AlN thin film sensor units with no

AlN thin film sensor units with no edge cracks or short circuit effect were fabricated on 3 in. Si wafers coated with Al2O3, as shown in Fig. 9. The Si wafer was diced into individual sensor units. Each sensor was connected to electrical leads using silver paste. The sensor body was protected from possible external damage during sensor characterization using a thin insulation tape.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

AlN หน่วยเซ็นเซอร์ของฟิล์มบาง โดยไม่มีรอยแตกขอบหรือไฟฟ้าลัดวงจรผลได้หลังสร้างบน 3 ใน รับศรีเคลือบ ด้วย Al2O3 ดังที่แสดงใน Fig. 9 แผ่นเวเฟอร์ซิมีวุ้นเป็นเซ็นเซอร์แต่ละหน่วย เซ็นเซอร์แต่ละการเชื่อมต่อไฟฟ้าเป้าหมายใช้วางเงิน ตัวเซ็นเซอร์ถูกป้องกันจากความเสียหายภายนอกได้ระหว่างเซ็นเซอร์จำแนกโดยใช้เทปฉนวนบาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ALN ภาพยนตร์หน่วยเซ็นเซอร์บางที่ไม่มีรอยแตกที่ขอบหรือผลลัดวงจรถูกประดิษฐ์เมื่อวันที่ 3 ใน. ศรีเคลือบด้วยช็อคโกแลต Al2O3 ดังแสดงในรูปที่ 9. เวเฟอร์ศรีถูกหั่นเป็นหน่วยเซ็นเซอร์ของแต่ละบุคคล เซ็นเซอร์แต่ละคนได้นำไปสู่​​การเชื่อมต่อกับไฟฟ้าโดยใช้เงินวาง ร่างกายเซ็นเซอร์ได้รับการคุ้มครองจากความเสียหายภายนอกที่เป็นไปได้ในระหว่างการเซ็นเซอร์ตัวละครโดยใช้เทปฉนวนกันความร้อนบาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ALN หน่วยฟิล์มบางด้วย ไม่มีรอยแตกหรือขอบผลวงจรถูกประดิษฐ์ใน 3 . ศรีเวเฟอร์เคลือบด้วยอะลูมิเนียม ดังแสดงในรูปที่ 9 ศรี เวเฟอร์ ถูกหั่นเป็นหน่วยเซ็นเซอร์แต่ละ แต่ละเครื่องมือเชื่อมต่อกับนําไฟฟ้าใช้วางเงิน ตัวเซนเซอร์ถูกป้องกันจากความเสียหายภายนอกเป็นไปได้ในระหว่างการเซนเซอร์โดยใช้เทปฉนวนบาง ๆ