Deposition of Ag (or other noble me

Deposition of Ag (or other noble metals) particles as the catalyst is found to be effective for texturing multicrystalline Silicon wafers in HF solution. For the texturization process hydrogen peroxide or oxygen is used as the oxidant. Using the textured wafer, the efficiency of a solar cell (4 cm2) reached as high as 16.6%, which is higher than that of the solar cell made from a wafer treated by the conventional method by 1% (absolute). The averaged efficiency was also increased by about 1% (absolute). The efficiency may be further increased by optimizing the etching conditions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การทับถมของ Ag (หรือโลหะมีสกุลอื่น ๆ ) อนุภาคเป็นตัวเร่งปฏิกิริยาที่มีการพบว่ามีประสิทธิภาพสำหรับ texturing เวเฟอร์ซิลิคอน multicrystalline ในการแก้ปัญหา HF สำหรับไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์กระบวนการ texturization หรือออกซิเจนจะถูกนำมาใช้เป็นสารต้านอนุมูลอิสระ โดยใช้แผ่นเวเฟอร์ที่มีพื้นผิวที่มีประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์ (4 cm2) ถึงสูงที่สุดเท่าที่ 16.6% ซึ่งสูงกว่าที่ของเซลล์แสงอาทิตย์ที่ทำจากแผ่นเวเฟอร์รับการรักษาโดยวิธีการทั่วไปโดย 1% (แน่นอน) ประสิทธิภาพเฉลี่ยยังเพิ่มขึ้นประมาณ 1% (แน่นอน) ประสิทธิภาพอาจจะเพิ่มขึ้นต่อไปโดยการเพิ่มประสิทธิภาพการเงื่อนไขการแกะสลัก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การสะสมของ Ag (หรือโลหะที่มีค่าสูงอื่นๆ) ที่เป็นตัวเร่งปฏิกิริยาที่พบว่ามีประสิทธิภาพสำหรับการจัดเรียงของซิลิคอนแบบ multicrystalline ในโซลูชัน HF สำหรับกระบวนการ texturization ไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์หรือออกซิเจนถูกใช้เป็นอนุมูลอิสระ. โดยใช้เวเฟอร์พื้นผิวที่มีประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์ (4 cm2) ถึงสูงที่๑๖.๖% ซึ่งสูงกว่าของเซลล์แสงอาทิตย์ที่ทำจากเวเฟอร์ได้รับการรักษาโดยวิธีการแบบดั้งเดิมโดย 1% (สัมบูรณ์) ประสิทธิภาพเฉลี่ยยังเพิ่มขึ้นประมาณ 1% (สัมบูรณ์) ประสิทธิภาพอาจเพิ่มขึ้นโดยการปรับสภาวะการกัดของสารให้เหมาะสม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การสะสมของ AG หรือโลหะมีค่าอื่นๆในสารละลาย HF เป็นวิธีที่มีประสิทธิภาพในการเตรียมพื้นผิวของผลึกซิลิคอนเวเฟอร์ ไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์หรือออกซิเจนที่ใช้เป็นสารออกซิไดซ์ในเนื้อเยื่อ กับพื้นผิวชิปนี้เซลล์แสงอาทิตย์มีประสิทธิภาพมากที่สุดถึง 166.6 และมีประสิทธิภาพมากขึ้นกว่าเซลล์แสงอาทิตย์ที่ทำจากชิปแบบดั้งเดิม ประสิทธิภาพเฉลี่ยยังเพิ่มขึ้นประมาณหนึ่งเปอร์เซ็นต์ ประสิทธิภาพที่สามารถปรับปรุงได้โดยการเพิ่มประสิทธิภาพของการกัดเงื่อนไข