The FE model assumes that the packa

The FE model assumes that the packageintroduced
stress is mostly from the CTE mismatch of packaging components. The discrepancy could
have resulted from the non-symmetrical placement of the pressure sensor in the packaging process,
since the different stress distributions on the silicon membrane of the pressure sensor change the final
output voltage of the pressure sensor. The final material properties of the EMC are strongly dominated
by the final curing situation. In addition, a simplified linear model could also contribute to the
discrepancy [25,26]. However, the signal outputs of the packaged pressure sensor obtained from the
FE model and the experiment have similar trend. In addition, the thickness variation of the silicon
membrane is ±10% for a commercial specification of the piezoresistive pressure sensors. This induces
a shift on zero-offset output for pressure sensors. Therefore, the zero offset voltage (ΔV) of each
pressure sensor is a non-zero value and varies from sensor to sensor. To set the signal output of a
pressure sensor always on a positive voltage output at all pressure and temperature range, a series
resistor is added on the sensing circuit to shift the zero-offset output of the pressure sensor to a
specified positive zero-offset value. In contrast, the output voltage of the pressure sensor is caught
directly from the output of the Wheatstone bridge (without adding the series resistor). This explains
why the signal output of the pressure sensor may cover a range of positive and negative voltages.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รุ่น FE สมมติที่ packageintroduced การความเครียดเป็นส่วนใหญ่มาจากไม่ตรง CTE ส่วนบรรจุภัณฑ์ ความขัดแย้งอาจมีผลมาจากการวางไม่สมมาตรของเซ็นเซอร์ความดันในกระบวนการบรรจุภัณฑ์การกระจายความเครียดแตกต่างบนเมมเบรนซิลิคอนของเซ็นเซอร์ความดันเปลี่ยนแปลงสุดท้ายแรงดันขาออกของเซนเซอร์ความดัน คุณสมบัติของวัสดุขั้นสุดท้ายของ EMC จะขอมากโดยบ่มสถานการณ์สุดท้าย นอกจากนี้ แบบจำลองเชิงเส้นอย่างง่ายสามารถยังนำไปสู่การความขัดแย้ง [25,26] อย่างไรก็ตาม เอาท์พุตของเซนเซอร์ความดันบรรจุที่ได้รับจากการFE รูปแบบและการทดลองมีแนวโน้มที่คล้ายกัน นอกจากนี้ การเปลี่ยนแปลงความหนาของซิลิโคนจะเมมเบรนเป็น± 10% สำหรับข้อมูลจำเพาะเชิงพาณิชย์ของเซนเซอร์ความดัน piezoresistive นี้ก่อให้เกิดการเปลี่ยนเอาต์พุตของศูนย์ออฟเซตสำหรับเซนเซอร์ความดัน ดังนั้น ศูนย์ชดเชยแรงดันไฟฟ้า (ΔV) ของแต่ละเซ็นเซอร์ความดันมีค่าไม่เป็นศูนย์ และแตกต่างจากเซ็นเซอร์เซ็นเซอร์ การตั้งค่าการแสดงผลของสัญญาณของการความดันเซ็นเซอร์บนการแสดงผลแรงดันทั้งแรงดันและอุณหภูมิระยะ ชุดเสมอเพิ่มตัวต้านทานในวงจรตรวจจับการเปลี่ยนผลลัพธ์ตรงข้ามศูนย์ของเซ็นเซอร์ความดันไประบุค่าศูนย์ออฟเซตบวก ตรงกันข้าม แรงดันขาออกของเซนเซอร์ความดันถูกจับโดยตรงจากผลลัพธ์ของวีตสโตนบริดจ์ (โดยไม่ต้องเพิ่มต้านทานชุด) นี้อธิบายทำไมสัญญาณของเซนเซอร์ความดันอาจครอบคลุมช่วงของแรงดันไฟฟ้าบวก และลบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รุ่น FE สันนิษฐานว่า packageintroduced
ความเครียดเป็นส่วนใหญ่มาจากการไม่ตรงกัน CTE ของส่วนประกอบของบรรจุภัณฑ์ ความแตกต่างอาจ
มีผลมาจากตำแหน่งที่ไม่สมมาตรของเซ็นเซอร์ความดันในกระบวนการบรรจุภัณฑ์
ตั้งแต่การกระจายความเครียดที่แตกต่างกันบนแผ่นซิลิกอนของเซ็นเซอร์ความดันเปลี่ยนสุดท้าย
แรงดันเอาท์พุทของเซ็นเซอร์ความดัน คุณสมบัติของวัสดุสุดท้ายของอีเอ็มซีที่มีความโดดเด่นอย่างมาก
จากภาวะการบ่มสุดท้าย นอกจากนี้ยังมีรูปแบบเชิงเส้นง่ายนอกจากนี้ยังอาจนำไปสู่
​​ความแตกต่าง [25,26] อย่างไรก็ตามผลของสัญญาณของเซ็นเซอร์ความดันบรรจุที่ได้จาก
รุ่น fe และการทดสอบมีแนวโน้มที่คล้ายกัน นอกจากนี้การเปลี่ยนแปลงความหนาของซิลิกอน
เมมเบรนเป็น± 10% สำหรับสเปคเชิงพาณิชย์ของเซ็นเซอร์ความดัน piezoresistive นี้ก่อให้เกิดการ
เปลี่ยนแปลงในการส่งออกศูนย์ชดเชยสำหรับเซ็นเซอร์ความดัน ดังนั้นการชดเชยแรงดัน (ΔV) ของแต่ละศูนย์
เซ็นเซอร์ความดันไม่ใช่ศูนย์ที่คุ้มค่าและแตกต่างจากเซ็นเซอร์ตรวจจับ การตั้งค่าสัญญาณของ
เซ็นเซอร์ความดันเสมอในเอาท์พุทแรงดันไฟฟ้าในเชิงบวกในทุกความดันและอุณหภูมิช่วงชุด
ต้านทานจะถูกเพิ่มในวงจรการตรวจจับที่จะเปลี่ยนการส่งออกที่ศูนย์ offset ของเซ็นเซอร์ความดันที่จะ
บวกค่าเป็นศูนย์ชดเชยระบุ . ในทางตรงกันข้ามแรงดันเอาท์พุทของเซ็นเซอร์ความดันถูกจับได้
โดยตรงจากการส่งออกของสะพาน Wheatstone (ไม่เพิ่มความต้านทานซีรีส์) นี้จะอธิบาย
ว่าทำไมสัญญาณของเซ็นเซอร์ความดันอาจครอบคลุมช่วงของแรงดันไฟฟ้าในเชิงบวกและเชิงลบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เหล็กรูปแบบสันนิษฐานว่า packageintroducedความเครียดเป็นส่วนใหญ่จาก ETC ไม่ตรงกันของส่วนประกอบของบรรจุภัณฑ์ ความขัดแย้งที่อาจมีสาเหตุมาจากการไม่สมมาตรของตัวตรวจจับความดันในกระบวนการบรรจุเนื่องจากความเครียดการแจกแจงแตกต่างกันในซิลิคอนชนิดของเซ็นเซอร์เปลี่ยนครั้งสุดท้ายแรงดันจากเซ็นเซอร์ด้วย สุดท้าย คุณสมบัติวัสดุของอีเอ็มซีจะขอครอบงำโดยสุดท้ายรักษาสถานการณ์ นอกจากนี้ จีนยังสนับสนุนการเชิงเส้นรูปแบบความขัดแย้ง [ 25,26 ] อย่างไรก็ตาม สัญญาณเอาท์พุทของความดันบรรจุเซนเซอร์ที่ได้รับจากเหล็กรูปแบบและการทดลองมีแนวโน้มที่คล้ายคลึงกัน นอกจากนี้ การแปรผันของความหนาของซิลิคอนเมมเบรน± 10% สำหรับคุณสมบัติเชิงพาณิชย์ของดันเซ็นเซอร์ Piezoresistive . ลักษณะนี้กะออก ตรงข้ามศูนย์สำหรับเซ็นเซอร์ความดัน ดังนั้น ศูนย์ชดเชยแรงดัน ( V Δ ) ของแต่ละเซ็นเซอร์ความดันที่ไม่ใช่ศูนย์ค่า และแตกต่างจากเซ็นเซอร์ Sensor ตั้งค่าสัญญาณของเซ็นเซอร์แรงดันบวกเสมอในผลผลิตที่ความดันและอุณหภูมิ ช่วง ชุดตัวต้านทานจะถูกเพิ่มในการตรวจวัดวงจรกะศูนย์ชดเชยผลผลิตของความดันเซ็นเซอร์เพื่อระบุบวกศูนย์ชดเชยค่า ในทางตรงกันข้ามแรงดัน output ของเซ็นเซอร์ ถูกจับโดยตรงจากผลผลิตของวีทสโตนบริดจ์ ( โดยไม่ต้องเพิ่มชุดตัวต้านทาน ) นี้อธิบายว่าทำไมสัญญาณของเซ็นเซอร์อาจครอบคลุมช่วงบวกและลบนั้น