in the maximum surface to volume ra

in the maximum surface to volume ratio and surface related
defects of VO.
Fig. 7 presents the room-temperature Raman spectra of the
pure ZnO and Zn1xMgxO nanomaterials synthesized at 750, 850,
900 and 1000 C. The sharpest and strongest peak around
437 cm1 can be assigned to the nonpolar optical phonon E2 (high)
mode of ZnO. It is related to the motion of oxygen atoms and is a
typical Raman active branch of wurtzite ZnO [20,21]. As can be
seen in Fig. 7, the intensity of E2 (high) increases with the growth
temperature and Mg dopant concentration, which indicates that
the crystal quality of the Zn1xMgxO nanomaterials is improved
with the increase of growth temperature, and the Mg dopants do
not affect crystal quality of ZnO nanomaterials. From Fig. 7, it can
also be found that the peaks at 382 and 411 cm1 attributed to
A1 (TO) and E1 (TO) in ZnO are exhibited in the hemispheric shells
at 900 C and chain-like nanosheets at 1000 C, but they can not be
detected in nanoparticles at 750 C and nanowire-on-spherical
shells at 850 C, which may be due to the improved crystal quality
of the Zn1xMgxO nanomaterials at the higher growth temperature
than 850 C. The peak at 332 cm1 is assigned to multiple-phonon
(MP) scattering processes [22]. The peak at 579 cm1 belongs to E1
(LO) is associated with impurities and the formation of defects
such as oxygen vacancies (VO) [23]. We can observe that the relative
integrated intensity of E1 (LO) in the partially opened nanowire-
on-spherical shells is higher than that in the nanoparticles,
hemispheric shells and nanosheets, indicating that the amount of
VO defects in the Zn1xMgxO nanowire-on-spherical shells is much

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในพื้นที่สูงสุดอัตราส่วนปริมาตรและพื้นผิวที่เกี่ยวข้องข้อบกพร่องของ VOFig. 7 แสดงอุณหภูมิห้องรามันแรมสเป็คตราของการบริสุทธิ์ ZnO และ Zn1 xMgxO nanomaterials สังเคราะห์ที่ 750, 850900 และ 1000 c สูงสุดคมชัด และแข็งแกร่งทั่ว437 cm 1 ให้ phonon แสง nonpolar E2 (สูง)โหมดของ ZnO มันเกี่ยวข้องกับการเคลื่อนไหวของอะตอมออกซิเจน และมีการโดยทั่วไปรามันใช้สาขาของ wurtzite ZnO [20,21] เป็นสามารถเห็นใน Fig. 7 ความเข้มของ E2 (สูง) เพิ่มขึ้นกับการเจริญเติบโตอุณหภูมิและ Mg dopant สมาธิ ซึ่งหมายถึงเป็นการปรับปรุงคุณภาพคริสตัลของ Zn1 xMgxO nanomaterialsการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิเติบโต และ Mg ทำ dopantsไม่มีผลต่อคุณภาพคริสตัลของ ZnO nanomaterials Fig. 7 มันสามารถนอกจากนี้ยัง พบว่า ยอดที่ 382 และ 411 ซม 1 บันทึกA1 (ถึง) และ E1 (ถึง) ใน ZnO จะจัดแสดงเปลือกหอย hemisphericที่ 900 C และโซ่เหมือน nanosheets ที่ 1000 C แต่พวกเขาไม่สามารถพบในการเก็บกัก ที่ 750 C และ nanowire บนกลมเปลือกหอยที่ 850 C ซึ่งอาจเกิดจากคริสตัลปรับปรุงคุณภาพของ nanomaterials xMgxO Zn1 อุณหภูมิเจริญเติบโตสูงกว่า 850 c มีกำหนดจุดสูงสุดที่ 332 ซม 1 phonon หลายกระบวนการ scattering (MP) [22] สูงสุดที่ 579 ซม. 1 เป็น E1(LO) จะเกี่ยวข้องกับการก่อตัวของข้อบกพร่องและสิ่งสกปรกเช่นตำแหน่งออกซิเจน (VO) [23] เราสามารถสังเกตที่ญาติความเข้มของ E1 (หล่อ) รวมในบางส่วนเปิด nanowireเชลล์บนทรงกลมจะสูงกว่าที่เก็บกักหอย hemispheric และ nanosheets แสดงที่จำนวนโวบกพร่องในเปลือกหอย nanowire บนกลม xMgxO Zn1 เป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในพื้นผิวสูงสุดต่อปริมาณและพื้นผิวที่เกี่ยวข้องกับ
ข้อบกพร่องของ VO.
รูป 7 นำเสนอรามันอุณหภูมิห้องสเปกตรัมของ
ซิงค์ออกไซด์บริสุทธิ์และ Zn1? nanomaterials xMgxO สังเคราะห์ที่ 750, 850,
900 และ 1,000 องศาเซลเซียส คมชัดสูงสุดและแข็งแกร่งรอบ
437 ซม. 1 สามารถกำหนดให้แสง phonon nonpolar E2 (สูง)
โหมดการซิงค์ออกไซด์ มันเป็นเรื่องที่เกี่ยวข้องกับการเคลื่อนไหวของอะตอมออกซิเจนและเป็น
สาขาที่ใช้งานทั่วไปของรามัน wurtzite ซิงค์ออกไซด์ [20,21] ที่สามารถ
มองเห็นได้ในรูป 7 ความเข้มของ E2 (สูง) เพิ่มขึ้นกับการเจริญเติบโตของ
อุณหภูมิและความเข้มข้นของสารเจือปนมิลลิกรัมซึ่งบ่งชี้ว่า
มีคุณภาพผลึกของ Zn1? nanomaterials xMgxO จะดีขึ้น
กับการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิการเจริญเติบโตและสารเจือกไม่
ได้มีผลต่อคุณภาพของคริสตัล วัสดุนาโนซิงค์ออกไซด์ จากรูป 7 ก็สามารถ
นอกจากนี้ยังพบว่ายอดที่ 382 และ 411 ซม. 1 ประกอบกับ
A1 (TO) และ E1 (TO) ในซิงค์ออกไซด์จะถูกจัดแสดงในเปลือกสมองซีก
ที่ 900 องศาเซลเซียสและ nanosheets ห่วงโซ่เหมือนที่ 1000 องศาเซลเซียส, แต่พวกเขาไม่สามารถ
ตรวจพบในอนุภาคนาโนที่ 750 องศาเซลเซียสและเส้นลวดนาโนบนทรงกลม
เปลือกหอยที่ 850 องศาเซลเซียสซึ่งอาจจะเกิดจากการที่มีคุณภาพที่ดีขึ้นผลึก
ของ Zn1? xMgxO วัสดุนาโนที่อุณหภูมิการเจริญเติบโตที่สูง
กว่า 850 องศาเซลเซียส สูงสุดที่ 332 ซม. 1 ได้รับมอบหมายให้หลาย phonon
(MP) กระบวนการกระจาย [22] สูงสุดที่ 579 ซม. 1 เป็นของ E1
(LO) มีความเกี่ยวข้องกับสิ่งสกปรกและการก่อตัวของข้อบกพร่อง
เช่นตำแหน่งงานว่างออกซิเจน (VO) [23] เราสามารถสังเกตได้ว่าญาติ
เข้มบูรณาการของ E1 (LO) ในบางส่วนเปิด nanowire-
เปลือกหอยบนทรงกลมสูงกว่าในอนุภาคนาโน,
เปลือกสมองซีก nanosheets และแสดงให้เห็นว่าปริมาณของ
ข้อบกพร่องใน VO Zn1? xMgxO nanowire- บนทรงกลมเปลือกหอยเป็นอย่างมาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในพื้นผิวสูงสุดปริมาตรและพื้นผิวที่บกพร่องของ O
.
รูปที่ 7 แสดงอุณหภูมิห้องรามานสเปกตรัมของ
ZnO บริสุทธิ์และ zn1  xmgxo nanomaterials สังเคราะห์ที่ 750 , 850 , 900 และ 1000
 C คมชัดสูงสุดและสูงสุดรอบ 107 ซม. 
1 ได้มอบหมายให้คลังสื่อออปติคอล ไม่มีขั้ว ( สูง ) E2
โหมดเช่นกัน มันเกี่ยวข้องกับการเคลื่อนไหวของอะตอมออกซิเจนและเป็น
โดยทั่วไปใช้งานสาขารามัน wurtzite ZnO [ 20,21 ] ที่สามารถเห็นได้ในรูปที่ 7
, ความเข้มของ E2 ( สูง ) เพิ่มขึ้นตามการเจริญเติบโต
อุณหภูมิและความเข้มข้นต่อโดพันท์ซึ่งแสดงว่า
คริสตัลคุณภาพของ zn1  xmgxo nanomaterials ดีขึ้น
กับการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิการเจริญเติบโตและ Mg ในทำ
ไม่มีผลต่อคุณภาพคริสตัลของ ZnO nanomaterials . จากรูปที่ 7 ก็สามารถ
ก็จะพบว่า ยอดที่และซม. 411  1 เกิดจาก
A1 ( E1 ) และ ( จะ ) ใน ZnO จะจัดแสดงในเปลือกหอยขนาด
900  C และโซ่เหมือน nanosheets 1000  C , แต่พวกเขาไม่สามารถตรวจพบในอนุภาคนาโน ที่ 750 
c และ nanowire บนเปลือกหอย
 ทรงกลมที่ 850 องศาเซลเซียส ซึ่งอาจจะเกิดจากการปรับปรุงคริสตัลคุณภาพ
ของ zn1  xmgxo nanomaterials ที่สูงกว่าอุณหภูมิ
การเจริญเติบโตกว่า 850  C สูงสุดที่ 332 ซม.  1 มอบหมายให้หลาย Phonon
( MP ) ของกระบวนการ [ 22 ] จุดสูงสุดที่ 579 ซม.  1 เป็นของ E1
( LO ) เกี่ยวข้องกับสิ่งสกปรกและการก่อตัวของข้อบกพร่อง
เช่นงานออกซิเจน ( VO ) [ 23 ] เราสามารถสังเกตว่าญาติ
ผสมผสานความเข้มของ E1 ( LO ) ในบางส่วน เปิด nanowire -
บนเปลือกทรงกลมสูงกว่าในอนุภาคนาโน
,เปลือกหอยขนาดและ nanosheets ระบุว่า ปริมาณของของเสียที่เกิดขึ้นใน zn1
O  xmgxo nanowire บนเปลือกทรงกลมมาก