Figure 41-19 A circuit containing a

Figure 41-19 A circuit containing a generalized
field-effect transistor through which
electrons flow from the source terminal S
to the drain terminal D. (The conventional
current IDS is in the opposite direction.)
The magnitude of IDS is controlled by the
electric field set up within the FET by a
potential applied to G, the gate terminal

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

41-19 รูปวงจรที่มีทั่วไป
ทรานซิสเตอร์สนามผลที่ผ่านการไหลของอิเล็กตรอน

จากสถานีต้นทางไปยังท่อระบายน้ำขั้ว d (รหัสเดิม
ปัจจุบันอยู่ในทิศทางที่ตรงข้าม.)
ความสำคัญของรหัสที่ถูกควบคุมโดยสนามไฟฟ้า
ตั้งค่าภายใน FET โดยที่มีศักยภาพ
นำไปใช้กับกรัม, terminal ประตู

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วงจรรูป 41-19 A ประกอบด้วยที่เมจแบบทั่วไป
ทรานซิสเตอร์ผล–ฟิลด์ที่
อิเล็กตรอนไหลจากแหล่งเทอร์มินัล S
การ D. สถานีระบายน้ำ (ที่ปกติ
รหัสปัจจุบันอยู่ในทิศทางตรงกันข้าม)
ขนาดของรหัสจะถูกควบคุมโดยการ
สนามไฟฟ้าที่ติดตั้งภายใน FET โดยการ
ศักยภาพกับ G เกเทอร์มินัล

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 41-19 วงจรประกอบด้วยที่โดยทั่วไป
ฟิลด์ - มีผลทรานซิสเตอร์ผ่านซึ่ง
ซึ่งจะช่วยการไหลของอิเล็กตรอนไปกระทบกับจอจากแหล่งที่มาอาคารโดยสาร S
ซึ่งจะช่วยในการที่สะเด็ดน้ำอาคารโดยสาร D .(ทั่วไป
ซึ่งจะช่วย ID ในปัจจุบันอยู่ในทิศทางด้านตรงข้าม.)
ที่สุกใสของ ID จะถูกควบคุมโดยที่ฟิลด์ตั้งค่าไฟฟ้า
ซึ่งจะช่วยได้ในที่‐ FET จะใช้เพื่อดึงถอนโดย
ซึ่งจะช่วยได้นำไปใช้ในการ G ,ที่ประตูอาคารโดยสาร