and the growth of a newγ-phase with

and the growth of a newγ-phase with minimal defects. Crystal sizes of annealed
thin films for α and γ phases are almost identical

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

และการเจริญเติบโตของ newγ ระยะมีข้อบกพร่องน้อยที่สุด คริสตัลขนาดของอบฟิล์มบางสำหรับเฟสαและγจะเกือบเหมือน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

และการเจริญเติบโตของnewγเฟสที่มีข้อบกพร่องน้อยที่สุด ขนาดผลึกของอบ
ฟิล์มบางสำหรับαและγขั้นตอนเกือบจะเหมือนกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

และการเจริญเติบโตของγ - เฟสใหม่ที่มีข้อบกพร่องน้อยที่สุด คริสตัลขนาดอบฟิล์มบางสำหรับαและระยะγเกือบจะเหมือนกัน