studied materials and shows great promise as a nanocrystalline
material related to environmental, electronic, optic and energy
applications [1e6]. ZnO is an n-type and direct wide band-gap
semiconductor with a band-gap of about 3.37 eV and a large excitonic
binding energy, as well as good electrical and optical properties
[7,8]. In addition, ZnO can be prepared in structures of
different dimensions: one, two or three dimensional. In particular,
zinc oxide nanoparticles (ZnO NPs) have been widely studied in the
field of nanoscale devices such as light emitting diodes and flat
panel displays [9e11], photo detectors [12], gas sensors [13], solar
cells [14], and others. However, many of these electronic applications
are based on electrical properties as well as crystal structure
ศึกษาวัสดุและแสดงสัญญาที่ดีเป็น nanocrystallineวัสดุที่เกี่ยวข้องกับสิ่งแวดล้อมและพลังงาน , อิเล็กทรอนิกส์ , จักษุการใช้งาน [ 1e6 ] ซิงค์ออกไซด์เป็นทั่วไปและวงกว้างตรงช่องว่างสารกึ่งตัวนำที่มีช่องว่างแถบประมาณ 3.60 EV และ excitonic ขนาดใหญ่พลังงานยึดเหนี่ยว รวมทั้งคุณสมบัติทางไฟฟ้าและทางแสงดี[ 7 , 8 ) นอกจากนี้ , ZnO สามารถเตรียมโครงสร้างของมิติที่แตกต่างกัน : หนึ่ง สอง หรือ สาม มิติ โดยเฉพาะอย่างยิ่งอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์ ( ZnO NPS ) ได้รับการศึกษาอย่างกว้างขวางในด้านอุปกรณ์นาโนสเกล เช่น light emitting diodes และแบนแผงแสดง 9e11 [ ] , ภาพเครื่องตรวจจับก๊าซเซนเซอร์ [ 12 ] , [ 13 ] , พลังงานแสงอาทิตย์เซลล์ [ 14 ] และคนอื่น ๆ อย่างไรก็ตาม หลายเหล่านี้โปรแกรมอิเล็กทรอนิกส์จะขึ้นอยู่กับคุณสมบัติทางไฟฟ้า ตลอดจนโครงสร้างคริสตัล
การแปล กรุณารอสักครู่..
