Design a self-bias network using a

Design a self-bias network using a JFET transistor with IDDD = 8 mA and VP Z = -6 V to have a
Q-point at IDD Q = 4 mA using a supply of 14 V. Assume that RD = 3RRR and use standard values.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ออกแบบเครือข่ายตัวเองอคติโดยใช้ทรานซิสเตอร์ JFET กับ IDDD = 8 mA และรองประธานฝ่าย Z = -6 V จะมี
Q-จุดทางไกลต่างประเทศ Q = 4 mA ใช้อุปทานของโวลต์ 14 สมมติว่า RD = 3RRR และใช้ค่ามาตรฐาน .

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การออกแบบโครงข่ายที่ใช้ทรานซิสเตอร์ jfet ตนเองอคติกับ iddd = 8 มาและ VP Z = - 6 V ได้
q-point ที่สายตรง q = 4 มาใช้จ่าย 14 โวลต์ สมมติว่า 1 = 3rrr และใช้มาตรฐานค่า