4. ConclusionsSynthesis of SiC was

4. Conclusions
Synthesis of SiC was achieved by using concentrated solar energy provided by the IER-UNAM solar furnace. For the synthesis it was used a Pyrex glass spherical vessel of 25 l capacity, designed to work with concentrated solar energy and controlled atmospheres.
The synthesis consisted in 5 steps, where the last 2 steps were performed by using concentrated solar energy. The SiO2/C composite synthesis was performed at a temperature of 700 C under nitrogen atmosphere. In this step, silica synthesized by the sol–gel method was used as a precursor of silicon, and sucrose as precursor of carbon. FTIR and XRD results confirm the formation of SiO2/C.
The last step of the synthesis was carried out at a temperature of 1500 C in argon atmosphere; in this case a graphite crucible was used to support the sample. According to the results of the characterization, the solar SiC obtained is composed mainly of cubic type SiC (b-SiC) with a minimum amount of hexagonal SiC (a-SiC). The FTIR and XRD results confirm also the existence of residual SiO2, which might be associated with unreacted silica that disappears after etching acid HF obtaining pure SiC. Results of thermal analysis (TGA/DSC) showed a more reactive carbon to form the composite SiO2/C as precursor from SiC synthesis, being more thermally stable, due it has at lowest weight loss at higher temperature (950 C); in addition, results of TGA exhibited that synthesized SiC can be considered as stable supports to effectively increase the lifetime of devices that have to withstand harsh oxidative and thermal environments. According to the results of TEM, the SiC particles system is polydisperse in size, with grains of nanometer order size. Results showed that it is feasible the use of concentrated solar energy for the synthesis of SiC with lower CO2 emissions than conventional methods. Acknowledgments

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

4. ConclusionsSynthesis of SiC was achieved by using concentrated solar energy provided by the IER-UNAM solar furnace. For the synthesis it was used a Pyrex glass spherical vessel of 25 l capacity, designed to work with concentrated solar energy and controlled atmospheres.The synthesis consisted in 5 steps, where the last 2 steps were performed by using concentrated solar energy. The SiO2/C composite synthesis was performed at a temperature of 700 C under nitrogen atmosphere. In this step, silica synthesized by the sol–gel method was used as a precursor of silicon, and sucrose as precursor of carbon. FTIR and XRD results confirm the formation of SiO2/C.ขั้นตอนสุดท้ายของการสังเคราะห์ถูกดำเนินการที่อุณหภูมิ 1500 C ในบรรยากาศอาร์กอน ในกรณีนี้ ครูซิเบิลแกรไฟต์ถูกใช้เพื่อสนับสนุนตัวอย่าง ตามผลการจำแนก แสงอาทิตย์ SiC ได้ประกอบด้วยส่วนใหญ่ชนิดลูกบาศก์ SiC (b-SiC) มียอดเงินต่ำสุดของ SiC หกเหลี่ยม (เป็น SiC) FTIR และ XRD ผลยืนยันยังมี SiO2 ที่เหลือ ซึ่งอาจจะเกี่ยวข้องกับซิลิกา unreacted ที่หายไปหลังจากกรด HF SiC บริสุทธิ์ได้รับการแกะสลัก ผลการวิเคราะห์ความร้อน (TGA DSC) แสดงให้เห็นว่าคาร์บอนปฏิกิริยาขึ้นฟอร์มคอมโพสิต SiO2/C เป็นสารตั้งต้นจาก SiC สังเคราะห์ การขึ้นแพคอก ครบกำหนดมันมีที่ต่ำน้ำหนักที่อุณหภูมิสูง (950 C); นอกจากนี้ ผลลัพธ์ของ TGA จัดแสดงว่า SiC สังเคราะห์ถือได้ว่าเป็นคอกสนับสนุนเพื่อเพิ่มอายุการใช้งานของอุปกรณ์ที่ต้องทนต่อสภาพแวดล้อม oxidative และความร้อนที่รุนแรงได้อย่างมีประสิทธิภาพ ตามผลลัพธ์ของยการ ระบบอนุภาค SiC ไม่ polydisperse ในขนาด ธัญพืช nanometer สั่งขนาด ผลลัพธ์แสดงให้เห็นว่า มันจะเป็นไปได้การใช้พลังงานแสงเข้มข้นสำหรับสังเคราะห์ SiC ปล่อย CO2 ต่ำกว่าวิธีการปกติ ตอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

4.
สรุปผลการวิจัยการสังเคราะห์SiC ได้สำเร็จโดยใช้พลังงานแสงอาทิตย์ที่มีความเข้มข้นจัดไว้ให้โดยเตาพลังงานแสงอาทิตย์ IER-ไต้หวัน สำหรับการสังเคราะห์มันถูกใช้แก้ว Pyrex ภาชนะทรงกลมความจุ 25 ลิตรที่ออกแบบมาเพื่อทำงานร่วมกับพลังงานแสงอาทิตย์ที่มีความเข้มข้นและบรรยากาศควบคุม.
การสังเคราะห์ประกอบด้วย 5 ขั้นตอนที่ 2 ขั้นตอนที่ดำเนินการโดยใช้พลังงานแสงอาทิตย์ที่มีความเข้มข้น SiO2 / C สังเคราะห์คอมโพสิตที่ได้ดำเนินการที่อุณหภูมิ 700 องศาเซลเซียสภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน ในขั้นตอนนี้ซิลิกาสังเคราะห์โดยวิธีโซลเจลที่ใช้เป็นสารตั้งต้นของซิลิกอนและน้ำตาลซูโครสเป็นสารตั้งต้นของคาร์บอน FTIR และผล XRD ยืนยันการก่อตัวของ SiO2 / ซี.
ขั้นตอนสุดท้ายของการสังเคราะห์ได้ดำเนินการที่อุณหภูมิ 1500 C ในบรรยากาศอาร์กอนนั้น ในกรณีนี้เบ้าหลอมไฟท์ถูกใช้ในการสนับสนุนของกลุ่มตัวอย่าง ตามผลของตัวละครที่แสงอาทิตย์ SiC ที่ได้รับส่วนใหญ่ประกอบด้วยลูกบาศก์ประเภทดังนี้ (ข-SiC) ด้วยจำนวนเงินขั้นต่ำของหกเหลี่ยมดังนี้ (a-SiC) FTIR และผล XRD ยังยืนยันการดำรงอยู่ของ SiO2 ที่เหลือซึ่งอาจจะเกี่ยวข้องกับซิลิกา unreacted ที่หายไปหลังจากที่กัดกรด HF บริสุทธิ์ได้รับดังนี้ ผลการวิเคราะห์ความร้อน (TGA / DSC) พบคาร์บอนปฏิกิริยามากขึ้นในรูปแบบคอมโพสิต SiO2 / C เป็นสารตั้งต้นจากการสังเคราะห์ SiC เป็นความร้อนที่มีเสถียรภาพมากขึ้นเนื่องจากจะมีการสูญเสียน้ำหนักที่ต่ำสุดที่อุณหภูมิสูงกว่า (950 C); นอกจากนี้ผลของการจัดแสดงผลงานที่ TGA สังเคราะห์ดังนี้ถือได้ว่าเป็นการสนับสนุนที่มีเสถียรภาพได้อย่างมีประสิทธิภาพเพิ่มอายุการใช้งานของอุปกรณ์ที่ต้องทนต่อการเกิดออกซิเดชันที่รุนแรงและสภาพแวดล้อมในการระบายความร้อน ตามผลของ TEM ระบบอนุภาคดังนี้คือ polydisperse ในขนาดที่มีเมล็ดขนาดการสั่งซื้อนาโนเมตร ผลการศึกษาพบว่ามันเป็นไปได้ที่การใช้พลังงานแสงอาทิตย์ที่มีความเข้มข้นในการสังเคราะห์ SiC ที่มีการปล่อย CO2 ต่ำกว่าวิธีการเดิม กิตติกรรมประกาศ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

4 . สรุป
การสังเคราะห์ SIC ทำได้โดยใช้พลังงานแสงอาทิตย์เข้มข้นโดย ier-unam เตาพลังงานแสงอาทิตย์ . สำหรับการสังเคราะห์มันถูกใช้เป็นเรือของ Pyrex แก้วทรงกลมขนาด 25 ลิตรที่ออกแบบมาเพื่อทำงานกับพลังงานแสงอาทิตย์เข้มข้นและควบคุมสภาพบรรยากาศ .
สังเคราะห์ประกอบด้วย 5 ขั้นตอนที่ 2 ขั้นตอนคือการใช้พลังงานแสงอาทิตย์เข้มข้น .โดย SiO2 / C ผสมสังเคราะห์กระทำที่อุณหภูมิ 700 องศาเซลเซียสภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน ในขั้นตอนนี้ , ซิลิกาที่สังเคราะห์โดยวิธีโซล - เจล ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นของซิลิคอนและซูโครสเป็นสารตั้งต้นของคาร์บอน FTIR XRD และยืนยันการก่อตัวของซิลิกอนไดออกไซด์ / C .
ขั้นตอนสุดท้ายของการกระทำที่อุณหภูมิ 1500 องศาเซลเซียส ในบรรยากาศของอาร์กอน ;ในกรณีนี้เป็นเบ้าแกรไฟต์ถูกใช้เพื่อสนับสนุนทฤษฎี จากผลของการศึกษา , SIC รับแสงอาทิตย์ประกอบด้วยส่วนใหญ่ของลูกบาศก์ประเภท SIC ( b-sic ) ด้วยจำนวนเงินขั้นต่ำของหกเหลี่ยม ( ฟิล์มบางอะมอร์ฟัสซิลิกอน ) และยืนยันผล ( XRD ยังการดำรงอยู่ของ SiO2 ที่ตกค้างซึ่งอาจจะเกี่ยวข้องกับการหายตัวไปหลังจากเข้าสู่ซิลิกาที่กรด HF ได้รับบริสุทธิ์ SiC ผลของการวิเคราะห์ทางความร้อน ( DSC / TGA ) พบมากขึ้นปฏิกิริยาคาร์บอนในรูปแบบคอมโพสิต SiO2 / C เป็นสารตั้งต้นจาก SIC การสังเคราะห์ การได้รับมีเสถียรภาพมากขึ้น เนื่องจากมันมีน้ำหนักการสูญเสียที่น้อยที่สุดที่อุณหภูมิ 950 องศาเซลเซียส นอกจากนี้ผลของ TGA พบว่าสังเคราะห์ SIC ถือได้ว่าเป็นสนับสนุนมั่นคงมีประสิทธิภาพเพิ่มอายุการใช้งานของอุปกรณ์ที่ต้องทนต่อความร้อนและสภาพแวดล้อมอันโหดร้าย ตามผลลัพธ์ของ TEM , SIC อนุภาคระบบ polydisperse ขนาดกับเม็ดขนาดสั่งนาโนเมตร .ผลการศึกษาพบว่ามีความเป็นไปได้ในการใช้พลังงานแสงอาทิตย์เข้มข้นสำหรับการสังเคราะห์ของ SIC กับการลดการปล่อย CO2 สูงกว่าการสอนปกติ ขอบคุณ