Zinc oxide films doped by gallium w

Zinc oxide films doped by gallium were deposited
using RF diode sputtering from a ceramic ZnO 2% Ga2O3 target on Corning glass in argon
atmosphere.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สังกะสีออกไซด์ฟิล์ม doped โดยแกลเลียมได้ฝาก ใช้ RF ไดโอดพ่นจากเป้าหมาย 2% Ga2O3 ZnO เซรามิกบนแก้วคอร์นทำอาร์กอน บรรยากาศ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สังกะสีออกไซด์เจือภาพยนตร์โดยแกลเลียมมีเงินใช้ไดโอด RF สปัตเตอร์จากเซรามิกซิงค์ออกไซด์ 2% เป้าหมาย Ga2O3 บนกระจก Corning อาร์กอนในบรรยากาศ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์มซิงค์ออกไซด์เจือด้วยแกลเลียมฝากเงิน
ใช้ RF ไดโอดทำงานจากซิงค์ออกไซด์เซรามิก 2 % ga2o3 เป้าหมายใน Corning แก้วในบรรยากาศอาร์กอน