HIGH-FIELD EFFECTSAt low electric-f

HIGH-FIELD EFFECTS
At low electric-fields, the drift velocity is linearly proportional to the applied field. We assume that the time interval between collisions,
τ
c
, is independent of the applied field. This is a reasonable assumption as long as the drift velocity is small compared with the thermal velocity of carriers, which is about 10
7
cm/s for silicon at room temperature.As the drift velocity approaches the thermal velocity, its field dependence on the electric field will begin to depart from the linear relationship given in Section 2.1. Figure 22 shows the measured drift velocities of electrons and holes in silicon as a function of the electric field. It is apparent that initially the field dependence of the drift velocity is linear, corresponding to a constant mobility. As the electric field is increased, the drift velocity increases less rapidly. At sufficiently large fields, the drift velocity approaches a saturation velocity. The experimental results can be approximated by the empirical expression

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลเขตข้อมูลสูงที่ไฟฟ้าต่ำเขต ความเร็วดริฟท์เป็นเชิงเส้นกับฟิลด์ใช้ เราสมมุติว่าช่วงเวลาตามΤ cไม่ขึ้นอยู่กับฟิลด์ที่ใช้ เป็นสมมติฐานที่สมเหตุสมผลตราบใดที่ความเร็วดริฟท์มีขนาดเล็กเมื่อเทียบกับความเร็วความร้อนของสายการบิน ซึ่งเป็นประมาณ 107 cm/s สำหรับซิลิคอนที่อุณหภูมิห้องเป็นความเร็วดริฟท์ใกล้ความเร็วความร้อน ของฟิลด์พึ่งสนามไฟฟ้าจะเริ่มออกจากความสัมพันธ์เชิงเส้นที่กำหนดในส่วน 2.1 รูปที่ 22 แสดงตะกอนวัดดริฟท์ของอิเล็กตรอนและหลุมในซิลิคอนเป็นฟังก์ชันของสนามไฟฟ้า ปรากฏว่า เริ่มแรกอาศัยฟิลด์ของความเร็วดริฟท์เป็นเชิง ที่สอดคล้องกับการเคลื่อนที่คงที่ได้ เป็นสนามไฟฟ้าจะเพิ่มขึ้น ความเร็วดริฟท์เพิ่มน้อยอย่างรวดเร็ว ในฟิลด์ขนาดใหญ่เพียงพอ ความเร็วดริฟท์ใกล้ความเร็วความเข้ม ผลการทดลองสามารถหาค่าประมาณ โดยนิพจน์ประจักษ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผล HIGH-ไร่
ที่สนามไฟฟ้าต่ำความเร็วดริฟท์เป็นเส้นตรงสัดส่วนกับข้อมูลที่นำมาใช้ เราคิดว่าช่วงเวลาระหว่างชน
τ
ค
, มีความเป็นอิสระของข้อมูลที่นำมาใช้ นี้เป็นสมมติฐานที่เหมาะสมตราบเท่าที่ความเร็วดริฟท์ที่มีขนาดเล็กเมื่อเทียบกับความเร็วความร้อนของผู้ให้บริการซึ่งเป็นประมาณ 10
7
ซม. / วินาทีสำหรับซิลิกอนที่ห้อง temperature.As ความเร็วลอยเข้าใกล้ความเร็วความร้อน, การพึ่งพาอาศัยข้อมูลที่มีต่อไฟฟ้า ข้อมูลจะเริ่มต้นที่จะออกจากความสัมพันธ์เชิงเส้นที่กำหนดไว้ในมาตรา 2.1 รูปที่ 22 แสดงให้เห็นถึงความเร็วที่วัดดริฟท์ของอิเล็กตรอนและหลุมในซิลิกอนเป็นหน้าที่ของสนามไฟฟ้า มันเห็นได้ชัดว่าในขั้นต้นการพึ่งพาข้อมูลของความเร็วดริฟท์เป็นเส้นตรงสอดคล้องกับการเคลื่อนไหวอย่างต่อเนื่อง ในฐานะที่เป็นสนามไฟฟ้าจะเพิ่มขึ้นความเร็วดริฟท์ที่เพิ่มขึ้นน้อยอย่างรวดเร็ว ในสาขาที่มีขนาดใหญ่พอดริฟท์ความเร็วเข้าใกล้ความเร็วอิ่มตัว ผลการทดลองสามารถประมาณโดยการแสดงออกเชิงประจักษ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

high-field ผล
ที่สนามไฟฟ้าต่ำ ลอยเร็วเป็นเส้นตรงตามสนามไฟฟ้า . เราสันนิษฐานว่า ช่วงเวลาระหว่างการชน τ

C
เป็นอิสระของสนามไฟฟ้า . นี้เป็นสมมติฐานที่เหมาะสมตราบเท่าที่ดริฟท์ความเร็วมีขนาดเล็กเมื่อเทียบกับความเร็วความร้อนของผู้ให้บริการ ซึ่งมีประมาณ 10

7 cm / s สำหรับซิลิคอนที่อุณหภูมิห้องเป็นลอยเร็วใกล้ความเร็วความร้อน อาศัยสนามของสนามไฟฟ้าจะเริ่มออกเดินทางจากความสัมพันธ์เชิงเส้นตรงที่ระบุในมาตรา ๑ . รูปที่ 18 แสดงวัดลอย ความเร็วของอิเล็กตรอนและหลุมในซิลิคอนเป็นฟังก์ชันของสนามไฟฟ้า มันแจ้งว่าเริ่มแรกเขตอาศัยของดริฟท์ความเร็วเชิงเส้นที่สอดคล้องกับการเคลื่อนไหวของค่าคงที่ ที่สนามไฟฟ้ามีค่าเพิ่มขึ้น ลอยเร็วเพิ่มขึ้นน้อยอย่างรวดเร็ว ในเขตข้อมูลที่มีขนาดใหญ่เพียงพอ ดริฟท์ความเร็วเข้าใกล้จุดอิ่มตัว ความเร็วลม ผลการทดลองสามารถคำนวณโดย
การแสดงออกเชิงประจักษ์