และแก้ไขบน GaAs และ CIGS เซลล์ ใช้ความสามารถในการ shaping สเปกตรัมเพื่อสร้างผลผลิตแรมสเป็คตราที่เหมาะสมสำหรับเลือกไฟ biasing ชั้นเซลล์ multijunction แบบจำลองที่ใช้สร้างตัวแปรอุดมไป ด้วยสีฟ้า และแดงริชแรมสเป็คตราที่ใช้กับเซลล์แสงอาทิตย์ GaInP/GaAs ตัวตามกันไปเพื่อแสดงพฤติกรรมจำกัดปัจจุบัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การออกแบบการดำเนินงานและการประยุกต์ใช้พลังงานแสงอาทิตย์จำลองนิยายบนพื้นฐานของพลังงานสูง supercontinuum เส้นใยเลเซอร์จะมีการอธิบาย จำลองมีรังสี multisun ที่มีความคุ้มครองต่อเนื่องมาจากสเปกตรัมที่มองเห็นได้อินฟราเรด โดยการใช้จำลองสเปกตรัมปริซึมที่ใช้จำลองสามารถจับคู่กับรายละเอียดใด ๆ สเปกตรัมที่ต้องการรวมทั้ง ASTM G-173-03 เครื่องมวล 1.5 สเปกตรัมอ้างอิง จำลองที่ใช้ในการวัดประสิทธิภาพของแกลเลียม arsenide (GaAs) ผลึกซิลิคอน (Si), อสัณฐานศรีและทองแดงอินเดียมแกลเลียม--selenide (CIGS) ฟิล์มบางเซลล์แสงอาทิตย์แสดงข้อตกลงกับวัดอิสระ ลักษณะชั่วคราวชีพจรของจำลองการได้รับการศึกษาและจะปรากฏจะมีอิทธิพลสำคัญในการวัดประสิทธิภาพของเซลล์ แสงจำลองที่ได้รับการมุ่งเน้นไปยังจุดที่ประมาณ 8 ไมโครเมตรในเส้นผ่าศูนย์กลางและใช้ในการสร้างแผนที่เชิงพื้นที่ไมโครเมตรขนาดของคลื่นเต็มรูปแบบออปติคอลคานที่เกิดขึ้นในปัจจุบัน รายละเอียดกล้องจุลทรรศน์เช่นเส้นกริดจุดความเสียหายและรูปแบบวัสดุที่มีความตื่นเต้นการคัดเลือกและมีมติเมื่อวันที่ GaAs และเซลล์ CIGS ความสามารถในการสร้างรางถูกนำมาใช้ในการสร้างสเปกตรัมการส่งออกที่เหมาะสมสำหรับการคัดเลือกให้น้ำหนักเบาชั้นเซลล์ multijunction จำลองถูกใช้ในการสร้างสเปกตรัมสีฟ้าและสีแดงที่อุดมไปด้วยที่อุดมไปด้วยตัวแปรที่ถูกนำไปใช้กับ GaInP / GaAs ตีคู่เซลล์แสงอาทิตย์เพื่อแสดงให้เห็นพฤติกรรมในปัจจุบัน จำกัด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

งานออกแบบ และการนำนวนิยายแสงอาทิตย์ตามรูปภาพ supercontinuum ไฟเบอร์เลเซอร์จะอธิบาย จำลองคุณสมบัติดังกล่าว multisun อย่างต่อเนื่องกับการคุ้มครองจากการมองเห็นและอินฟราเรด โดยการใช้ปริซึมตามสเปกตรัม shaper จำลองสามารถจับคู่กับใด ๆที่ต้องการข้อมูลสเปกตรัมรวมทั้ง ASTM g-173-03 มวลอากาศ 1สเปคตรัม 5 อ้างอิง จำลองที่ใช้วัดประสิทธิภาพของแกลเลียมอาร์เซไนด์ ( GaAs ) ผลึกซิลิกอน ( Si ) , ไปซื่อ และอินเดียมแกลเลียม selenide ทองแดง ( CIGS ) ฟิล์มบางเซลล์แสงอาทิตย์ , แสดงความตกลงด้วยการวัดที่เป็นอิสระ Pulsed ชั่วคราวลักษณะจําลองศึกษาและจะปรากฏที่จะมีอิทธิพลโดยเซลล์วัดประสิทธิภาพแสงจำลองได้เน้นไปยังจุดที่ประมาณ 8 μขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางที่ใช้ในการสร้างหน้าขนาดพื้นที่แผนที่ของสเปกตรัมแสงเต็มแสงกระแสไฟฟ้าเหนี่ยวนำ . กล้องจุลทรรศน์รายละเอียดเช่นเส้น , จุดที่เสียหาย และการเปลี่ยนแปลงวัสดุที่เลือกตื่นเต้นและแก้ไขบน GaAs CIGS และเซลล์สเปกตรัมการสร้างความสามารถที่ใช้ในการสร้างผลผลิตให้เหมาะสม เลือกแสงขยายชั้นเซลล์ multijunction . จำลองถูกใช้เพื่อสร้างและรวยรวยโดยตัวแปรสีน้ำเงินแดงที่ใช้กับ gainp / GaAs ตีคู่เซลล์แสงอาทิตย์เพื่อแสดงปัจจุบันจำกัดพฤติกรรม