Silica (obtained by a sol–gel proce

Silica (obtained by a sol–gel process) and sucrose were used as precursors of silicon and carbon, respectively, at a temperature of 700 C in controlled atmosphere (nitrogen) for the formation of the SiO2/C composite. This composite was used in a second step to obtain SiC
at a temperature of 1500 C, in argon atmosphere. The experimental setup used a Pyrex glass spherical vessel designed to work with concentrated solar power and controlled atmospheres. The structure and morphology of the solar obtained SiC were analyzed with FTIR, XRD, TGA/DSC, SEM and TEM techniques. Results show that it is feasible to use concentrated solar energy for the synthesis

of SiC. The solar SiC obtained is nanostructured and is mainly b-SiC.

2015 Elsevier Ltd. All rights reserved.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซิลิก้า (ได้รับจากกระบวนการโซลเจล) และซูโครสถูกใช้เป็น precursors ซิลิคอนและคาร์บอน ตามลำดับ อุณหภูมิ 700 C ควบคุมบรรยากาศ (ไนโตรเจน) สำหรับการก่อตัวของคอมโพสิต SiO2/C คอมโพสิตนี้ถูกใช้ในขั้นตอนที่สองรับ SiCที่อุณหภูมิ 1500 C บรรยากาศอาร์กอน การตั้งค่าการทดลองใช้ Pyrex แก้วทรงกลมเรือออกแบบการทำงาน ด้วยพลังงานแสงอาทิตย์ที่เข้มข้นและควบคุมบรรยากาศ โครงสร้างและสัณฐานวิทยาของ SiC ได้รับแสงอาทิตย์ได้วิเคราะห์ FTIR, XRD, TGA/DSC เทคนิค SEM และยการ แสดงผลลัพธ์ที่สามารถใช้พลังงานแสงอาทิตย์สำหรับการสังเคราะห์สารที่เข้มข้นของ SiC แสงอาทิตย์ SiC ได้ nanostructured ส่วนใหญ่บี SiC และ 2015 Elsevier จำกัด สงวนลิขสิทธิ์ทั้งหมด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิลิก้า (ที่ได้รับโดยกระบวนการโซลเจล) และซูโครสถูกนำมาใช้เป็นสารตั้งต้นของซิลิคอนและคาร์บอนตามลำดับที่อุณหภูมิ 700 องศาเซลเซียสในบรรยากาศควบคุม (ไนโตรเจน) สำหรับการก่อตัวของคอมโพสิต SiO2 / C คอมโพสิตนี้ถูกใช้ในขั้นตอนที่สองที่จะได้รับดังนี้ที่อุณหภูมิ 1500 C ในบรรยากาศอาร์กอน
การติดตั้งทดลองใช้แก้ว Pyrex ภาชนะทรงกลมที่ออกแบบมาเพื่อทำงานร่วมกับพลังงานแสงอาทิตย์ที่มีความเข้มข้นและสภาพแวดล้อมที่มีการควบคุม โครงสร้างและลักษณะทางสัณฐานวิทยาของพลังงานแสงอาทิตย์ที่ได้รับ SIC ถูกวิเคราะห์ด้วย FTIR, XRD, TGA / DSC, SEM และเทคนิค TEM ผลแสดงให้เห็นว่ามันเป็นไปได้ที่จะใช้พลังงานเข้มข้นแสงอาทิตย์สำหรับการสังเคราะห์ของ SiC พลังงานแสงอาทิตย์ที่ได้รับดังนี้คืออิเล็กทรอนิคส์และเป็นส่วนใหญ่ B-SiC. 2015 เอลส์ จำกัด สงวนลิขสิทธิ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิลิกา ( ได้มาโดยกระบวนการโซล - เจลและซูโครสถูกใช้เป็นสารตั้งต้นของซิลิคอนและคาร์บอน ตามลำดับ ที่อุณหภูมิ 700 องศาเซลเซียส ในบรรยากาศควบคุม ( ไนโตรเจน ) สำหรับการก่อตัวของซิลิกอนไดออกไซด์ / C ผสม คอมโพสิตนี้ถูกใช้ในขั้นตอนที่สองเพื่อขอรับ SIC
ที่อุณหภูมิ 1500 องศาเซลเซียส ในบรรยากาศของก๊าซอาร์กอนการติดตั้งทดลองใช้ Pyrex แก้วทรงกลมภาชนะที่ออกแบบมาเพื่อทำงานกับจดจ่อพลังงานแสงอาทิตย์และควบคุมสภาพบรรยากาศ . โครงสร้างและลักษณะของแสงอาทิตย์ได้มา SiC วิเคราะห์ด้วย FTIR XRD , DSC , TGA / เทคนิค SEM และ TEM . ผลลัพธ์ที่แสดงให้เห็นว่ามันเป็นไปได้ที่จะใช้พลังงานแสงอาทิตย์เข้มข้นสำหรับการสังเคราะห์

ของ SiCแสงอาทิตย์ได้เป็น nanostructured SIC และส่วนใหญ่ b-sic .

และ บริษัท จำกัด สงวนลิขสิทธิ์