Here, the ohmic serialresistance (R

Here, the ohmic serial
resistance (Rs) is associated with the series resistance of the electrolytes
and electric contacts in the W-typed DSSMs. These three
semicircles indicated the Rs, R1, R2, and R3 of an equivalent circuit,
as shown under the table. With the exception of R3, the values increased
with increasing TiO2 film width, particularly the Rs values,
which means that the ohmic serial resistance on FTO glass was significantly
larger, depending on the TiO2 film width. The surface
resistance

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่นี่ ประจำแบบโอห์มมิคความต้านทาน (Rs) จะสัมพันธ์กับความต้านทานของชุดของไลต์และติดต่อไฟฟ้าใน DSSMs พิมพ์ W สามเหล่านี้semicircles ระบุ Rs, R1, R2 และ R3 ของวงจรเทียบเท่าแสดงภายใต้ตาราง ยกเว้น R3 ค่าเพิ่มขึ้นกว้างฟิล์ม TiO2 เพิ่มขึ้น โดยเฉพาะอย่างยิ่งค่า Rsซึ่งหมายความว่าต้านทานอนุกรมแบบโอห์มมิคบนแก้ว FTO เป็นอย่างมากขนาดใหญ่ ขึ้นอยู่กับความกว้างของฟิล์ม TiO2 พื้นผิวความต้านทาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นี่อนุกรม ohmic
ต้านทาน (อาร์เอส) มีความเกี่ยวข้องกับความต้านทานชุดของอิเล็กโทร
และรายชื่อไฟฟ้าใน DSSMs W-พิมพ์ ทั้งสาม
semicircles ระบุอาร์เอส, R1, R2 และ R3 ของวงจรเทียบเท่า
ตามที่ปรากฏอยู่ใต้โต๊ะ ด้วยข้อยกเว้นของ R3 ค่านิยมที่เพิ่มขึ้น
ด้วยการเพิ่มความกว้างของฟิล์ม TiO2 โดยเฉพาะอย่างยิ่งค่าอาร์เอส,
ซึ่งหมายความว่าความต้านทานอนุกรม ohmic บนกระจก FTO อย่างมีนัยสำคัญ
ที่มีขนาดใหญ่ขึ้นอยู่กับความกว้างของฟิล์ม TiO2 พื้นผิว
ต้านทาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่นี่ ค่าความต้านทานอนุกรม
( RS ) จะเกี่ยวข้องกับชุดความต้านทานติดต่อไลท์
และไฟฟ้าใน w-typed dssms . เหล่านี้สาม
semicircles ( RS , R1 , R2 , R3 ของเทียบเท่าวงจร
ที่แสดงอยู่ใต้โต๊ะ ด้วยข้อยกเว้นของอาร์ทรี ค่าเพิ่มขึ้น
เพิ่มความกว้าง ) ภาพยนตร์ โดยเฉพาะอย่างยิ่ง Rs
,ซึ่งหมายความว่า ค่าความต้านทานอนุกรมกับ FTO แก้วอย่างมีนัยสำคัญ
ขนาดใหญ่ขึ้นอยู่กับความกว้างของฟิล์ม TiO2 . ความต้านทานพื้นผิว