The most relevant phenomenon of thi

The most relevant phenomenon of this past decade in the field
of semiconductor memories has been the explosive growth of the
Flash memory market, driven by cellular phones and other types
of electronic portable equipment (palm top, mobile PC, mp3 audio
player, digital camera, and so on). Moreover, in the coming years,
portable systems will demand even more nonvolatile memories, either
with high density and very high writing throughput for data
storage application or with fast random access for code execution
in place. The strong consolidated know-how (more than ten years of
experience), the flexibility, and the cost make the Flash memory a
largely utilized, well-consolidated, and mature technology for most
of the nonvolatile memory applications. Today, Flash sales represent
a considerable amount of the overall semiconductor market.
Although in the past different types of Flash cells and architectures
have been proposed, today two of them can be considered as
industry standard: the common ground NOR Flash, that due to its
versatility is addressing both the code and data storage segments,
and the NAND Flash, optimized for the data storage market.
This paper will mainly focus on the development of the NOR Flash
memory technology, with the aim of describing both the basic functionality
of the memory cell used so far and the main cell architecture
consolidated today. The NOR cell is basically a floating-gate
MOS transistor, programmed by channel hot electron and erased
by Fowler–Nordheim tunneling. The main reliability issues, such as
charge retention and endurance, will be discussed, together with the
understanding of the basic physical mechanisms responsible. Most
of these considerations are also valid for the NAND cell, since it is
based on the same concept of floating-gate MOS transistor.
Furthermore, an insight into the multilevel approach, where two
bits are stored in the same cell, will be presented. In fact, the exploitation
of the multilevel approach at each technology node allows
the increase of the memory efficiency, almost doubling the density
at the same chip size, enlarging the application range, and reducing
the cost per bit.
Finally, the NOR Flash cell scaling issues will be covered,
pointing out the main challenges. The Flash cell scaling has
been demonstrated to be really possible and to be able to follow
the Moore’s law down to the 130-nm technology generations.
The technology development and the consolidated know-how is
expected to sustain the scaling trend down to the 90- and 65-nm
technology nodes as forecasted by the International Technology
Roadmap of Semiconductors. One of the crucial issues to be solved

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปรากฏการณ์ที่เกี่ยวข้องมากที่สุดของทศวรรษที่ผ่านมาในฟิลด์ความทรงจำสารกึ่งตัวนำมีการเจริญเติบโตอย่างของการตลาดหน่วยความจำแฟลช ขับเคลื่อน ด้วยโทรศัพท์มือถือและชนิดอื่น ๆของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แบบพกพา (ปาล์มท็อป พีซีเคลื่อนที่ เครื่องเสียง mp3เล่น กล้องดิจิตอล และอื่น ๆ) นอกจากนี้ ใน ปีที่ผ่านมาระบบแบบพกพาจะต้องทรงยิ่งมลบเลือน อย่างใดอย่างหนึ่งมีความหนาแน่นสูง และสูงมากเขียนความเร็วข้อมูลเก็บแอพลิเคชัน หรือ ด้วยการเข้าถึงแบบสุ่มอย่างรวดเร็วสำหรับโค้ดในนี้ ความรู้รวมแรง (กว่าสิบปีพบ), ความยืดหยุ่น และต้นทุนทำให้หน่วยความจำแฟลชส่วนใหญ่ใช้ รวมโรงแรม เทคโนโลยี และผู้ใหญ่ส่วนใหญ่การใช้งานหน่วยความจำชนิดนี้ วันนี้ เป็นตัวแทนขายแฟลชเป็นจำนวนมากของสารกึ่งตัวนำตลาดโดยรวมแม้ว่าในอดีตชนิดแฟลชและสถาปัตยกรรมมีการนำเสนอ วันนี้สองคนถือได้ว่าเป็นมาตรฐานอุตสาหกรรม: พื้นทั่วไปหรือแฟลช ของความเป็นอยู่ส่วนที่เก็บรหัสและข้อมูลและ NAND Flash เหมาะสำหรับตลาดจัดเก็บข้อมูลเอกสารนี้จะเน้นการพัฒนาแฟลชไม่เทคโนโลยีหน่วยความจำ มีจุดมุ่งหมายของการอธิบายฟังก์ชันพื้นฐานสถาปัตยกรรมหลักเซลล์และเซลล์หน่วยความจำที่ใช้รวมวันนี้ เซลล์ไม่เป็นพื้นลอยประตูMOS ทรานซิสเตอร์ โปรแกรม โดยช่องทางร้อนอิเล็กตรอน และลบโดยฟาวเลอร์-Nordheim ทันเนล ปัญหาความน่าเชื่อถือหลัก เช่นค่าธรรมเนียมการเก็บรักษาและความอดทน จะกล่าว รวมกับการความเข้าใจกลไกทางกายภาพพื้นฐานความรับผิดชอบ มากที่สุดของข้อพิจารณาเหล่านี้จะถูกต้องสำหรับเซลล์ NAND เป็นตามแนวคิดเดิมของประตูลอย MOS ทรานซิสเตอร์นอกจากนี้ มีความเข้าใจในวิธีการหลายระดับ สองบิตที่เก็บไว้ในเซลล์เดียวกัน จะนำเสนอ ในความเป็นจริง ความวิธีการหลายระดับในแต่ละเทคโนโลยี ช่วยให้โหนเพิ่มประสิทธิภาพหน่วยความจำ เกือบสองเท่าความหนาแน่นที่มีชิพ ขยายช่วงสมัคร และลดต้นทุนต่อบิตในที่สุด จะครอบคลุมเซลล์แฟลชและปัญหาการปรับขนาดชี้ให้เห็นความท้าทายหลัก แฟลชเซลล์ขนาดได้การแสดง จะเป็นไปได้จริง ๆ และสามารถทำตามกฎของมัวร์ลงรุ่น 130 nm เทคโนโลยีการพัฒนาเทคโนโลยีและความรู้รวมเป็นต้องรักษาแนวโน้มปรับลงไป 90 - และ 65-nmเทคโนโลยีโหนตามคาดการณ์เทคโนโลยีนานาชาติแผนงานของคอนดักเตอร์ ประเด็นสำคัญที่ได้รับการแก้ไข

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปรากฏการณ์ที่เกี่ยวข้องมากที่สุดของทศวรรษที่ผ่านมาในเขต
ของความทรงจำเซมิคอนดักเตอร์ที่ได้รับการเจริญเติบโตระเบิดของ
ตลาดหน่วยความจำแฟลชได้แรงหนุนจากโทรศัพท์มือถือและประเภทอื่น ๆ
ของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แบบพกพา (TOP ปาล์มเครื่องคอมพิวเตอร์มือถือเสียง MP3
Player, กล้องดิจิตอล และอื่น ๆ ) นอกจากนี้ในปีที่ผ่านมา
ระบบแบบพกพาที่จะเรียกร้องความทรงจำลบเลือนมากยิ่งขึ้นทั้ง
ที่มีความหนาแน่นสูงและผ่านการเขียนสูงมากสำหรับข้อมูล
การประยุกต์ใช้การจัดเก็บข้อมูลที่มีการเข้าถึงหรือการสุ่มอย่างรวดเร็วสำหรับการเรียกใช้รหัส
ในสถานที่ แข็งแรงรวมความรู้ (มากกว่าสิบปีของ
ประสบการณ์) มีความยืดหยุ่นและค่าใช้จ่ายให้หน่วยความจำแฟลช
ใช้ส่วนใหญ่ที่ดีรวมและผู้ใหญ่เทคโนโลยีสำหรับส่วนมาก
ของการใช้งานหน่วยความจำถาวร วันนี้ยอดขายแฟลชแทน
จำนวนมากของตลาดเซมิคอนดักเตอร์โดยรวม.
ถึงแม้ว่าในประเภทที่แตกต่างกันที่ผ่านมาของเซลล์ Flash และสถาปัตยกรรมที่
ได้รับการเสนอในวันนี้พวกเขาทั้งสองถือได้ว่าเป็น
มาตรฐานอุตสาหกรรม: พื้นดินทั่วไป NOR แฟลช, ว่าเนื่องจาก
เก่งกาจเป็นที่อยู่ทั้งรหัสและการจัดเก็บข้อมูลกลุ่ม
และ NAND แฟลชเหมาะสำหรับตลาดการจัดเก็บข้อมูล.
กระดาษนี้จะมุ่งเน้นในการพัฒนาหรือแฟลช
เทคโนโลยีหน่วยความจำมีจุดมุ่งหมายของการอธิบายทั้งฟังก์ชั่นพื้นฐาน
ของหน่วยความจำ มือถือที่ใช้เพื่อให้ห่างไกลและสถาปัตยกรรมเซลล์หลัก
รวมวันนี้ หรือมือถือเป็นพื้นลอยประตู
MOS ทรานซิสเตอร์โปรแกรมโดยอิเล็กตรอนร้อนช่องทางและลบ
โดยฟาวเลอร์-Nordheim อุโมงค์ ปัญหาความน่าเชื่อถือหลักเช่น
การเก็บรักษาค่าใช้จ่ายและความอดทนจะมีการหารือร่วมกับ
ความเข้าใจในกลไกพื้นฐานทางกายภาพมีความรับผิดชอบ ส่วนใหญ่
ของการพิจารณาเหล่านี้ยังถูกต้องสำหรับเซลล์ NAND เพราะมันจะ
อยู่บนพื้นฐานของแนวคิดเดียวกันลอยประตู MOS ทรานซิสเตอร์.
นอกจากนี้มีความเข้าใจในวิธีการหลายระดับซึ่งทั้งสอง
บิตจะถูกเก็บไว้ในเซลล์เดียวกันจะนำเสนอ ในความเป็นจริงการแสวงหาผลประโยชน์
ของวิธีการหลายที่โหนดแต่ละเทคโนโลยีช่วย
เพิ่มประสิทธิภาพหน่วยความจำเกือบสองเท่าของความหนาแน่น
ที่ขนาดชิปเดียวกันการขยายช่วงการสมัครและการลด
ค่าใช้จ่ายต่อบิต.
สุดท้ายหรือปรับเซลล์แฟลช ปัญหาจะได้รับการคุ้มครอง
ชี้ให้เห็นความท้าทายหลัก มาตราส่วนเซลล์ Flash ได้
รับการแสดงให้เห็นถึงความเป็นไปได้จริงๆและเพื่อให้สามารถที่จะปฏิบัติตาม
กฎหมายของมัวร์ลงไปที่คนรุ่นเทคโนโลยี 130 นาโนเมตร.
การพัฒนาเทคโนโลยีและรวมความรู้เป็นที่
คาดว่าจะรักษาแนวโน้มปรับลงไปที่ 90 และ 65 นาโนเมตร
โหนดเทคโนโลยีเป็นที่คาดการณ์โดยเทคโนโลยีนานาชาติ
Roadmap ของเซมิคอนดักเตอร์ หนึ่งในประเด็นสำคัญที่จะได้รับการแก้ไข