Fig. 2(b) shows the XRD patterns of

Fig. 2(b) shows the XRD patterns of the SnO2 thin films depending on the growth temperatures. According to the JCPDS card (No. #41-1445), SnO2 thin film exhibited a rutile structure with crystalline planes of (110), (200), and (211). Also, the peak intensity gradually increased with increasing growth temperatures. Thus, an increase in film crystallinity with increases in the growth temperature contributed to the higher film density of the films. It is noted that the weak peak located at 24.62° appeared at higher growth temperatures, and can’t be indexed using JCPDS cards, because there is no information for this peak in any JCPDS cards. However, it is certain that the peak at 24.62° was generated from a rutile SnO2 structure, as shown in previous studies[8] and [15].
The electrical properties as well as corrosion behavior are one of the most important properties for SnO2 thin films in practical applications. First, therefore, the electrical properties of the film deposited at various temperatures was measured by Hall Effect measurement. From a negative sign of the Hall coefficient, it was confirmed that the majority carriers were electrons in the PEALD-SnO2 thin films, regardless of the growth temperatures. Fig. 3(a) shows the resistivity variation of the SnO2 films as a function of growth temperatures. At a lower growth temperature of 150 °C, the film showed a very high electrical resistivity of 5.6 Ω cm. However, a rapid decrease in the electrical resistivity (0.08 Ω cm) of the film was observed as the growth temperature increased to 350 °C. It was contributed by the improvement of the Hall mobility as well as carrier concentrations with increasing growth temperatures. As already shown in previous studies [2], the excess oxygen within the SnO2 thin films can partially fill the oxygen vacancies, which acts as majority electron donors, to reduce the carrier concentration. Therefore, the lower carrier mobility at low growth temperature could be explained by the decreased crystallinity and by the increased grain boundary scattering due to the excess oxygen. However, both carrier mobility and carrier concentration increased to decrease the electrical resistivity of the film, because excess oxygen could be readily removed, and the degree of crystallinity also gradually increased at higher growth temperatures. Second, we evaluated the corrosion behavior of a bare SS316L and SnO2 coated SS316L samples, as shown in Fig. 3(b). The potentiodynamic polarization curves indicated that the corrosion resistance of SS316L was greatly improved by PEALD-SnO2thin films. Also, both Ecorr and icorr gradually improved with the growth temperature. For a quantitative analysis, the Ecorr and icorr values were obtained from the Tafel plot by extrapolating the linear portion of the curve in Fig. 3(b). Those values are also summarized in Table 1. Thus, the best corrosion resistance was obtained when the SnO2thin film was deposited at 350 °C, which resulted from the low Cl impurity and the high film density, as well as improved crystallinity of the SnO2 thin film, which was caused by the high growth temperature [12].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 2(b) แสดงรูปแบบ XRD ของฟิล์มบางของ SnO2 ตามอุณหภูมิเจริญเติบโต ตามบัตร JCPDS (หมายเลข #41 1445), SnO2 บางฟิล์มจัดแสดงโครงสร้าง rutile ที่บินผลึกของ (110), (200), และ (211) ความเข้มสูงสุดค่อย ๆ เพิ่มกับเพิ่มอุณหภูมิเติบโตขึ้นด้วย ดังนั้น การเพิ่มฟิล์ม crystallinity ด้วยเพิ่มอุณหภูมิเติบโตส่วนความหนาแน่นฟิล์มสูงของภาพยนตร์ มันกล่าวว่า ช่วงที่อ่อนแออยู่ 24.62° ปรากฏที่อุณหภูมิเติบโตสูง และไม่สามารถทำดัชนีโดยใช้บัตร JCPDS เนื่องจากไม่มีข้อมูลสำหรับช่วงนี้ในบัตร JCPDS ใด ๆ อย่างไรก็ตาม ได้แน่นอนว่า ช่วง 24.62° ที่สร้างจากโครงสร้าง rutile SnO2 ดังที่แสดงในการศึกษาก่อนหน้านี้ [8] และ [15]คุณสมบัติทางไฟฟ้ารวมทั้งพฤติกรรมการกัดกร่อนเป็นหนึ่งในคุณสมบัติสำคัญที่สุดสำหรับฟิล์มบางของ SnO2 ในการประยุกต์ใช้งานจริง ครั้งแรก ดังนั้น คุณสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์มฝากที่อุณหภูมิต่าง ๆ ที่วัด โดยวัดผลฮอลล์ จากเครื่องหมายลบของสัมประสิทธิ์ฮอลล์ มันได้รับการยืนยันว่า สายการบินส่วนใหญ่ถูกอิเล็กตรอนในภาพยนตร์บาง PEALD SnO2 ว่าอุณหภูมิเจริญเติบโต Fig. 3(a) แสดงการเปลี่ยนแปลงความต้านทานของฟิล์ม SnO2 เป็นฟังก์ชันของอุณหภูมิการเจริญเติบโต ที่อุณหภูมิเติบโตต่ำกว่า 150 องศาเซลเซียส ฟิล์มแสดงความต้านทานไฟฟ้าสูงมากของΩ 5.6 ซม. อย่างไรก็ตาม ลดลงอย่างรวดเร็วที่ความต้านทานไฟฟ้า (0.08 ตามลำดับΩซม.) ฟิล์มถูกตรวจสอบเป็นอุณหภูมิเติบโตเพิ่มขึ้นถึง 350 องศาเซลเซียส มันถูกส่วน โดยปรับปรุงเคลื่อนไหวฮอลล์และความเข้มข้นของผู้ขนส่งกับการเพิ่มอุณหภูมิการเจริญเติบโต เป็นการแสดงแล้วในก่อนหน้านี้ศึกษา [2], ออกซิเจนส่วนเกินในฟิล์มบางของ SnO2 สามารถบางส่วนเติมตำแหน่งออกซิเจน ซึ่งทำหน้าที่เป็นส่วนใหญ่อิเล็กตรอนผู้บริจาค การลดความเข้มข้นของผู้ขนส่ง ดังนั้น เคลื่อนไหวขนส่งต่ำกว่าอุณหภูมิต่ำการเจริญเติบโตอาจจะอธิบาย crystallinity ลดลง และ โดย scattering ขอบข้าวเพิ่มขึ้นเนื่องจากออกซิเจนส่วนเกิน อย่างไรก็ตาม เคลื่อนผู้ขนส่งและผู้ขนส่งความเข้มข้นเพิ่มขึ้นเพื่อลดความต้านทานไฟฟ้าของฟิล์ม เพราะออกซิเจนส่วนเกินสามารถถูกเอาออกอย่างง่ายดาย และระดับของ crystallinity ยังค่อย ๆ เพิ่มขึ้นที่อุณหภูมิเติบโตสูง สอง เราประเมินพฤติกรรมกัดกร่อน SS316L เปลือย และ SnO2 เคลือบตัวอย่าง SS316L มาก Fig. 3(b) เส้นโค้งการโพลาไรซ์ potentiodynamic ระบุว่า กร่อนของ SS316L ถูกปรับปรุงอย่างมาก โดยฟิล์ม PEALD-SnO2thin ยัง Ecorr และ icorr ค่อย ๆ ดีขึ้นกับอุณหภูมิเจริญเติบโต สำหรับการวิเคราะห์เชิงปริมาณ Ecorr และ icorr ค่าถูกจัดได้จากพล็อต Tafel โดย extrapolating ส่วนเส้นโค้งใน Fig. 3(b) ค่าเหล่านั้นจะยังสรุปในตารางที่ 1 ดังนั้น กร่อนที่ดีที่สุดได้รับเมื่อฟิล์ม SnO2thin ที่ฝากที่ 350 ° C ซึ่งเป็นผลมาจากมลทิน Cl ต่ำ และความหนาแน่นของฟิล์มสูง ตลอดจนปรับปรุง crystallinity ของ SnO2 บางฟิล์ม ซึ่งมีสาเหตุมาจากอุณหภูมิสูงเติบโต [12]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 2 (ข) แสดงให้เห็นถึงรูปแบบ XRD ของ SnO2 ฟิล์มบางขึ้นอยู่กับอุณหภูมิการเจริญเติบโต ตามบัตร JCPDS (ฉบับที่ # 41-1445) ฟิล์มบาง SnO2 แสดงโครงสร้าง rutile กับระนาบของผลึก (110) (200) และ (211) นอกจากนี้จุดสูงสุดค่อยๆเพิ่มขึ้นตามการเติบโตของอุณหภูมิ ดังนั้นการเพิ่มขึ้นของผลึกภาพยนตร์ที่มีการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิการเจริญเติบโตมีส่วนทำให้ความหนาแน่นของฟิล์มที่สูงขึ้นของภาพยนตร์ เป็นที่สังเกตว่ายอดเขาที่อ่อนแออยู่ที่ 24.62 °ปรากฏตัวขึ้นที่อุณหภูมิที่สูงขึ้นการเจริญเติบโตและไม่สามารถจัดทำดัชนีการใช้บัตร JCPDS เนื่องจากมีข้อมูลสูงสุดนี้ในบัตร JCPDS ไม่มี แต่ก็เป็นบางอย่างที่สูงสุดที่ 24.62 องศาถูกสร้างขึ้นจากโครงสร้าง SnO2 rutile ดังแสดงในการศึกษาก่อนหน้านี้ [8] และ [15].
คุณสมบัติไฟฟ้าเช่นเดียวกับพฤติกรรมการกัดกร่อนเป็นหนึ่งในคุณสมบัติที่สำคัญที่สุดสำหรับ SnO2 บาง ภาพยนตร์ในการปฏิบัติงาน ครั้งแรกดังนั้นคุณสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์มฝากที่อุณหภูมิต่างๆโดยวัดจากวัด Hall Effect จากสัญญาณเชิงลบของค่าสัมประสิทธิ์ฮอลล์ได้รับการยืนยันว่าผู้ให้บริการส่วนใหญ่มีอิเล็กตรอนใน PEALD-SnO2 ฟิล์มบางโดยไม่คำนึงถึงอุณหภูมิการเจริญเติบโต มะเดื่อ. 3 (ก) แสดงให้เห็นถึงการเปลี่ยนแปลงความต้านทานของภาพยนตร์ SnO2 เป็นหน้าที่ของอุณหภูมิการเจริญเติบโต ที่อุณหภูมิการเจริญเติบโตที่ต่ำกว่า 150 องศาเซลเซียสภาพยนตร์แสดงให้เห็นความต้านทานไฟฟ้าที่สูงมากของΩ 5.6 ซม. อย่างไรก็ตามการลดลงอย่างรวดเร็วในความต้านทานไฟฟ้า (0.08 Ωเซนติเมตร) ของภาพยนตร์เรื่องนี้ได้รับการตั้งข้อสังเกตอุณหภูมิการเจริญเติบโตเพิ่มขึ้นถึง 350 องศาเซลเซียส มันได้รับการสนับสนุนโดยการปรับปรุงการเคลื่อนไหวของฮอลล์เช่นเดียวกับความเข้มข้นของผู้ให้บริการที่มีการเจริญเติบโตที่เพิ่มขึ้นอุณหภูมิ ตามที่ปรากฏอยู่แล้วในการศึกษาก่อนหน้านี้ [2], ออกซิเจนส่วนเกินภายใน SnO2 ฟิล์มบางเพียงบางส่วนสามารถกรอกข้อมูลตำแหน่งงานว่างออกซิเจนซึ่งทำหน้าที่เป็นผู้บริจาคส่วนใหญ่อิเล็กตรอนเพื่อลดความเข้มข้นของผู้ให้บริการ ดังนั้นการเคลื่อนไหวของผู้ให้บริการที่ต่ำกว่าการเจริญเติบโตที่อุณหภูมิต่ำสามารถอธิบายได้โดยผลึกลดลงและโดยการหว่านเมล็ดเขตแดนเพิ่มขึ้นเนื่องจากออกซิเจนส่วนเกิน อย่างไรก็ตามทั้งการเคลื่อนย้ายผู้ให้บริการและความเข้มข้นของผู้ให้บริการที่เพิ่มขึ้นเพื่อลดความต้านทานไฟฟ้าของภาพยนตร์เรื่องนี้เพราะออกซิเจนส่วนเกินจะถูกลบออกได้อย่างง่ายดายและระดับของผลึกยังเพิ่มขึ้นเรื่อย ๆ ที่อุณหภูมิสูงการเจริญเติบโต ประการที่สองเราประเมินพฤติกรรมการกัดกร่อนของ SS316L เปลือยและ SnO2 เคลือบตัวอย่าง SS316L ดังแสดงในรูปที่ 3 (ข) เส้นโค้งโพลาไรซ์ Potentiodynamic ชี้ให้เห็นว่าต้านทานการกัดกร่อนของ SS316L ถูกปรับปรุงให้ดีขึ้นอย่างมากจากภาพยนตร์ PEALD-SnO2thin นอกจากนี้ทั้งสอง Ecorr และ ICORR ค่อยๆดีขึ้นกับอุณหภูมิการเจริญเติบโต สำหรับการวิเคราะห์เชิงปริมาณที่ Ecorr และค่า ICORR ที่ได้รับจากพล็อต Tafel โดยคะเนส่วนเชิงเส้นของเส้นโค้งในรูป 3 (ข) ค่าเหล่านั้นยังมีการสรุปในตารางที่ 1 ดังนั้นความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีที่สุดที่ได้รับเมื่อภาพยนตร์ SnO2thin ถูกวางที่ 350 องศาเซลเซียสซึ่งเป็นผลมาจากการปนเปื้อนต่ำ Cl และความหนาแน่นของฟิล์มสูงเช่นเดียวกับการปรับตัวดีขึ้นเป็นผลึกของ SnO2 บาง ภาพยนตร์เรื่องนี้ซึ่งมีสาเหตุมาจากการเจริญเติบโตที่อุณหภูมิสูง [12]