Gallium nitride (GaN) is one of the

Gallium nitride (GaN) is one of the most attractive and promising
semiconductor materials with a wide band gap (Eg=3.4 eV) at room
temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แกลเลียมไนไตรด์ (กัน) เป็นหนึ่งในที่สุดที่น่าสนใจและมีแนวโน้ม
วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่มีช่องว่างแถบกว้าง (เช่น = 3.4 eV) ที่ห้อง
อุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แกลเลียมไนไตรด์ ( กาน ) เป็นหนึ่งในที่น่าสนใจมากที่สุดและวัสดุสารกึ่งตัวนำสัญญา
ที่มีช่องว่างแถบกว้าง ( เช่น = 3.4 eV ) ที่อุณหภูมิห้อง