A nanotechnology BSWCNT-based power

A nanotechnology BSWCNT-based power diode example design consists of single wall CNTs (e.g. 2nm in diameter) and 10,000 bundled SWCNTs. The CNTs are bundled in acircular shape with fine pitch and an effective overall diameter of 211m as demonstrated in Fig. l(b). The BSWCNT-based power diode occupies an area of 6 11m x 8 11m (small footprint of 481lm2) and is laid on p-type silicon substrate of 550llm thickness and orientation of as demonstrated in Fig.
l(a). The ANSYS® physical modeling simulation results of the BSWCNT-based power diode are obtained based on current and voltage ratings of 100mA and 1 V, respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

A nanotechnology BSWCNT-based power diode example design consists of single wall CNTs (e.g. 2nm in diameter) and 10,000 bundled SWCNTs. The CNTs are bundled in acircular shape with fine pitch and an effective overall diameter of 211m as demonstrated in Fig. l(b). The BSWCNT-based power diode occupies an area of 6 11m x 8 11m (small footprint of 481lm2) and is laid on p-type silicon substrate of 550llm thickness and orientation of <100> as demonstrated in Fig.l(a). The ANSYS® physical modeling simulation results of the BSWCNT-based power diode are obtained based on current and voltage ratings of 100mA and 1 V, respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นาโนเทคโนโลยีไดโอดอำนาจ BSWCNT ตามการออกแบบตัวอย่างประกอบด้วย CNTs ผนังเดียว (2NM เช่นในเส้นผ่าศูนย์กลาง) และ 10,000 รวม SWCNTs CNTs มีการรวมในรูป acircular กับสนามที่ดีและมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางโดยรวมที่มีประสิทธิภาพของ 211m ที่แสดงให้เห็นในรูป ลิตร (ข) ไดโอดอำนาจ BSWCNT ตามตรงบริเวณพื้นที่ 6 x 8 11m 11m (รอยเท้าเล็ก ๆ ของ 481lm2) และวางบนพื้นผิวซิลิคอนชนิดพีของความหนา 550llm และการวางแนวของ <100> ที่แสดงให้เห็นในรูป.
ลิตร () ผลการจำลองการสร้างแบบจำลองทางกายภาพANSYS®ของไดโอด BSWCNT อำนาจตามที่ได้รับจากการจัดอันดับในปัจจุบันและแรงดันไฟฟ้าของ 100mA และ 1 V ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นนาโนเทคโนโลยี bswcnt ใช้เพาเวอร์ไดโอดตัวอย่างการออกแบบประกอบด้วย cnts ผนังเดี่ยว ( เช่น 2nm ในเส้นผ่าศูนย์กลาง ) และ 10 , 000 รวม swcnts . การ cnts อยู่รวมใน acircular รูปร่าง ด้วยระยะห่างดีและมีประสิทธิภาพโดยรวมขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 211m ดังที่แสดงในรูป l ( B )การใช้พลังงาน bswcnt ไดโอด occupies พื้นที่ 6 11m x 8 11m ( รอยเท้าเล็ก ๆของ 481lm2 ) และวางไว้บนหนา 550llm พีซิลิคอนและการวางแนวของ < 100 > ดังที่แสดงในรูปที่
L ( A ) การ® ANSYS การจำลองกายภาพแบบผล bswcnt เพาเวอร์ไดโอดที่ใช้จะได้รับขึ้นอยู่กับกระแสและแรงดันเกิน 100mA และ 1 V ตามลำดับ