Figure 41-20 A particular type of f

Figure 41-20 A particular type of field-effect
transistor known as a MOSFET.The magnitude
of the drain-to-source conventional
current IDS through the n channel is controlled
by the potential difference VGS
applied between the source S and the gate
G.A depletion zone that exists between the
n-type material and the p-type substrate is
not shown.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

41-20 รูปประเภทเฉพาะของสนามผลทรานซิสเตอร์

ที่รู้จักกันเป็นขนาด mosfet.the จากท่อระบายน้ำเพื่อให้แหล่งที่มาของรหัสเดิม
ปัจจุบันผ่านช่องทาง n
ถูกควบคุมโดย VGS ความแตกต่างที่อาจเกิดขึ้น
ใช้ระหว่างแหล่งที่มาของ และประตู
โซนพร่อง ga ที่มีอยู่ระหว่าง
วัสดุชนิดเอ็นและสารตั้งต้นชนิด p-
คือไม่แสดง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูป 41-20 A เฉพาะชนิดของฟิลด์ผล
เรียกว่าเป็นมอสเฟตทรานซิสเตอร์ขนาด
ของไหลการแหล่งทั่วไป
ควบคุมรหัสปัจจุบันผ่านช่อง n
โดยศักยภาพความแตกต่างที่ VGS
ใช้ระหว่างแหล่ง S และโซนการลดลงของ gate
G.A ที่มีอยู่ระหว่าง
n ชนิดวัสดุและพื้นผิวชนิด p
ไม่แสดง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 41-20 เฉพาะ ประเภท ของฟิลด์ - มีผล
ซึ่งจะช่วยทรานซิสเตอร์ที่รู้จักในด้าน MOSFET .
ซึ่งจะช่วยให้ความสำคัญของที่พักให้สะเด็ดน้ำ - แหล่งที่มาแบบ
ซึ่งจะช่วยในปัจจุบันผ่าน ID ที่ N ช่องจะถูกควบคุมโดย
ซึ่งจะช่วยให้เกิดความแตกต่าง vgs
ซึ่งจะช่วยนำมาใช้ระหว่างที่แหล่งและที่ประตู
ซึ่งจะช่วยทำให้หมดสิ้นลง. G .ที่โซนที่มีอยู่แล้วระหว่างที่
N - ประเภท ของวัสดุเชื่อมต่อในและ P - พิมพ์หน้าติดอยู่กับพื้นผิว organic มี
ซึ่งจะช่วยไม่ได้แสดงไว้.