2) Voltage Follower Peak DetectorCi

2) Voltage Follower Peak Detector
Circuit Design
1) Use BIFET op-amps for minimum capacitor leakage current.
2) let R1 = R2 = 1M
3) C1 discharge current, Id  IR(D2)  1A (reverse leakage current)
4) V = 1% of VP

5) Compute C1 from Eq. 1,

6) For op-amp A1, compute Io(max) from Eq.2,


7) For op-amp, compute the slew rate from Eq.3,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2) จับแรงดันไฟฟ้าสูงสุดหล่อการออกแบบวงจร1) ใช้ BIFET op-แอมป์สำหรับการรั่วไหลของตัวเก็บประจุต่ำสุดปัจจุบัน2 ให้ R1 = R2 = 1M3) C1 ปล่อยปัจจุบัน รหัส IR(D2)  1A (กระแสรั่วไหลย้อนกลับ)4) V =% 1 ของ VP5) คำนวณ C1 จาก Eq. 1 6) สำหรับ op-แอมป์ A1 คำนวณ Io(max) จาก Eq.27) สำหรับ op-แอมป์ คำนวณอัตราฆ่าจาก Eq.3

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2) แรงดันไฟฟ้าสูงสุดติดตามตรวจจับ
การออกแบบวงจร
1) ใช้ BIFET สหกรณ์แอมป์สำหรับเก็บประจุต่ำสุดรั่วไหลของกระแส.
2) ให้ R1 = R2 = 1M
3) ปล่อย C1 ปัจจุบัน Id  IR (D2) 1A (รั่วไหลย้อนกลับปัจจุบัน )
4) V = 1% ของ VP 5) Compute C1 จากสมการ 1, 6) สำหรับสหกรณ์แอมป์ A1 คำนวณไอโอ (สูงสุด) จาก Eq.2, 7) สำหรับสหกรณ์แอมป์คำนวณอัตราการฆ่าจาก Eq.3,

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 ) เครื่องตรวจจับแรงดันไฟฟ้าสูงสุด

1 ) การออกแบบวงจรตามแอมป์ OP bifet ใช้ประจุกระแสรั่วไหลน้อยที่สุด .
2 ) ให้ R1 = R2 = 1 m
3 ) กระแสไฟฟ้า C1 , ID  IR ( D2 )  1  ( Reverse การรั่วไหลในปัจจุบัน )
4 )  V = 1% ของฯ

5 C1 ) คำนวณจากอีคิว 1

6 ) สำหรับแอมป์ A1 , คำนวณ IO ( สูงสุด ) จาก eq.2
,
7 ) สำหรับแอมป์ คำนวณได้จากอัตรา eq.3

,