Table 12.1 Various deposition processes used for depositing amorphous silicon-based materials
Processes
Maximum ratea [A/s]
Advantages
Disadvantages
Manufacturers
Reference
RF PECVD
3
High quality, uniform
Slow
Many
[77-79]
DC PECVD
3
High quality, uniform
Slow
BP Solar
[66, 67]
VHF PECVD
20
High quality, fast especially for nc-Si
Poor uniformity
Oerlikon Solar, Sharp
[68, 94]
Microwave
PECVD
100
Very fast
Film quality not as good
Canon
[70]
Hot-wire
50
Very fast
Poor uniformity
None
[71, 72]
Photo-CVD
1
High quality
Slow
None
[73, 74]
Sputtering
3
ตารางที่ 12.1 ต่างๆของกระบวนการที่ใช้สำหรับฝากใช้วัสดุอสัณฐานกระบวนการสูงสุด ratea [ / s ]ข้อดีข้อเสียผู้ผลิตอ้างอิงRF pecvd3 .คุณภาพสูง , เครื่องแบบช้าหลาย[ 77-79 ]pecvd DC3 .คุณภาพสูง , เครื่องแบบช้าBP พลังงานแสงอาทิตย์[ 66 , 67 ]pecvd VHF20คุณภาพสูง รวดเร็ว โดยเฉพาะ NC ศรีความ ยากจนเออร์ลิคอนพลังงานแสงอาทิตย์ , คม94 [ 68 ]ไมโครเวฟpecvd100ที่รวดเร็วมากไม่ได้คุณภาพฟิล์มดีแคนนอน[ 70 ]ลวดร้อน50ที่รวดเร็วมากความ ยากจนไม่มี[ 71 , 72 ]ภาพถ่าย ซีวีดี1ที่มีคุณภาพสูงช้าไม่มี[ 73 , 74 ]สปัตเตอริง3 .
การแปล กรุณารอสักครู่..
