แผนภาพการเกดsilicon nitride ในปฎกรย

แผนภาพการเกดsilicon nitride ในปฎกรยา
Reaction-bonding process.
Model by Atkinson et al.
(1976):
การเกด Silicon nitride โดยการเกดการ
เคลอนยาย silicon โดย evaporation-
condensation or surface
diffusion แลวทาปฎกรยากบกาซ Oxygen
ทาใหได SiO vapor ซงจะทาปฎกรยากบกาซ
N2 ไดเปน silicon nitride ทาใหเกดรพรน
กวางข
น และเกด silicon nitride รอบๆ
ภายในรพรนจะม N2 ดวย เมอปฎกรยาดาเนนไป ก
จะได silicon nitride ทเกดมากและป ดร
พรนเหลาน
น

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในปฎกรยา แผนภาพการเกดsilicon ไนไตรน์ กระบวนการปฏิกิริยาพันธะ รุ่นโดย Atkinson et al (1976):การเกดซิลิกอนไนไตรด์โดยการเกดการเคลอนยายซิลิคอนโดยระเหย-การควบแน่นหรือพื้นผิว แลวทาปฎกรยากบกาซการกระจายออกซิเจน ทาใหได SiO ไอซงจะทาปฎกรยากบกาซ N2 ไดเปนซิลิกอนไนไตรด์ทาใหเกดรพรนกวางขน.และเกดซิลิกอนไนไตรด์รอบ ๆ ภายในรพรนจะม N2 ดวยเมอปฎกรยาดาเนนไปกจะไดซิลิกอนไนไตรด์ทเกดมากและปดรพรนเหลานน.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แผนภาพการเกดซิลิคอนไนไตรด์ในปฎกรยา
ปฏิกิริยาพันธะกระบวนการ.
รุ่นโดยแอตกินสัน et al.
(1976):
การเกดซิลิคอนไนไตรด์การเกดโดยหัวเรื่อง: การ
เคลอนยายซิลิกอนโดย evaporation-
ควบแน่นหรือพื้นผิว
การแพร่แลวทาปฎกร ยากบกาซออกซิเจน
ทาใหไดไอ SiO ซงจะทาปฎกรยาก บกาซ
N2 ไดเปนซิลิกอนไนไตรด์ทาใหเกดรพรหนังสือน
กวางข
หนังสือนและเกดซิลิคอนไนไตรด์รอบ ๆ
ภายในรพรหนังสือนจะม N2 ด คุณเมยวอปฎกรยาดาเนหนังสือนไปก
จะไดซิลิคอนไนไตรด์เกดมากทและปดร
พรหนังสือนเหลาหนังสือน
หนังสือน