This is the simplest etching techno

This is the simplest etching technology. All it requires is a container with a liquid solution that will dissolve the material in question. Unfortunately, there are complications since usually a mask is desired to selectively etch the material. One must find a mask that will not dissolve or at least etches much slower than the material to be patterned. Secondly, some single crystal materials, such as silicon, exhibit anisotropic etching in certain chemicals. Anisotropic etching in contrast to isotropic etching means different etch rates in different directions in the material. The classic example of this is the crystal plane sidewalls that appear when etching a hole in a silicon wafer in a chemical such as potassium hydroxide (KOH). The result is a pyramid shaped hole instead of a hole with rounded sidewalls with a isotropic etchant. The principle of anisotropic and isotropic wet etching is illustrated in the figure below

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นี่คือเทคโนโลยีการแกะสลักง่ายที่สุด ที่บรรจุสารละลายของเหลวที่จะละลายวัสดุในคำถามทั้งหมดที่ต้องได้ อับ มีภาวะแทรกซ้อนตั้งแต่ปกติ หน้ากากเป็นที่ต้องการจะเลือกกัดวัสดุ หนึ่งต้องหาหน้ากากที่จะละลาย หรือบนชั้นน้อย มากช้ากว่าวัสดุที่มีลวดลาย ประการที่สอง วัสดุคริสตัลบาง เช่นซิลิคอน แสดงแกะสลักศาตร์ในสารเคมีบางอย่าง แกะสลักศาตร์ข้ามหมายถึง isotropic แกะสลักต่าง ๆ สลักในทิศทางที่แตกต่างกันในวัสดุ ตัวอย่างคลาสสิกนี้คือ ท่อระบายของระนาบผลึก < 111 > ที่ปรากฏขึ้นเมื่อการกัดหลุมในแผ่นซิลิคอน < 100 > มีในสารเคมีเช่นโพแทสเซียมไฮดรอกไซด์ (เกาะ) ผลคือ พีระมิดรูปหลุมแทนหลุมด้วยท่อระบายโค้งมนกับ etchant เป็น isotropic หลักการของศาตร์ และ isotropic แกะสลักเปียกเป็นดังภาพด้านล่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นี้เป็นเทคโนโลยีการแกะสลักที่ง่าย ทั้งหมดจะต้องเป็นภาชนะที่มีวิธีการแก้ปัญหาสภาพคล่องที่จะละลายวัสดุในคำถาม แต่น่าเสียดายที่มีภาวะแทรกซ้อนเนื่องจากมักจะเป็นหน้ากากที่เป็นที่ต้องการที่จะเลือกวัสดุที่กัด หนึ่งจะต้องพบกับหน้ากากที่จะไม่ละลายหรืออย่างน้อย etches ช้ากว่าวัสดุที่จะมีลวดลาย ประการที่สองบางวัสดุผลึกเดี่ยวเช่นซิลิกอนแสดงการแกะสลัก anisotropic ในสารเคมีบางอย่าง แกะสลัก anisotropic ในทางตรงกันข้ามกับการแกะสลัก isotropic หมายความว่าอัตราจำหลักที่แตกต่างกันไปในทิศทางที่แตกต่างกันในวัสดุ ตัวอย่างคลาสสิกนี้เป็นชิด <111> คริสตัลเครื่องบินที่ปรากฏขึ้นเมื่อแกะสลักหลุมใน <100> ซิลิคอนเวเฟอร์ในสารเคมีเช่นโพแทสเซียมไฮดรอกไซ (เกาะ) ผลที่ได้คือปิรามิดรูปหลุมแทนหลุมกลมชิดกับ etchant isotropic หลักการของการแกะสลักและ anisotropic เปียก isotropic แสดงอยู่ในรูปด้านล่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นี้เป็นเทคโนโลยีที่พบมากที่สุด มันต้องเป็นภาชนะด้วยสารละลายที่เป็นของเหลวจะละลายวัสดุในคำถาม ขออภัย ไม่มีภาวะแทรกซ้อน เนื่องจากโดยปกติหน้ากากที่ต้องการที่จะเลือกที่กัดกร่อน วัสดุ ต้องไปหาหน้ากากนั้นจะไม่ละลายหรืออย่างน้อยเคทูดสามารถถูกกัดช้ากว่าวัสดุเป็นลวดลาย ประการที่สองวัสดุผลึกเดี่ยว เช่น ซิลิคอน จัดแสดง Anisotropic แกะสลักในสารเคมีบางอย่าง Anisotropic แกะสลักในทางตรงกันข้ามกับ isotropic แกะสลักหมายถึงแตกต่างกันกัดอัตราในทิศทางที่แตกต่างกันในวัสดุ ตัวอย่างคลาสสิกของนี่คือ < 111 > คริสตัลระนาบด้านข้างที่ปรากฏเมื่อปลูกในหลุม < 100 > ซิลิคอนเวเฟอร์ ในทางเคมี เช่น โพแทสเซียมไฮดรอกไซด์ ( KOH ) ผลเป็นรูปทรงพีระมิดแทนที่จะเป็นหลุมหลุมด้านข้างโค้งมนด้วย etchant แบบ . หลักการของทิศทาง isotropic แกะสลักเปียกและจะแสดงในรูปด้านล่าง