Memory cells are etched onto a silicon wafer in an array of columns (b การแปล - Memory cells are etched onto a silicon wafer in an array of columns (b ไทย วิธีการพูด

Memory cells are etched onto a sili

Memory cells are etched onto a silicon wafer in an array of columns (bitlines) and rows (wordlines). The intersection of a bitline and wordline constitutes the address of the memory cell.
DRAM works by sending a charge through the appropriate column (CAS) to activate the transistor at each bit in the column. When writing, the row lines contain the state the capacitor should take on. When reading, the sense-amplifier determines the level of charge in the capacitor. If it is more than 50 percent, it reads it as a 1; otherwise it reads it as a 0. The counter tracks the refresh sequence based on which
0/5000
จาก: -
เป็น: -
ผลลัพธ์ (ไทย) 1: [สำเนา]
คัดลอก!
เซลล์หน่วยความจำที่สลักลงบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนในคอลัมน์ (bitlines) และแถว (wordlines) ของ bitline และ wordline ถืออยู่ของเซลล์หน่วยความจำDRAM ทำงาน โดยการส่งค่าผ่านทาง (CAS) เพื่อเรียกใช้งานทรานซิสเตอร์ในแต่ละบิตในคอลัมน์คอลัมน์ที่เหมาะสม เมื่อเขียน บรรทัดแถวประกอบด้วยตัวเก็บประจุควรใช้ในรัฐ เมื่ออ่าน ขยายความกำหนดระดับค่าใช้จ่ายในการเก็บประจุ ถ้ามากกว่า 50 เปอร์เซ็นต์ จะอ่านมันเป็น 1 มิฉะนั้น จะอ่านมันเป็นการ ตัวนับติดตามลำดับการฟื้นฟูตามที่
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 2:[สำเนา]
คัดลอก!
เซลล์หน่วยความจำจะถูกฝังลงบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนในอาร์เรย์ของคอลัมน์ (bitlines) และแถว (wordlines) สี่แยก Bitline และ Wordline ถือเป็นที่อยู่ของเซลล์หน่วยความจำ.
DRAM ทำงานโดยการส่งค่าใช้จ่ายผ่านทางคอลัมน์ที่เหมาะสม (CAS) เพื่อเปิดใช้ทรานซิสเตอร์ที่แต่ละบิตในคอลัมน์ เมื่อเขียนเส้นแถวประกอบด้วยตัวเก็บประจุรัฐควรใช้ใน เมื่ออ่านความรู้สึก-เครื่องขยายเสียงกำหนดระดับของค่าใช้จ่ายในการเก็บประจุ ถ้ามันเป็นมากกว่าร้อยละ 50 มันอ่านว่ามันเป็น 1; มิฉะนั้นจะอ่านมันเป็น 0. เคาน์เตอร์ติดตามลำดับการฟื้นฟูตามที่
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 3:[สำเนา]
คัดลอก!
เซลล์หน่วยความจำจะฝังลงบนซิลิคอนเวเฟอร์ใน array ของคอลัมน์ ( bitlines ) และแถว ( wordlines ) จุดตัดของ bitline ที่นําถือและที่อยู่ของหน่วยความจำ DRAM ทำงานเซลล์
โดยส่งค่าผ่านคอลัมน์ที่เหมาะสม ( CAS ) เพื่อเปิดใช้งานทรานซิสเตอร์ในแต่ละบิต ในคอลัมน์ เมื่อเขียน แถวบรรทัดประกอบด้วยสถานะประจุควรใช้ใน เมื่ออ่านสัมผัสแอมป์เป็นตัวกําหนดระดับของประจุในตัวเก็บประจุ ถ้ามันเป็นมากกว่า 50 เปอร์เซ็นต์ มันอ่าน มันเป็น 1 ; มิฉะนั้นมันอ่านมันเป็น 0 เคาน์เตอร์ติดตามฟื้นฟูลำดับตามที่
การแปล กรุณารอสักครู่..
 
ภาษาอื่น ๆ
การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.

Copyright ©2025 I Love Translation. All reserved.

E-mail: