from the samples compacted at 750 a

from the samples compacted at 750 and 850 C, were
selected for further investigation of sintering with different
holding times. Figure 2e–h show the fractured surfaces of
SPS sintered samples at 750 and 850 C for 2 and 0 min
holding times, respectively. It was observed that short
holding time (like 0 min) causes less grain growth and the
grain size did not increase more than 400 nm. On the other
hand, increasing the holding time increases the compaction
density, but it compensates with an extensive grain growth
with grain size reaching to 1 lm at holding time 2 and
5 min. Longer holding time may affect the grain growth/
coarsening, ending up with non-optimal TE properties.
Hence, an optimum grain size with sufficient compaction
density is expected to lead to the best combination of
transport properties.
TEM analysis was carried out to evaluate the microstructure
and the presence of different phases using the
electron diffraction (ED) and dark field (DF) microscopy;
few micrographs are presented in Fig. 3a–d. TEM image in
Fig. 3a presents BM Mg2Si, where particles with an average
size of 200 nm are observed-in agreement with the
SEM grain size estimation. Different contrast in this image
may results from the defect produced in the material during
ball milling or it may also reflect the presence of secondary
phases (MgO or Si). ED pattern from the BM Mg2Si,
Fig. 3b, is taken from the grain shown in Fig. 3c. ED
pattern characteristics show that the material is polycrystalline,
as well as the presence of Mg2Si as the major and
MgO as minor phases in the material. The phases observed
in ED pattern were indexed using the same set of PDF
reference patterns (Pdf# 035-0773 (for Mg2Si), and Pdf#
045-0946 (for MgO)) utilized for XRD phase identification.
Furthermore, Figure 3c, d shows the bright field and dark
field TEM images, which clearly elucidate the differences
in the contrast. Particularly, in the dark field image one can
observe two different phases with white (MgO) and black
(Mg2Si) contrast. EDX analysis was also performed on this
site to confirm the elemental composition. Based on XRD
and TEM (ED) characterizations, it is observed that highly
reactive Mg can diffuse out of the Mg2Si crystal, forming
impurity phases of MgO and Si. This requires further strict
control of reaction environment to avoid any possible
contact with oxygen for the preparation of high purity
Mg2Si powder.
XRD and SEM analyses show that the optimal temperature
for SPS sintering of BM Mg2Si is 750 C. Since the
source material has the same history, samples are evaluated
further to understand the influence of observed compaction
density and grain size characteristics. For this reason, TE
characterizations were performed on the samples si

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จากตัวอย่างกระชับที่ 750 850 C ถูกสำหรับการสืบสวนเพิ่มเติมของเผาผนึกพร้อมโฮลดิ้งครั้ง รูปที่ 2e – h แสดงพื้นผิว fractured ของตัวอย่างเผา SPS ที่ 750 850 C 2 และ 0 นาทีถือเวลา ตามลำดับ ได้สังเกตที่สั้นจับเวลา (เช่น 0 นาที) ทำให้เจริญเติบโตน้อยกว่าเมล็ดข้าวและเมล็ดขนาดไม่เพิ่มกว่า 400 nm อื่น ๆมือ เพิ่มเวลาถือเพิ่มการกระชับข้อมูลความหนาแน่น แต่ชดเชย ด้วยการเจริญเติบโตของเมล็ดมากมายมีขนาดเมล็ดข้าวถึง 1 lm ที่จับเวลา 2 และเวลาถือนาน 5 นาทีอาจมีผลต่อการเจริญเติบโตของเมล็ดพืช /coarsening สิ้นสุด ด้วยคุณสมบัติติไม่เหมาะสมดังนั้น เหมาะสมเมล็ดขนาดกระชับข้อมูลเพียงพอความหนาแน่นคาดว่าจะทำกันคุณสมบัติในการขนส่งยการวิเคราะห์ได้ดำเนินการประเมินการต่อโครงสร้างจุลภาคและที่ระยะต่าง ๆ ที่ใช้ในการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอน (ED) และฟิลด์มืด (DF) microscopymicrographs น้อยจะแสดงรูปยการ 3a – d. Fig. ในFig. 3a นำเสนอ BM Mg2Si ที่อนุภาค โดยเฉลี่ยขนาด 200 nm จะสังเกตในตกลงกับการการประเมินขนาดของเมล็ดข้าว SEM ความคมชัดที่แตกต่างกันในภาพนี้ผลจากความบกพร่องในวัสดุระหว่างผลิตอาจหน้าลูกหรืออาจยังแสดงสถานะของรองระยะ (MgO หรือศรี) รูปแบบเอ็ดจาก BM Mg2SiFig. 3b นำมาจากเมล็ดข้าวที่แสดงใน Fig. 3 c EDลักษณะลวดลายแสดงว่าวัสดุคและสถานะของ Mg2Si เป็นหลักการ และMgO เป็นวิชารองเฟสในวัสดุ ขั้นตอนการสังเกตในรูปแบบเอ็ดถูกทำดัชนีใช้ชุดเดียวกัน PDFรูปแบบการอ้างอิง (Pdf # 035-0773 (สำหรับ Mg2Si), และ Pdf #045-0946 (สำหรับ MgO)) ใช้สำหรับระบุระยะ XRDนอกจากนี้ รูป 3c, d แสดงเขตสว่างและมืดฟิลด์ยการภาพ ซึ่ง elucidate ความแตกต่างอย่างชัดเจนในทางตรงข้าม โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ในรูปมืดฟิลด์หนึ่งสามารถสังเกตระยะแตกต่างกันสองสีดำและสีขาว (MgO)ความแตกต่างของ (Mg2Si) นอกจากนี้ยังทำการวิเคราะห์เรื่องนี้เว็บไซต์เพื่อยืนยันองค์ประกอบธาตุ ตาม XRDและ characterizations ยการ (ED) มันจะสังเกตที่สูงปฏิกิริยา Mg สามารถกระจายจากคริสตัล Mg2Si ขึ้นรูประยะมลทินของ MgO และศรี ต้องเข้มงวดต่อไปควบคุมสภาพแวดล้อมของปฏิกิริยาเพื่อหลีกเลี่ยงการใด ๆ ได้ติดต่อกับออกซิเจนสำหรับการเตรียมความบริสุทธิ์สูงผง Mg2Siวิเคราะห์ XRD และ SEM แสดงว่าอุณหภูมิเหมาะสมSPS เผาผนึกของ BM Mg2Si เป็น 750 c เนื่องจากการแหล่งข้อมูลมีประวัติเหมือนกัน มีประเมินตัวอย่างเพิ่มเติม เพื่อทำความเข้าใจอิทธิพลของสังเกตกระชับข้อมูลลักษณะขนาดความหนาแน่นและเมล็ด ด้วยเหตุนี้ TEcharacterizations ดำเนินบนซีตัวอย่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

จากตัวอย่างที่บดอัดแล้ว 850  C ,
เลือกสำหรับการสอบสวนเพิ่มเติม การเผาที่แตกต่างกัน
ถือครั้ง รูปที่ 2 – H แสดงพื้นผิวของตัวอย่างที่เผาหัก
SP 750 และ 850  C 2 และ 0 นาที
ถือเท่า ตามลำดับ พบว่าระยะเวลาสั้น
( เช่น 0 นาที ) ทำให้การเจริญเติบโตของเมล็ดข้าวน้อยลงและ
เม็ดขนาดไม่ได้เพิ่มขึ้นมากกว่า 400 นาโนเมตรบนมืออื่น ๆ
, เพิ่มเวลาถือเพิ่มอัด
ความหนาแน่น แต่ก็ชดเชยด้วยการเจริญเติบโตของเมล็ดข้าวกับเมล็ดอย่างละเอียด
ขนาดถึง 1 LM ที่เวลาถือ 2
5 นาที นานกว่าเวลาถืออาจมีผลต่อการเจริญเติบโตของเมล็ดข้าว /
หยาบกร้าน จบด้วยไม่ที่ดีที่สุด Te
จึงเป็นคุณสมบัติ ที่เหมาะสมกับขนาดเม็ด
ถมที่เพียงพอความหนาแน่นที่คาดว่าจะนำไปสู่การรวมกันที่ดีที่สุดของ

การวิเคราะห์คุณสมบัติการขนส่ง เต็มๆ มีวัตถุประสงค์เพื่อศึกษาโครงสร้างจุลภาค
และการปรากฏตัวของระยะต่าง ๆที่ใช้
การเลี้ยวเบนอิเล็กตรอน ( เอ็ด ) และดาร์คฟิลด์ ( DF ) กล้องจุลทรรศน์ ;
micrographs น้อยจะถูกนำเสนอในรูปแบบของภาพใน 3A – D .
รูปที่ 3A ของขวัญ BM mg2si ที่อนุภาคเฉลี่ย
ขนาด 200 nm ตามลำดับในข้อตกลงกับ
SEM เม็ดขนาดประมาณ ที่แตกต่างกัน ความแตกต่างในรูป
นี้อาจผลจากของเสียที่ผลิตในวัสดุระหว่าง
ลูกโม่หรือมันอาจสะท้อนให้เห็นถึงสถานะของระยะมัธยม
( MgO หรือจังหวัด ) ดแบบจาก BM mg2si
3B , รูป , แสดงในรูปที่ถ่ายมาจากเมล็ดเอ็ด
3 Cลักษณะรูปแบบผลึกแสดงว่าวัสดุ , เช่นเดียวกับการปรากฏตัวของ

mg2si เป็นหลักและ MgO เป็นรองขั้นตอนในวัสดุ ขั้นตอนและรูปแบบเอ็ด คือดัชนี
ใช้ชุดเดียวกันของรูปแบบไฟล์ PDF ( PDF #อ้างอิง
035-0773 ( mg2si ) , และ PDF #
045-0946 ( MgO ) ใช้สำหรับวิเคราะห์เฟสประชาชน .
นอกจากนี้ รูปที่ 3 C ,D แสดงฟิลด์ที่สดใสและภาพเต็ม
ทุ่งมืดที่ชัดเจนอธิบายความแตกต่าง
ในความคมชัด โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ในด้านมืดของภาพหนึ่งสามารถ
สังเกตสองขั้นตอนต่าง ๆ กับสีขาว และสีดำ ( MgO )
( mg2si ) ความคมชัด การวิเคราะห์การวัดก็ยังแสดงบนเว็บไซต์นี้
ยืนยันองค์ประกอบของธาตุ จาก XRD และ TEM ( เอ็ด ) characterizations

สูงพบว่าปฏิกิริยามก. สามารถกระจายออกจาก mg2si คริสตัลรูป
บริสุทธิ์ขั้นตอนของแมกนีเซียมออกไซด์และซิลิกอน . นี้ต้องใช้เพิ่มเติมที่เข้มงวดควบคุมสิ่งแวดล้อม
ปฏิกิริยาเพื่อหลีกเลี่ยงการใด ๆที่เป็นไปได้
ติดต่อกับออกซิเจนสำหรับการเตรียมผงบริสุทธิ์สูง mg2si
.
XRD และ SEM วิเคราะห์พบว่าอุณหภูมิที่เหมาะสมสำหรับการผนึกของ SP
mg2si BM 750  C เนื่องจากวัสดุ
ที่มามีประวัติศาสตร์เดียวกันตัวอย่างการประเมิน
เพิ่มเติมเข้าใจอิทธิพลของการบดอัดและความหนาแน่น
และลักษณะขนาดเมล็ด ด้วยเหตุนี้ te
characterizations จำนวนตัวอย่างซิ