Crystalline Si accounts for more th

Crystalline Si accounts for more than 90% of the solar cells
produced today and about 95% of those cells are fabricated on
p-type Si [1]. This is because of the well-established technology
and equipment base for p-type cell fabrication and lower wafer
and cell processing cost compared to n-type cells.However,p-type
wafers generally have lower bulk life time and are more
suscep-tible to metal impurities compared to then-type wafers [2,3]. It
has been reported that the minority carrier life time in p-type Si is
frequently limited by iron related defects [2,4] with larger electron
capture cross section compared to hole [5]. Iron is often present in
the feed stock material and can be introduced during processing
[6]. There fore,majority of the PV industry currently uses POCl3
diffusion to remove metal impurities including iron [7–11]. POCl3
gettering is attributed to the formation of misfit dislocations on
the surface which provide the sink for impurity gettering.In addition, higher phosphorus surface concentration enhances
gettering because it increases solid solubility and segregation
coefficient of metal impurities [7–17]. The phosphorus ion-im-
planted emitter has recently shown higher performance due to insitu oxide passivation during the implant annealing process
[18,19]. However, its gettering quality is not fully understood and
compared with POCl3 diffusion. This paper conducts a systematic
and controlled study to compare the impact of phosphorus
ion-implantation and POCl3 diffusion induced gettering on
castquasimono and Czochralski(Cz) Si solar cells.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Crystalline Si accounts for more than 90% of the solar cellsproduced today and about 95% of those cells are fabricated onp-type Si [1]. This is because of the well-established technologyand equipment base for p-type cell fabrication and lower waferand cell processing cost compared to n-type cells.However,p-typewafers generally have lower bulk life time and are more suscep-tible to metal impurities compared to then-type wafers [2,3]. Ithas been reported that the minority carrier life time in p-type Si isfrequently limited by iron related defects [2,4] with larger electroncapture cross section compared to hole [5]. Iron is often present inthe feed stock material and can be introduced during processing[6]. There fore,majority of the PV industry currently uses POCl3diffusion to remove metal impurities including iron [7–11]. POCl3gettering is attributed to the formation of misfit dislocations onthe surface which provide the sink for impurity gettering.In addition, higher phosphorus surface concentration enhancesgettering because it increases solid solubility and segregationcoefficient of metal impurities [7–17]. The phosphorus ion-im-planted emitter has recently shown higher performance due to insitu oxide passivation during the implant annealing process[18,19]. However, its gettering quality is not fully understood andcompared with POCl3 diffusion. This paper conducts a systematicศึกษาควบคุมเพื่อเปรียบเทียบผลกระทบของฟอสฟอรัสและ ฝังไอออนและแพร่ POCl3 เกิด gettering บน castquasimono และเซลล์แสงอาทิตย์ศรี Czochralski(Cz)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บัญชีผลึกศรีมากกว่า 90% ของเซลล์แสงอาทิตย์
ผลิตในวันนี้และประมาณ 95% ของเซลล์เหล่านั้นจะถูกประดิษฐ์บน
P-ประเภทศรี [1] นี้เป็นเพราะการที่ดีขึ้นเทคโนโลยี
และอุปกรณ์ฐานสำหรับการผลิตเซลล์ P-ชนิดและเวเฟอร์ที่ต่ำกว่า
ค่าใช้จ่ายและการประมวลผลมือถือเมื่อเทียบกับ cells.However N-ชนิด P-ประเภท
เวเฟอร์โดยทั่วไปมีเวลาชีวิตของกลุ่มที่ต่ำกว่าและมีมากขึ้น
suscep-tible กับโลหะสิ่งสกปรกแล้วเมื่อเทียบกับประเภทเวเฟอร์ [2,3] มัน
ได้รับรายงานว่าในเวลาชีวิตของผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อยใน P-ประเภทศรี
จำกัด บ่อยจากข้อบกพร่องที่เกี่ยวข้องกับเหล็ก [2,4] กับอิเล็กตรอนที่มีขนาดใหญ่
ส่วนการจับภาพข้ามเมื่อเทียบกับหลุม [5] เหล็กเป็นมักจะนำเสนอใน
การป้อนวัสดุหุ้นและสามารถนำมาใช้ระหว่างการประมวลผล
[6] ก่อนมีส่วนใหญ่ของอุตสาหกรรม PV ในขณะนี้ใช้ POCl3
แพร่เพื่อเอาสิ่งสกปรกรวมทั้งโลหะเหล็ก [7-11] POCl3
gettering มีสาเหตุมาจากการก่อตัวของผลกระทบไม่เหมาะบน
พื้นผิวที่ให้อ่างสำหรับสิ่งเจือปน gettering.In นอกจากนี้ความเข้มข้นของพื้นผิวฟอสฟอรัสสูงช่วยเพิ่ม
gettering เพราะมันจะเพิ่มการละลายของแข็งและแยก
ค่าสัมประสิทธิ์ของสิ่งสกปรกโลหะ [7-17] ฟอสฟอรัสไอออนญ
ปลูกอีซีแอลเมื่อเร็ว ๆ นี้ได้แสดงให้เห็นประสิทธิภาพการทำงานที่สูงขึ้นเนื่องจากการ Insitu ออกไซด์ฟิล์มเทียมในระหว่างกระบวนการอบอ่อน
[18,19] แต่คุณภาพ gettering ของมันไม่ได้เข้าใจอย่างเต็มที่และ
เมื่อเทียบกับ POCl3 แพร่ กระดาษนี้จะดำเนินการอย่างเป็นระบบ
การศึกษาและการควบคุมเพื่อเปรียบเทียบผลกระทบของฟอสฟอรัส
ไอออนการปลูกถ่ายและเหนี่ยวนำให้เกิดการแพร่กระจาย POCl3 gettering บน
castquasimono และ Czochralski (Cz) ศรีเซลล์แสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บัญชีศรีผลึกมากกว่า 90% ของโซล่าเซลล์ผลิตวันนี้ และประมาณ 95% ของเซลล์เหล่านั้นจะถูกประดิษฐ์ขึ้นพีศรี [ 1 ] นี้เป็นเพราะเทคโนโลยีดีขึ้นและอุปกรณ์พื้นฐานสำหรับการผลิตเซลล์และลดพีเวเฟอร์และเซลล์ค่าใช้จ่ายในการประมวลผลเมื่อเทียบกับเซลล์ทั่วไป อย่างไรก็ตาม พีเวเฟอร์โดยทั่วไปมีขนาดใหญ่กว่าชีวิตเวลาและมีมากขึ้นsuscep tible โลหะปลอมเมื่อเทียบกับประเภทเวเฟอร์แล้ว [ 2 ] มันมีรายงานว่า พาหะชีวิตเวลาพีศรี คือบ่อยครั้งที่ จำกัด โดยเหล็กที่เกี่ยวข้องบกพร่อง [ 2 , 4 ] กับอิเล็กตรอนที่มีขนาดใหญ่จับขวางเมื่อเทียบกับรู [ 5 ] เหล็กมักจะเป็นปัจจุบันอาหาร วัตถุดิบ และสามารถแนะนำในระหว่างการประมวลผล[ 6 ] ดังนั้นส่วนใหญ่ของอุตสาหกรรมเซลล์แสงอาทิตย์ในขณะนี้ใช้ pocl3การแพร่กระจายที่จะลบสิ่งสกปรกโลหะ ได้แก่ เหล็ก [ 7 – 11 ] pocl3gettering เกิดจากการก่อตัวของประหลาดในภาพยนตร์ชีวประวัติพื้นผิวซึ่งมีอ่างสำหรับมล gettering นอกจากนั้น ฟอสฟอรัสที่ความเข้มข้นสูงผิวเพิ่มgettering เพราะมันเพิ่มการละลายของแข็งและการกระจายตัวสัมประสิทธิ์ของโลหะปลอม [ 7 – 17 ] ไอออนอิม - ฟอสฟอรัสอีซีปลูกเพิ่งแสดงประสิทธิภาพสูงเนื่องจากออกไซด์ passivation ฉบับใหม่ระหว่างปลูก กรรมวิธีการอบ[ 18,19 ] อย่างไรก็ตาม คุณภาพของ gettering จะไม่เข้าใจอย่างเต็มที่ และเมื่อเทียบกับ pocl3 แพร่ กระดาษนี้เรียนอย่างเป็นระบบและศึกษาเปรียบเทียบผลกระทบของฟอสฟอรัส ควบคุมการปลูกฝังไอออนและกระจายการ pocl3 gettering บนcastquasimono czochralski ( CZ ) และซี เซลล์แสงอาทิตย์